100V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BAT46W-HE3-18 编号：C6129722

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：用于通用应用。极低的开启电压和快速开关。采用PN结保护环，可防止过电压，如静电放电。可提供AEC-Q101认证。符合RoHS标准，商业级。符合RoHS标准，AEC-Q101认证

5+
￥0.653
50+
￥0.5089
150+
￥0.4369
500+
￥0.3829
2500+
￥0.3397

有货

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型号：ST310BF 编号：C414007

封装：SMBF

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。金属硅结，多数载流子传导。高效运行。超低正向压降，低功率损耗。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接：260℃/10秒，0.375英寸（9.5mm）引脚长度，5磅（2.3kg）拉力

数据手册

5+
￥0.7011
50+
￥0.5542
150+
￥0.4808
500+
￥0.4257
2500+
￥0.3816
5000+
￥0.3596

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型号：MBRD10L100 编号：C17702895

封装：TO-252

品牌：GOODWORK(固得沃克)

特性：低正向压降。高电流能力。高可靠性。高浪涌电流能力。外延结构

5+
￥0.7108
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￥0.6949
150+
￥0.6514
525+
￥0.6408

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型号：BYS12-90HE3_A/H-HXY 编号：C52988745

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压为100V。在导通状态下，其正向压降为0.85V，有助于减少功耗；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源中的续流路径、信号解调以及对效率和热性能有要求的通用电子电路。

5+
￥0.734445 ￥0.7731
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￥0.718295 ￥0.7561
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￥0.707465 ￥0.7447
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￥0.69673 ￥0.7334

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型号：STPS2H100AFY-HXY 编号：C52988659

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的浪涌正向电流（IFSM），适用于开关电源、便携式电子设备、电源管理模块及高频整流电路等场景，满足对效率与可靠性的基本需求。

5+
￥0.784225 ￥0.8255
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￥0.766935 ￥0.8073
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￥0.75544 ￥0.7952
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￥0.743945 ￥0.7831

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型号：SS810BF 编号：C6067486

封装：SMBF

品牌：GOODWORK(固得沃克)

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

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￥0.8019
50+
￥0.6339
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￥0.5499
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￥0.4869
2500+
￥0.4365
5000+
￥0.4113

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型号：MBR30100CTG 编号：C46538648

封装：TO-220AB

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

特性：共阴极结构。低功耗和高效率。低正向压降。高浪涌能力。应用：高频开关。续流和极性保护应用

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￥0.8451
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￥0.8249
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￥0.8115

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型号：SS19 编号：C52988748

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。

5+
￥0.84645 ￥0.891
50+
￥0.82783 ￥0.8714
150+
￥0.815385 ￥0.8583
500+
￥0.803035 ￥0.8453

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型号：SS2H10-E3/52T 编号：C435843

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低轮廓封装。用于过压保护的保护环。适合自动贴装。低功率损耗，高效率。低正向压降。低泄漏电流。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

5+
￥0.8699
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￥0.6888
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￥0.5983
750+
￥0.4775

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型号：CMMSH1-100GTR-HXY 编号：C52754449

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过200μA，体现出良好的阻断特性。器件适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、续流及电源管理场景，凭借肖特基结构带来的快速开关性能，可在多种电子系统中实现稳定可靠的单向导通功能。

5+
￥0.87134 ￥0.9172
50+
￥0.85215 ￥0.897
150+
￥0.83942 ￥0.8836
500+
￥0.826595 ￥0.8701

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型号：NTE642-HXY 编号：C52988680

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在100V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景。低导通压降有助于减少功耗，提升系统能效，适合用于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。

5+
￥0.883785 ￥0.9303
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￥0.86431 ￥0.9098
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￥0.85139 ￥0.8962
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￥0.83847 ￥0.8826

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型号：SS10100B 编号：C18216480

封装：SMB

品牌：晶导微电子

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

5+
￥0.9083
50+
￥0.7235
150+
￥0.6311
500+
￥0.5618

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型号：SK510SMA-HXY 编号：C52988653

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为5A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为200μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、高频开关以及低压输出等应用场景。

5+
￥0.933565 ￥0.9827
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￥0.913045 ￥0.9611
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￥0.899365 ￥0.9467
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￥0.885685 ￥0.9323

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型号：SB20100 编号：C53085152

封装：TO-277

品牌：Slkor(萨科微)

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￥0.9434
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￥0.9226
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￥0.9088

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型号：SS810 编号：C698826

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：保护环用于过压保护。低功耗。极快的开关速度。高正向浪涌能力。高频操作。最高260℃浸焊10秒，符合JESD 22-B106标准。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

5+
￥0.976
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￥0.7883
150+
￥0.6944
500+
￥0.6241

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型号：ST510BF 编号：C414010

封装：SMBF

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。金属硅结，多数载流子传导。高效运行。超低正向压降，低功耗。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接：260℃/10秒，引脚长度0.375英寸（9.5mm），拉力5磅（2.3kg）

数据手册

5+
￥1.016
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￥0.799
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￥0.706
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￥0.59
2500+
￥0.5383
5000+
￥0.5073

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型号：MBRF20L100CT 编号：C2922156

封装：ITO-220AB

品牌：GOODWORK(固得沃克)

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

数据手册

5+
￥1.0312 ￥2.0624
50+
￥0.7774 ￥1.5548
150+
￥0.6802 ￥1.3604
500+
￥0.55895 ￥1.1179
2000+
￥0.50495 ￥1.0099
5000+
￥0.4725 ￥0.945

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型号：RB068LAM100TFTR-HXY 编号：C52988658

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其典型正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）控制在20μA，有助于维持电路的高效率运行。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。

5+
￥1.033125 ￥1.0875
50+
￥1.01042 ￥1.0636
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￥0.995315 ￥1.0477
500+
￥0.980115 ￥1.0317

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型号：SB1H100-E3/73 编号：C145309

封装：DO-41

品牌：VISHAY(威世)

特性：高势垒技术，改善高温性能。保护环，用于过压保护。低功率损耗和高效率。低正向压降。极低的泄漏电流。高正向浪涌能力。应用：中压高频逆变器。续流

数据手册

1+
￥1.035779 ￥1.9543
10+
￥0.824256 ￥1.5552
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￥0.733573 ￥1.3841
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￥0.620471 ￥1.1707
500+
￥0.570068 ￥1.0756
1000+
￥0.539858 ￥1.0186

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型号：ST510B 编号：C414004

封装：SMB

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。金属硅结，多数载流子传导。高效运行。超低正向压降，低功率损耗。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接：260℃/10秒，0.375英寸（9.5mm）引脚长度，5磅（2.3kg）拉力

数据手册

5+
￥1.0401
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￥0.8184
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￥0.7234
500+
￥0.6049
3000+
￥0.5155
6000+
￥0.4838

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型号：RB168L100DDTE25-HXY 编号：C52988590

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为100V。其典型正向压降（VF）为0.85V，反向漏电流（IR）不超过100μA，体现出优异的导通效率与低漏电特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电源、直流-直流转换器、电池供电设备及各类对能效和热管理有较高要求的电子电路中。