100V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SB10100 编号：C53085151

封装：TO-277

品牌：Slkor(萨科微)

5+
￥0.4088
50+
￥0.3998
150+
￥0.3939

有货

立即购买

型号：PMEG100T20ELR-QX-HXY 编号：C52754480

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。在正常工作条件下，其正向压降（VF）典型值为0.85V，反向漏电流（IR）不超过20μA。器件具备较强的瞬态耐受能力，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达50A。适用于对导通损耗和开关速度敏感的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、适配器及各类消费类电子设备中。

5+
￥0.423225 ￥0.4455
50+
￥0.413915 ￥0.4357
150+
￥0.40774 ￥0.4292
500+
￥0.401565 ￥0.4227

有货

立即购买

型号：SR5100 编号：C5280522

封装：DO-27

品牌：XCH(旭昌辉)

芯片采用外延平面结构，具有较低的导通压降，适用于开关和续流电路。

数据手册

10+
￥0.4467
100+
￥0.3555
300+
￥0.3099
1250+
￥0.2643
5000+
￥0.237
10000+
￥0.2233

有货

立即购买

型号：V2FM10-M3/H-HXY 编号：C52754484

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压为100V。其正向压降为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流仅为20μA，表现出良好的隔离特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、极性保护以及对效率和热稳定性要求较高的电子电路中。

5+
￥0.448115 ￥0.4717
50+
￥0.438235 ￥0.4613
150+
￥0.43168 ￥0.4544
500+
￥0.425125 ￥0.4475

有货

立即购买

型号：SL210 编号：C5339856

封装：SOD-123FL

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低外形封装。适合自动贴装。有保护环用于过压保护。低功率损耗，高效率。高正向浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值260℃。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

10+
￥0.4492
100+
￥0.3628
300+
￥0.3196

有货

立即购买

型号：SR3100-B 编号：C908724

封装：DO-27

品牌：GOODWORK(固得沃克)

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

数据手册

10+
￥0.45714 ￥0.4812
100+
￥0.36594 ￥0.3852
250+
￥0.293835 ￥0.3093
1000+
￥0.259635 ￥0.2733
5000+
￥0.232275 ￥0.2445
10000+
￥0.2185 ￥0.23

有货

立即购买

型号：SK110-LTP 编号：C151806

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：MCC(美微科)

特性：无铅表面处理/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。防潮等级1级。经过反向能量测试并具有保护环保护。高电流能力和低正向电压。极低的热阻。

数据手册

10+
￥0.4579
100+
￥0.3775
300+
￥0.3373
3000+
￥0.2795

有货

立即购买

型号：PMEG100T30ELRX-HXY 编号：C52754498

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的整流与续流场景，常见于电源转换、适配器及各类电子设备的保护电路中。

5+
￥0.473005 ￥0.4979
50+
￥0.46265 ￥0.487
150+
￥0.455715 ￥0.4797
500+
￥0.44878 ￥0.4724

有货

立即购买

型号：SS10100 编号：C19189905

封装：SMC

品牌：DOWO(东沃)

特性：DO-214AB (SMC)。保护环用于过压保护。低功耗。极快的开关速度。高正向浪涌能力。高频操作。应用：低压高频逆变器。续流

5+
￥0.4776
50+
￥0.3677
150+
￥0.3127

有货

立即购买

型号：SK310 编号：C2924031

封装：SMBG

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：IF(AV) 3A-VRRM 20V-200V。高浪涌电流能力。极性：色带表示阴极。应用：整流器

数据手册

10+
￥0.479
100+
￥0.3893
300+
￥0.3444

有货

立即购买

型号：SDM2100S1F-7-HXY 编号：C52754482

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源以及高频逆变器等应用场合。

5+
￥0.497895 ￥0.5241
50+
￥0.48697 ￥0.5126
150+
￥0.479655 ￥0.5049
500+
￥0.47234 ￥0.4972

有货

立即购买

型号：STPS3H100U-HXY 编号：C52988698

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为100V。其正向压降典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、便携设备充电模块及各类电子系统的电源路径中。

5+
￥0.497895 ￥0.5241
50+
￥0.48697 ￥0.5126
150+
￥0.479655 ￥0.5049
500+
￥0.47234 ￥0.4972

有货

立即购买

型号：VSSA310S-M3/61T-HXY 编号：C52988747

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、开关模式电源以及各类消费类电子设备中的续流与保护电路。

5+
￥0.497895 ￥0.5241
50+
￥0.48697 ￥0.5126
150+
￥0.479655 ￥0.5049
500+
￥0.47234 ￥0.4972

有货

立即购买

型号：ST310B 编号：C414001

封装：SMB

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。金属硅结，多数载流子传导。高效运行。超低正向压降，低功耗。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接：260℃/10秒，0.375英寸（9.5mm）引脚长度，5磅（2.3kg）拉力

数据手册

5+
￥0.5141
50+
￥0.4529
150+
￥0.4223
500+
￥0.3994
3000+
￥0.381
6000+
￥0.3718

有货

立即购买

型号：SKL310-HXY 编号：C52754500

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为100V。在导通状态下，其正向压降为0.85V，有助于减少功耗；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路，常见于电源适配器、开关电源及各类电子设备中。

5+
￥0.522785 ￥0.5503
50+
￥0.51129 ￥0.5382
150+
￥0.50369 ￥0.5302
500+
￥0.495995 ￥0.5221

有货

立即购买

型号：SR5100 编号：C3011162

封装：DO-27

品牌：JUXING(钜兴)

特性：高电流能力。高浪涌电流能力。低正向压降。超过MIL-S-19500/228的环境标准。适用于低压、高频逆变器续流和极性保护应用

数据手册

5+
￥0.523355 ￥0.5509
50+
￥0.42218 ￥0.4444
150+
￥0.371545 ￥0.3911
1250+
￥0.281865 ￥0.2967
2500+
￥0.251465 ￥0.2647
5000+
￥0.236265 ￥0.2487

有货

立即购买

型号：BYS11-90HE3_A/H-HXY 编号：C52988743

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及高频开关等电路场合。

5+
￥0.53523 ￥0.5634
50+
￥0.52345 ￥0.551
150+
￥0.51566 ￥0.5428
500+
￥0.507775 ￥0.5345

有货

立即购买

型号：BYS11-90-M3/TR3-HXY 编号：C52988744

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、电源转换、续流保护及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。

5+
￥0.547675 ￥0.5765
50+
￥0.535705 ￥0.5639
150+
￥0.52763 ￥0.5554
500+
￥0.51965 ￥0.547

有货

立即购买

型号：V1PM10-M3/H 编号：C5299675

封装：DO-219AD

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形。典型高度为0.65mm。适用于自动贴装。沟槽MOS肖特基技术。低正向压降。低功耗，高效率。应用：用于低压高频逆变器、续流、DC/DC转换器和极性保护应用。适用于商业、工业和汽车应用

5+
￥0.5537
50+
￥0.4337
150+
￥0.3737
500+
￥0.3287

有货

立即购买

型号：SS10100B 编号：C22368731

封装：SMB

品牌：Wild Goose(威谷)

这是一款适用于电源转换、高频开关电路以及需要快速恢复时间的整流应用的肖特基二极管

5+
￥0.5728
50+
￥0.4528
150+
￥0.3928
500+
￥0.3478
3000+
￥0.3118
6000+
￥0.2938

有货

立即购买

型号：TSS310LF 编号：C5161892

封装：SMAF

品牌：ZHIDE(志得)

特性：反向漏电流低。正向浪涌承受能力强。高信赖性。高温焊接保证：260°C / 10 秒。引线和管体皆符合 RoHS 标准。型号后缀“-F”标记无卤素产品

数据手册

5+
￥0.585
50+
￥0.465
150+
￥0.405
500+
￥0.36
3000+
￥0.309
6000+
￥0.291

有货

立即购买

型号：RB168LAM100TR-HXY 编号：C52988750

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下维持较低功耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，展现出优异的反向截止性能。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于存在突发大电流的电路条件。典型用途包括电源整流、高频开关电路中的续流路径以及直流供电系统的极性保护等。

5+
￥0.597455 ￥0.6289
50+
￥0.584345 ￥0.6151
150+
￥0.575605 ￥0.6059
500+
￥0.566865 ￥0.5967

有货

立即购买

型号：SK210AH 编号：C3759737

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

电压:100V 电流:2A

5+
￥0.6041
50+
￥0.5347
150+
￥0.5
500+
￥0.474
2500+
￥0.4395

有货

立即购买

型号：VS20MQ100NTRPBF-HXY 编号：C52988749

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压为100V。其典型正向压降为0.85V，在导通时能有效降低功耗；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率、热性能及瞬态耐受能力有较高要求的整流、续流及高频开关电路中。

5+
￥0.6099 ￥0.642
50+
￥0.596505 ￥0.6279
150+
￥0.587575 ￥0.6185
500+
￥0.578645 ￥0.6091

有货

立即购买

型号：B3100BE-13-HXY 编号：C52988694

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下保持较低功耗；反向漏电流（IR）最大为100μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源次级侧、便携式电子设备电源管理及对效率与热性能有较高要求的电路场合。