100V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMB

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为2A，最大反向电压达100V。其正向压降为0.85V，在100V反向电压下漏电流不超过100μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和可靠性有一定要求的整流、续流及电源管理电路，常见于消费类电子设备与通用电源模块中，凭借较低的导通损耗和良好的热稳定性，有助于维持系统长期稳定运行。

5+
￥0.273885 ￥0.2883
50+
￥0.2679 ￥0.282
150+
￥0.263815 ￥0.2777
500+
￥0.259825 ￥0.2735

有货

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型号：S-LBAT46T1G 编号：C2936685

封装：SOD-123

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：非常小的传导损耗。可忽略不计的开关损耗。低正向压降。表面贴装器件。产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

10+
￥0.2915
100+
￥0.2363
300+
￥0.2087

有货

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型号：SS2FH10-M3/H-HXY 编号：C52754483

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降为0.85V，在导通时能量损耗较低；反向漏电流仅为20μA，体现出优良的反向阻断能力。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、电源转换、极性保护及各类对效率和热性能有要求的电子电路中。

5+
￥0.29507 ￥0.3106
50+
￥0.288515 ￥0.3037
150+
￥0.28424 ￥0.2992
500+
￥0.27987 ￥0.2946

有货

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型号：SS310LBF 编号：C7428183

封装：SMBF

品牌：NH(纽航)

特性：低正向压降，实现高效率。低漏电流，确保高可靠性。高正向浪涌能力，保障高可靠性。应用：用于高频逆变器。用于DC/DC转换器

10+
￥0.2997
100+
￥0.2354
300+
￥0.2032
1000+
￥0.1791

有货

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型号：SS510FL 编号：C2943777

封装：SMAF

品牌：GOODWORK(固得沃克)

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

数据手册

5+
￥0.30186 ￥0.3354
50+
￥0.29493 ￥0.3277
150+
￥0.29025 ￥0.3225
500+
￥0.28557 ￥0.3173

有货

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型号：SS1FH10-M3/H-HXY 编号：C52754454

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为1A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.84V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为40μA，体现出良好的反向阻断特性。器件适用于对效率和热管理有一定要求的电源整流、信号检波及高频开关等电路场合，凭借肖特基结构带来的快速恢复特性，可在多种电子系统中实现稳定可靠的单向导通功能。

5+
￥0.30248 ￥0.3184
50+
￥0.29583 ￥0.3114
150+
￥0.29146 ￥0.3068
500+
￥0.286995 ￥0.3021

有货

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型号：SS510 编号：C5199121

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMA封装肖特基二极管，专为高功率应用设计。拥有100V的反向耐压和5A的强大正向电流承载能力，其正向导通电压VF低至0.85V，确保在大电流环境下实现高效能转换与快速恢复性能。广泛应用于开关电源、高频整流器及续流保护电路中，紧凑型封装适合现代电子设备集成需求。

数据手册

10+
￥0.3157
100+
￥0.2515
300+
￥0.2194
2000+
￥0.1761
4000+
￥0.1568
10000+
￥0.1472

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型号：SKL110 编号：C52754574

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压达100V，适用于较高电压场景下的整流需求。其典型正向压降为0.84V，在保证较低导通损耗的同时兼顾反向耐压能力；反向漏电流仅为40μA，有助于提升系统在待机或低功耗状态下的效率。该器件适合用于开关电源、适配器、便携设备供电电路以及需要高效能与高耐压平衡的各类电子系统中。

5+
￥0.31616 ￥0.3328
50+
￥0.309225 ￥0.3255
150+
￥0.30457 ￥0.3206
500+
￥0.30001 ￥0.3158

有货

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型号：VS20MQ100HM3/5AT-HXY 编号：C52988623

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及高频续流等应用场景。

5+
￥0.317395 ￥0.3341
50+
￥0.31046 ￥0.3268
150+
￥0.305805 ￥0.3219
500+
￥0.30115 ￥0.317

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型号：SR2100 编号：C2898054

封装：DO-15

品牌：YFW(佑风微)

特性：过电压保护保护环。低反向泄漏。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

10+
￥0.32031 ￥0.3559
100+
￥0.25461 ￥0.2829
500+
￥0.21492 ￥0.2388
1000+
￥0.19035 ￥0.2115
5000+
￥0.17064 ￥0.1896
10000+
￥0.16074 ￥0.1786

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型号：SS310F 编号：C432145

封装：SMBF

品牌：LGE(鲁光)

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

数据手册

10+
￥0.32409 ￥0.3601
100+
￥0.25425 ￥0.2825
300+
￥0.21933 ￥0.2437
1000+
￥0.19314 ￥0.2146
5000+
￥0.16335 ￥0.1815
10000+
￥0.15291 ￥0.1699

有货

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型号：RB168MM100TR-HXY 编号：C52754450

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.84V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）仅为40μA，表现出优异的反向阻断能力。得益于肖特基结构的低开启电压与快速恢复特性，该器件适用于对能效和响应速度有要求的整流、箝位及电源转换等电子电路中。

5+
￥0.326135 ￥0.3433
50+
￥0.31901 ￥0.3358
150+
￥0.314165 ￥0.3307
500+
￥0.309415 ￥0.3257

有货

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型号：SS110AQ 编号：C5861925

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低外形封装。适合自动贴装。有保护环用于过压保护。低功率损耗，高效率。高正向浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。应用：低压高频逆变器。续流

10+
￥0.3276
100+
￥0.2578
300+
￥0.223
1000+
￥0.1968
7500+
￥0.1759
15000+
￥0.1654

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型号：BAT46 编号：C2969783

封装：DO-35

品牌：ST(意法半导体)

100 V、150 mA轴向通用信号肖特基二极管

数据手册

10+
￥0.336
100+
￥0.2684
300+
￥0.2346
1000+
￥0.2093

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型号：SS510F 编号：C2898419

封装：SMAF

品牌：YFW(佑风微)

表面贴装肖特基势垒整流器，反向电压-20 至 200 V，正向电流-5 A

数据手册

10+
￥0.33872 ￥0.4234
100+
￥0.26976 ￥0.3372
300+
￥0.23536 ￥0.2942
3000+
￥0.20952 ￥0.2619
6000+
￥0.1888 ￥0.236
9000+
￥0.17848 ￥0.2231

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型号：FM110EQ 编号：C49507530

封装：SOD-323HE

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低外形封装。适合自动贴装。有保护环用于过压保护。低功率损耗，高效率。高正向浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为299.8℃。应用：低压高频逆变器。续流

10+
￥0.3463
100+
￥0.2801
300+
￥0.2469
3000+
￥0.2221
6000+
￥0.2022
9000+
￥0.1923

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型号：V3FM10HM3/H-HXY 编号：C52754501

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降为0.85V，在导通时能量损耗较低；反向漏电流为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源输出级以及对效率和热性能有较高要求的电子系统中。

5+
￥0.348555 ￥0.3669
50+
￥0.34086 ￥0.3588
150+
￥0.335825 ￥0.3535
500+
￥0.330695 ￥0.3481

有货

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型号：STPS2H100ZF-HXY 编号：C52754578

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）仅为20μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源以及高频逆变器等应用场景。

5+
￥0.351025 ￥0.3695
50+
￥0.34333 ￥0.3614
150+
￥0.3382 ￥0.356
500+
￥0.33307 ￥0.3506

有货

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型号：SS2H10-E3/52T-HXY 编号：C52988683

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场合。凭借较低的VF与适中的VR参数组合，该器件在多种电源转换及保护电路中具备实用价值。

5+
￥0.35226 ￥0.3708
50+
￥0.344565 ￥0.3627
150+
￥0.33934 ￥0.3572
500+
￥0.33421 ￥0.3518

有货

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型号：B2100A-13-F-HXY 编号：C52988617

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景，常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。

5+
￥0.354825 ￥0.3735
50+
￥0.34694 ￥0.3652
150+
￥0.34181 ￥0.3598
500+
￥0.336585 ￥0.3543

有货

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型号：SDM1100S1F-7-HXY 编号：C52754452

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为1A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.84V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流仅为40μA，有助于提升系统在待机或低功耗模式下的能效。器件适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、续流及电源管理场景，凭借肖特基结构的快速恢复特性，可有效减少开关损耗，保障电路稳定运行。

5+
￥0.364705 ￥0.3839
50+
￥0.356725 ￥0.3755
150+
￥0.351405 ￥0.3699
500+
￥0.34599 ￥0.3642

有货

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型号：WSB5549N-3/TR 编号：C719441

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：高开关速度。低泄漏电流。小封装DFN1006-3L。应用：高速开关。通用开关

数据手册

5+
￥0.3708
50+
￥0.3228
150+
￥0.2988
500+
￥0.2808
2500+
￥0.2664
5000+
￥0.2592

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型号：STPS2H100U-HXY 编号：C52988684

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率与可靠性有要求的整流、续流及电源极性保护等电路场景。

5+
￥0.37221 ￥0.3918
50+
￥0.36404 ￥0.3832
150+
￥0.35853 ￥0.3774
500+
￥0.353115 ￥0.3717

有货

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型号：RB068MM100TFTR-HXY 编号：C52754481

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；在100V反向电压下，漏电流（IR）最大为20μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路，常见于电源适配器、开关电源及各类便携式电子设备中。