8.2V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZT52B8V2BS 编号：C20600024

封装：SOD-323(SC-90)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：高可靠性。非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。齐纳电压 2.4V-47V

20+
￥0.0964
200+
￥0.0945
600+
￥0.0933

有货

立即购买

型号：MM3Z8V2BW 编号：C3019197

封装：SOD-323W

品牌：晶导微电子

特性：总功率耗散：最大300mW。宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。适合表面贴装设计的小型塑料封装。公差约±2%

数据手册

50+
￥0.0985
500+
￥0.0769
3000+
￥0.0649

有货

立即购买

型号：MM3Z8V2B 编号：C2826557

封装：SOD-323

品牌：晶导微电子

特性：总功率耗散：最大300mW。宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。适合表面贴装设计的小型塑料封装。公差约±2%

数据手册

50+
￥0.104
500+
￥0.0824
3000+
￥0.0652

有货

立即购买

型号：BZT52C8V2S 编号：C7429748

封装：SOD-323

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

SOD-323 塑封封装稳压二极管 8.2V 功耗0.2W

50+
￥0.1173
500+
￥0.0914
3000+
￥0.077

有货

立即购买

型号：UDZVTE-178.2B 编号：C123057

封装：SOD-323F

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小型模具类型。应用：电压调节

数据手册

50+
￥0.1202
500+
￥0.0948
3000+
￥0.0807

有货

立即购买

型号：MMSZ4694 编号：C2910060

封装：SOD-123

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：提供无铅封装。齐纳反向电压范围宽。小封装尺寸，适用于高密度应用。根据人体模型，静电放电等级为3级（>16 kV）

数据手册

20+
￥0.1536
200+
￥0.1185
600+
￥0.099

有货

立即购买

型号：BZT52C8V2 编号：C699186

封装：SOD-123

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：高可靠性。非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。齐纳电压2.4V~75V

数据手册

20+
￥0.157
200+
￥0.1255
600+
￥0.1081

有货

立即购买

型号：AZ23C8V2 编号：C968019

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：YANGJIE(扬杰)

AZ23C8V2-F2-0000HF

数据手册

20+
￥0.1937
200+
￥0.1559
600+
￥0.1349

有货

立即购买

型号：BZX84C8V2LT1G 编号：C82469

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

20+
￥0.2207
200+
￥0.1755
600+
￥0.1504
3000+
￥0.1214
9000+
￥0.1083
21000+
￥0.1013

有货

立即购买

型号：SZA8.2A 编号：C2842085

封装：DO-214AC

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：1W SMA齐纳电压调节器二极管。塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。产品材料符合RoHS要求。过压保护。保证高温焊接：260℃/10秒（引脚处）。 Vz公差：±5%（Ta = 25℃）。 Vfmax = 1.2V（IF = 200mA）。 P = 1W

10+
￥0.224402 ￥0.3869
100+
￥0.147936 ￥0.3082
300+
￥0.102144 ￥0.2688
1000+
￥0.090934 ￥0.2393
7500+
￥0.081966 ￥0.2157

有货

立即购买

型号：BZX384-C8V2,115 编号：C503566

封装：SOD-323

品牌：Nexperia(安世)

低功耗电压调节二极管，采用小型SOD323 (SC-76)表面贴装器件(SMD)塑料封装。二极管的公差范围为标准化的E24 ±1%、±2%和近似±5%。该系列包括37种击穿电压，标称工作电压范围为2.4 V至75 V。

数据手册

20+
￥0.2395
200+
￥0.189
600+
￥0.161
3000+
￥0.1441
9000+
￥0.1296
21000+
￥0.1217

有货

立即购买

型号：TZMB8V2-GS08 编号：C3728575

封装：MiniMELF(SOD-80)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。TZMC：Vz 容差 ±5%。TZMB：Vz 容差 ±2%。应用：电压稳定

10+
￥0.3348
100+
￥0.2749
300+
￥0.2449

有货

立即购买

型号：1SMB5923B 编号：C5183381

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围 3.3 至 200 V。高反向峰值功率耗散。平坦的操作表面，便于精确放置。低泄漏电流。无铅/符合 RoHS 标准

数据手册

10+
￥0.42291 ￥0.4699
100+
￥0.3366 ￥0.374
300+
￥0.2934 ￥0.326
3000+
￥0.25029 ￥0.2781
6000+
￥0.22437 ￥0.2493
9000+
￥0.21141 ￥0.2349

有货

立即购买

型号：DDZ8V2CQ-7 编号：C2960353

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：非常严格的Vz公差。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.5515
50+
￥0.4413
150+
￥0.3862
500+
￥0.3449

有货

立即购买

型号：TFZVTR8.2B 编号：C570824

封装：SMD-2P

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小封装类型。应用：电压调节

数据手册

5+
￥0.7664
50+
￥0.6132
150+
￥0.5367
500+
￥0.4792

有货

立即购买

型号：1N5344BRLG 编号：C9709

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥2.4465
50+
￥1.9493
150+
￥1.5011
500+
￥1.2352
2500+
￥1.1168
4000+
￥1.0458

有货

立即购买

型号：BZT52C8V2 编号：C353506

封装：SOD-123

品牌：晶导微电子

特性：总功率耗散：最大500mW。宽齐纳反向电压范围2.0V至39V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装

数据手册

50+
￥0.072
500+
￥0.0555
3000+
￥0.0463

有货

立即购买

型号：ZM4738A 编号：C42400750

封装：LL-41

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：反向漏电小。齐纳击穿阻抗低。最大功率耗散 1000mW。高稳定性和可靠性

20+
￥0.099088 ￥0.1126
200+
￥0.0968 ￥0.11
600+
￥0.095216 ￥0.1082
2000+
￥0.09372 ￥0.1065

订货

我要订货

型号：MM3Z8V2 编号：C118606

封装：SOD-323

品牌：ST(先科)

8.2V 0.3W

数据手册

50+
￥0.1075
500+
￥0.0849
3000+
￥0.0674

有货

立即购买

型号：AD-BZX84C8V2 编号：C2975670

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：平面芯片结构。齐纳电压从2.4V到43V。超小表面贴装封装，功耗300mW。通过AEC-Q101认证

数据手册

20+
￥0.131112 ￥0.2428
200+
￥0.08382 ￥0.1905
600+
￥0.054876 ￥0.1614
3000+
￥0.048926 ￥0.1439
9000+
￥0.043792 ￥0.1288
21000+
￥0.041004 ￥0.1206

有货

立即购买

型号：ZMM5237BPF 编号：C7497513

封装：LL-34

品牌：ST(先科)

硅平面齐纳二极管

20+
￥0.1564
200+
￥0.1218
600+
￥0.1026

有货

立即购买

型号：1N4738APF-M 编号：C7497916

封装：DO-41

品牌：ST(先科)

耐压:8.2V 电流:10uA@6V

20+
￥0.1599
200+
￥0.1231
600+
￥0.1027

有货

立即购买

型号：BZX84B8V2 编号：C968235

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：YANGJIE(扬杰)

BZX84B8V2-F2-0000HF

数据手册

20+
￥0.1672
200+
￥0.1348
600+
￥0.1168
3000+
￥0.0944

有货

立即购买

型号：BZT52-B8V2S_R1_00001 编号：C263153

封装：SOD-323

品牌：PANJIT(强茂)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4~75V。非常适合自动化组装工艺。符合欧盟 RPHS 2.0 标准的无铅产品。符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料

数据手册

20+
￥0.1709
200+
￥0.136
600+
￥0.1167

有货

立即购买

型号：MM3Z8V2T1GX-HXY 编号：C53262783

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管具有8.2V的反向击穿电压（VR），在正向导通时压降为0.9V（VF），最大正向电流（IF）为0.01A。其反向漏电流（IR）低至0.5微安，确保在非工作状态下功耗极小。器件额定功耗（PD）为0.3瓦，适用于对功耗和稳定性要求较高的电源管理或信号调节电路中，可有效提供电压基准或过压保护功能。

10+
￥0.1835
100+
￥0.1794
300+
￥0.1768

有货

立即购买

型号：MMSZ4694T1G 编号：C223611

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计便于自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（> 16 kV）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册