10.8V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZV55-B11,115 编号：C454947

封装：SOD-80C

品牌：Nexperia(安世)

11V 500mW

数据手册

5+
￥2.1539
50+
￥1.7018
150+
￥1.5081
500+
￥1.2664
2500+
￥1.1409
5000+
￥1.0763

有货

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型号：ZM4742A 编号：C7471236

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款LL-41封装稳压二极管，提供精确的12V稳定电压（VZ），具备较低反向电流IR仅为5uA，在21mA IZT条件下表现出卓越性能。最大耗散功率达1W，确保在各类大电流应用中实现高效、稳定的电压控制。专为需要高精度稳压及良好散热性能的电路设计，是电源系统和设备保护的理想选择。

10+
￥0.15691 ￥0.1846
100+
￥0.124865 ￥0.1469
300+
￥0.107015 ￥0.1259
1000+
￥0.096305 ￥0.1133
5000+
￥0.08704 ￥0.1024
10000+
￥0.08211 ￥0.0966

有货

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型号：BZX84B11 编号：C970341

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装工艺。应用：350mW 表面贴装齐纳二极管

数据手册

20+
￥0.12924 ￥0.1436
200+
￥0.10251 ￥0.1139
600+
￥0.08766 ￥0.0974
3000+
￥0.07191 ￥0.0799
9000+
￥0.06417 ￥0.0713
21000+
￥0.06003 ￥0.0667

有货

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型号：BZX384B11-E3-18 编号：C511526

封装：SC-76

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%；将“C”替换为“B”可实现±2%的公差。有AEC-Q101认证版本。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。基础产品编号E3：符合RoHS标准，商业级。基础产品编号HE3：符合RoHS标准，AEC-Q101认证

数据手册

10+
￥0.2934
100+
￥0.2348
300+
￥0.2055
1000+
￥0.1835
5000+
￥0.1659

有货

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型号：BZT52B11 编号：C545388

封装：SOD-123

品牌：LGE(鲁光)

特性：平面芯片结构。“B”表示±2%的公差。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。应用：齐纳二极管。超小型表面贴装封装

数据手册

10+
￥0.1235
100+
￥0.0965
300+
￥0.0815
3000+
￥0.0712
6000+
￥0.0634
9000+
￥0.0592

有货

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型号：BZX84-B11,215 编号：C550906

封装：SOT-23(TO-236AB)

品牌：Nexperia(安世)

低功耗电压调节二极管，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管提供归一化E24的±1%、±2%和大约±5%公差范围。该系列包括37种击穿电压，标称工作电压从2.4 V到75 V。

数据手册

3000+
￥0.24
6000+
￥0.236
12000+
￥0.23
24000+
￥0.22

我要订货

型号：BZV55-B11,135 编号：C550389

封装：SOD-80C

品牌：Nexperia(安世)

数据手册

5+
￥1.6357
50+
￥1.3937
150+
￥1.2901
500+
￥1.1607

有货

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型号：HZMY12G 编号：C42389429

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管具备0.2A的正向电流(IF)承载能力，适用于需要稳定电压输出的电路设计。其反向工作电压(VR)为12V，确保了在该电压下能够提供可靠的性能。正向电压降(VF)为1.2V，意味着在导通状态下仅有较小的电压损失。反向漏电流(IR)控制在5μA以内，有助于维持电路的高效率。此外，最大功耗(PD)限制在1W，适合多种消费电子设备中的电源管理与保护应用。这些特性共同保证了器件在实际使用中的高效与可靠。

5+
￥0.52608 ￥0.6576
50+
￥0.41584 ￥0.5198
150+
￥0.36072 ￥0.4509
500+
￥0.31944 ￥0.3993
2500+
￥0.28632 ￥0.3579
5000+
￥0.26984 ￥0.3373

有货

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型号：HZMY12GS08 编号：C42389413

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管提供0.2A的正向平均电流(IF)和12V的反向耐压(VR)，适用于需要稳定电压输出的各种电子设备。其正向电压降(VF)为1.2V，确保了在工作时能够维持所需的电压水平。该器件具有低至5μA的反向漏电流(IR)，表现出良好的绝缘特性。额定功耗(PD)为1W，适合于对功耗有一定要求的应用场景。此稳压二极管适用于多种消费电子产品中，以保障电路工作的可靠性和稳定性。

5+
￥0.569556 ￥0.7302
50+
￥0.450216 ￥0.5772
150+
￥0.390546 ￥0.5007
500+
￥0.345852 ￥0.4434
2500+
￥0.31005 ￥0.3975
5000+
￥0.29211 ￥0.3745

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型号：SMA5927A 编号：C330249

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.6085
50+
￥0.481
150+
￥0.4173
500+
￥0.3695
2500+
￥0.3312
5000+
￥0.3121

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型号：HZM4742AGS08 编号：C42389433

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管设计用于提供稳定的电压输出，其最大整流电流（IF）为0.2安培，在反向电压（VR）达到12伏特时能有效防止电流逆流。正向电压降（VF）仅为1.2伏特，有助于减少能量损耗。当处于非导通状态时，反向漏电流（IR）控制在微安级别（5微安），显示了良好的阻断性能。该二极管的最大功率耗散（PD）能力为1瓦特，适用于需要精确电压控制的小型电路中。