10.8V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：LL-41

这款LL-41封装稳压二极管，提供精确的12V稳定电压（VZ），具备较低反向电流IR仅为5uA，在21mA IZT条件下表现出卓越性能。最大耗散功率达1W，确保在各类大电流应用中实现高效、稳定的电压控制。专为需要高精度稳压及良好散热性能的电路设计，是电源系统和设备保护的理想选择。

10+
￥0.1241 ￥0.146
100+
￥0.09962 ￥0.1172
300+
￥0.08602 ￥0.1012
1000+
￥0.07786 ￥0.0916
5000+
￥0.06783 ￥0.0798
10000+
￥0.064005 ￥0.0753

有货

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型号：BZV55-B11,115 编号：C454947

封装：SOD-80C

品牌：Nexperia(安世)

11V 500mW

数据手册

5+
￥2.1539
50+
￥1.7018
150+
￥1.5081
500+
￥1.215744 ￥1.2664
2500+
￥1.095264 ￥1.1409
5000+
￥1.033248 ￥1.0763

有货

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型号：BZX384B11-E3-18 编号：C511526

封装：SC-76

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%；将“C”替换为“B”可实现±2%的公差。有AEC-Q101认证版本。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。基础产品编号E3：符合RoHS标准，商业级。基础产品编号HE3：符合RoHS标准，AEC-Q101认证

数据手册

10+
￥0.2934
100+
￥0.2348
300+
￥0.2055
1000+
￥0.1835
5000+
￥0.1659

有货

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型号：BZX84-B11,215 编号：C550906

封装：SOT-23(TO-236AB)

品牌：Nexperia(安世)

低功耗电压调节二极管，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管提供归一化E24的±1%、±2%和大约±5%公差范围。该系列包括37种击穿电压，标称工作电压从2.4 V到75 V。

数据手册

20+
￥0.2319
200+
￥0.1878
600+
￥0.1633
3000+
￥0.13248 ￥0.138
9000+
￥0.120192 ￥0.1252
21000+
￥0.113664 ￥0.1184

有货

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型号：BZX84B11 编号：C970341

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装工艺。应用：350mW 表面贴装齐纳二极管

数据手册

20+
￥0.1278 ￥0.142
200+
￥0.10107 ￥0.1123
600+
￥0.08622 ￥0.0958
3000+
￥0.07047 ￥0.0783
9000+
￥0.06273 ￥0.0697
21000+
￥0.05859 ￥0.0651

有货

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型号：BZT52B11 编号：C545388

封装：SOD-123

品牌：LGE(鲁光)

特性：平面芯片结构。“B”表示±2%的公差。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。应用：齐纳二极管。超小型表面贴装封装

数据手册

10+
￥0.12222 ￥0.1358
100+
￥0.09549 ￥0.1061
300+
￥0.08064 ￥0.0896
3000+
￥0.07047 ￥0.0783
6000+
￥0.06273 ￥0.0697
9000+
￥0.05859 ￥0.0651

有货

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型号：TZX11A-TAP 编号：C413440

封装：DO-35(DO-204AH)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。 AEC-Q101认证。应用：电压稳定

数据手册

5+
￥2.1745
50+
￥1.7652
150+
￥1.5897

有货

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型号：BZX384-B11,115 编号：C454990

封装：SOD-323(SC-76)

品牌：Nexperia(安世)

11V 300mW

数据手册

20+
￥0.2798
200+
￥0.2373
600+
￥0.2137
3000+
￥0.1995
9000+
￥0.1873
21000+
￥0.1807

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型号：HZMY12G 编号：C42389429

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管具备0.2A的正向电流(IF)承载能力，适用于需要稳定电压输出的电路设计。其反向工作电压(VR)为12V，确保了在该电压下能够提供可靠的性能。正向电压降(VF)为1.2V，意味着在导通状态下仅有较小的电压损失。反向漏电流(IR)控制在5μA以内，有助于维持电路的高效率。此外，最大功耗(PD)限制在1W，适合多种消费电子设备中的电源管理与保护应用。这些特性共同保证了器件在实际使用中的高效与可靠。

5+
￥0.30088 ￥0.3761
50+
￥0.29424 ￥0.3678
150+
￥0.28984 ￥0.3623
500+
￥0.28544 ￥0.3568

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型号：HZMY12GS08 编号：C42389413

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管提供0.2A的正向平均电流(IF)和12V的反向耐压(VR)，适用于需要稳定电压输出的各种电子设备。其正向电压降(VF)为1.2V，确保了在工作时能够维持所需的电压水平。该器件具有低至5μA的反向漏电流(IR)，表现出良好的绝缘特性。额定功耗(PD)为1W，适合于对功耗有一定要求的应用场景。此稳压二极管适用于多种消费电子产品中，以保障电路工作的可靠性和稳定性。

5+
￥0.325728 ￥0.4176
50+
￥0.318552 ￥0.4084
150+
￥0.313794 ￥0.4023
500+
￥0.309036 ￥0.3962

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型号：HZM4742AGS08 编号：C42389433

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管设计用于提供稳定的电压输出，其最大整流电流（IF）为0.2安培，在反向电压（VR）达到12伏特时能有效防止电流逆流。正向电压降（VF）仅为1.2伏特，有助于减少能量损耗。当处于非导通状态时，反向漏电流（IR）控制在微安级别（5微安），显示了良好的阻断性能。该二极管的最大功率耗散（PD）能力为1瓦特，适用于需要精确电压控制的小型电路中。