13.2V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

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描述

价格(含税)

库存

操作

型号：TZX14A-TAP 编号：C242000

封装：DO-35(DO-204AH)

品牌：VISHAY(威世)

14V,500mW

数据手册

10+
￥0.1825
100+
￥0.1586
300+
￥0.1467
1000+
￥0.1378
5000+
￥0.1306
10000+
￥0.127

有货

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型号：BZV55C13 编号：C545370

封装：SOD-80

品牌：LGE(鲁光)

特性：齐纳电压范围：2.0至75伏。 LL-34（Mini-MELF）封装。表面贴装器件类型。密封玻璃。压缩键合结构。所有外表面耐腐蚀，引脚易于焊接。符合RoHS标准。哑光镀锡（Sn）引脚表面处理。蓝色色带表示负极性

数据手册

20+
￥0.0992
200+
￥0.0773
600+
￥0.0651
2500+
￥0.0562
10000+
￥0.0499
20000+
￥0.0465

有货

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型号：ZM4742A 编号：C7471236

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款LL-41封装稳压二极管，提供精确的12V稳定电压（VZ），具备较低反向电流IR仅为5uA，在21mA IZT条件下表现出卓越性能。最大耗散功率达1W，确保在各类大电流应用中实现高效、稳定的电压控制。专为需要高精度稳压及良好散热性能的电路设计，是电源系统和设备保护的理想选择。

10+
￥0.15691 ￥0.1846
100+
￥0.124865 ￥0.1469
300+
￥0.107015 ￥0.1259
1000+
￥0.096305 ￥0.1133
5000+
￥0.08704 ￥0.1024
10000+
￥0.08211 ￥0.0966

有货

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型号：HZMY12G 编号：C42389429

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管具备0.2A的正向电流(IF)承载能力，适用于需要稳定电压输出的电路设计。其反向工作电压(VR)为12V，确保了在该电压下能够提供可靠的性能。正向电压降(VF)为1.2V，意味着在导通状态下仅有较小的电压损失。反向漏电流(IR)控制在5μA以内，有助于维持电路的高效率。此外，最大功耗(PD)限制在1W，适合多种消费电子设备中的电源管理与保护应用。这些特性共同保证了器件在实际使用中的高效与可靠。

5+
￥0.52608 ￥0.6576
50+
￥0.41584 ￥0.5198
150+
￥0.36072 ￥0.4509
500+
￥0.31944 ￥0.3993
2500+
￥0.28632 ￥0.3579
5000+
￥0.26984 ￥0.3373

有货

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型号：HZMY12GS08 编号：C42389413

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管提供0.2A的正向平均电流(IF)和12V的反向耐压(VR)，适用于需要稳定电压输出的各种电子设备。其正向电压降(VF)为1.2V，确保了在工作时能够维持所需的电压水平。该器件具有低至5μA的反向漏电流(IR)，表现出良好的绝缘特性。额定功耗(PD)为1W，适合于对功耗有一定要求的应用场景。此稳压二极管适用于多种消费电子产品中，以保障电路工作的可靠性和稳定性。

5+
￥0.569556 ￥0.7302
50+
￥0.450216 ￥0.5772
150+
￥0.390546 ￥0.5007
500+
￥0.345852 ￥0.4434
2500+
￥0.31005 ￥0.3975
5000+
￥0.29211 ￥0.3745

有货

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型号：SMA5927A 编号：C330249

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.6085
50+
￥0.481
150+
￥0.4173
500+
￥0.3695
2500+
￥0.3312
5000+
￥0.3121

有货

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型号：HZM4742AGS08 编号：C42389433

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管设计用于提供稳定的电压输出，其最大整流电流（IF）为0.2安培，在反向电压（VR）达到12伏特时能有效防止电流逆流。正向电压降（VF）仅为1.2伏特，有助于减少能量损耗。当处于非导通状态时，反向漏电流（IR）控制在微安级别（5微安），显示了良好的阻断性能。该二极管的最大功率耗散（PD）能力为1瓦特，适用于需要精确电压控制的小型电路中。