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2.5V 20A@8/20us

型号：AOZ8300CI-05 编号：C1978392

封装：SOT-23-6

是一款瞬态电压抑制器阵列，旨在保护高速数据线免受静电放电 (ESD) 和雷击的影响。该器件在单个封装中集成了八个浪涌额定、低电容转向二极管和一个 TVS。在瞬态条件下，转向二极管将瞬态引导至电源线的正端或接地。可用于满足 IEC 61000-4-2 4 级的 ESD 抗扰度要求。TVS 二极管可有效抑制 ESD 电压：±15 kV（空气放电）和 ±8 kV（接触放电）。采用无卤且符合 RoHS 标准的 SOT-23 封装，额定环境温度范围为 -40°C 至 +85°C。两种封装均与无铅和 SnPb 组装技术兼容。小尺寸、低电容和高 ESD 保护特性使其非常适合保护高速视频和数据通信接口。

数据手册

1+
￥0.9957
200+
￥0.3854
500+
￥0.3718
1000+
￥0.3651

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双向TVS 5V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：AOZ8224CI-05 编号：C1981190

封装：SOT-23-5L

AOZ8224是一款四线双向瞬态电压抑制二极管，旨在保护电压敏感型电子设备免受高瞬态条件和静电放电（ESD）的影响。

数据手册

1+
￥1.1351
10+
￥0.9033
30+
￥0.8039
100+
￥0.6799

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降压型 2A 4.75V~16V

型号：AOZ1046AI 编号：C20710

封装：SOIC-8

AOZ1046是一款高效的2A降压调节器,工作在4.75V至16V的输入电压范围内,提供高达2A的连续输出电流。内置130mΩ的PFET开关,最高效率可达95%,内置肖特基二极管。输出电压可调至0.8V,固定500kHz PWM操作,具有逐周期限流、短路保护、欠压锁定、输出过压保护和热关断功能。采用SO-8封装,工作温度范围为-40°C至+85°C。

数据手册

1+
￥2.99
10+
￥2.38
30+
￥2.11
100+
￥1.78
500+
￥1.64
1000+
￥1.55

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降压型 55A 2.5V~20V

型号：AOZ5311NQI 编号：C22441857

封装：QFN-31L(5x5)

是一款高效同步降压功率级模块，由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。MOSFET针对同步降压配置进行了单独优化。高端MOSFET经过优化，可实现低电容和栅极电荷，以实现低占空比操作下的快速开关。低端MOSFET具有超低导通电阻，可将传导损耗降至最低。使用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动，与3V和5V（CMOS）逻辑兼容，并支持三态PWM。提供了许多特性，使其成为一款高度通用的电源模块。自举开关集成在驱动器中。低端MOSFET可以驱动进入二极管仿真模式，以提供异步操作并改善轻载性能。引脚布局也针对低寄生效应进行了优化，将其影响降至最低。

1+
￥7.81
10+
￥7.63
30+
￥7.51
100+
￥7.39

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大电流、高性能DrMoS电源模块

型号：AOZ5311NQI_2 编号：C3615193

封装：PowerVFQFN-31

是一款高效同步降压功率级模块，由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。MOSFET针对同步降压配置进行了单独优化。高端MOSFET经过优化，可实现低电容和栅极电荷，以实现低占空比操作下的快速开关。低端MOSFET具有超低导通电阻，可将传导损耗降至最低。使用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动，与3V和5V（CMOS）逻辑兼容，并支持三态PWM。提供了许多特性，使其成为一款高度通用的电源模块。自举开关集成在驱动器中。低端MOSFET可以驱动进入二极管仿真模式，以提供异步操作并改善轻载性能。引脚布局也针对低寄生效应进行了优化，将其影响降至最低。

1+
￥4.74
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￥3.84
30+
￥3.39
100+
￥2.94
500+
￥2.68
1000+
￥2.54

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降压型 2A 4.5V~16V

型号：AOZ1016AI 编号：C41768

封装：SOP-8

AOZ1016是一款高效率、易于使用的2A降压稳压器。工作电压范围为4.5V至16V,提供高达2A的连续输出电流。内置130mΩ的PFET开关,最高效率可达95%。内置肖特基二极管,输出电压可调至0.8V。具有内部软启动、逐周期限流、短路保护、欠压锁定、输出过压保护和热关断功能。采用SO-8封装,工作温度范围为-40°C至+85°C。

数据手册

1+
￥7.38
10+
￥6.21
30+
￥5.63
100+
￥5.05
500+
￥4.47
1000+
￥4.29

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降压型 3A 6.5V~28V

型号：AOZ2250BQI-22 编号：C3188723

封装：QFN-22(4x4)

AOZ2250BQI-22 是一款高效、易于使用的 DC/DC 同步降压调节器,最高工作电压可达 28V。该设备能够提供 3A 的连续输出电流,输出电压可调至 3V ±1%。其特性包括宽输入电压范围（6.5V 至 28V）、3A 连续输出电流、低导通电阻内部 NFET、陶瓷电容器稳定性、可调软启动、集成自举二极管、逐周期限流、短路保护、输出过欠压保护和热关断。该器件采用 4mm x 4mm QFN-22L 封装,工作温度范围为 -40°C 至 +85°C。

1+
￥5.09
200+
￥1.97
500+
￥1.9
1000+
￥1.87

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降压型 20A 4.5V~28V

型号：AOZ2366QI 编号：C3189046

封装：QFN-28(5x5)

AOZ2366QI 是一款高效、易用的同步降压调节器,支持4.5V到28V的宽输入电压范围,能够提供20A的连续输出电流,输出电压可调至0.6V,具有低导通电阻的内部NFET,采用专有的恒定导通时间PWM控制技术,具有快速瞬态响应和相对恒定的开关频率。集成的纹波注入功能支持全陶瓷低ESR输出滤波电容器,减小PCB尺寸。可选的PFM模式优化轻载效率,强制PWM模式保持恒定频率,降低谐波噪声。内置自举二极管,具有多种保护功能,包括欠压锁定、逐周期限流、短路保护和热关断。采用5mm x 5mm QFN_28L封装,工作温度范围为-40°C到+85°C。

1+
￥11.97
200+
￥4.63
500+
￥4.47
1000+
￥4.39

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1个P沟道耐压:30V 电流:4A

型号：AO3401A 编号：C15127

封装：SOT-23

P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V

数据手册

10+
￥0.3687
100+
￥0.2949
300+
￥0.2569
3000+
￥0.2257
6000+
￥0.2147
9000+
￥0.2074

有货

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N沟道耐压:30V

型号：AO3400A 编号：C20917

封装：SOT-23-3L

N沟道,30V,5.7A,26.5mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.501
50+
￥0.4021
150+
￥0.3513
500+
￥0.3094
3000+
￥0.2948
6000+
￥0.2849

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:26A

型号：AOD409 编号：C36220

封装：TO-252-2(DPAK)

P沟道,-60V,-26A,55mΩ@-4.5V

数据手册

1+
￥2.78
10+
￥2.2
30+
￥1.92
100+
￥1.66
500+
￥1.41
1000+
￥1.36

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:40A

型号：AOD4185 编号：C400894

封装：TO-252(DPAK)

P沟道 -40V -40A

数据手册

5+
￥2.3941
50+
￥1.9021
150+
￥1.6619
500+
￥1.4477
2500+
￥1.2225
5000+
￥1.1871

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.3A

型号：AO3407A 编号：C15155

封装：SOT-23

P沟道,-30V,-4.3A,48mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.6258
50+
￥0.516
150+
￥0.4595
500+
￥0.413
3000+
￥0.3587
6000+
￥0.3477

有货

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1个N沟道耐压:30V

型号：AON7544 编号：C315567

封装：DFN-8(3x3)

N沟道,30V,30A

数据手册

5+
￥0.7697
50+
￥0.6185
150+
￥0.5408
500+
￥0.4767
2500+
￥0.4544
5000+
￥0.4392

有货

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降压型 1.2A 4.5V~36V

型号：AOZ1282CI 编号：C111916

封装：SOT-23-6

AOZ1282CI是一款高效率、易于使用的1.2A降压调节器,输入电压范围为4.5V至36V,输出电压可调至0.8V,固定450kHz PWM开关频率,内置420mΩ NMOS开关,具有内部补偿、短路保护、过温关断等功能。

数据手册

1+
￥2.92
10+
￥2.3
30+
￥2.04
100+
￥1.71
500+
￥1.56
1000+
￥1.47

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:13A 50A

型号：AOD4184A 编号：C99124

封装：TO-252

AOD4184A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。

数据手册

5+
￥2.0436
50+
￥1.6174
150+
￥1.4093
500+
￥1.2236
2500+
￥1.0507
5000+
￥1.02

有货

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1个N沟道耐压:30V

型号：AO3402 编号：C14385

封装：SOT-23

N沟道,30V,4A,55mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.5267
50+
￥0.4259
150+
￥0.3755
500+
￥0.3377
3000+
￥0.2715
6000+
￥0.2563

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:34A

型号：AONR21357 编号：C431196

封装：DFN-8(3x3)

P沟道

数据手册

5+
￥2.0544
50+
￥1.6182
150+
￥1.4312
500+
￥1.0923
2500+
￥0.9884
5000+
￥0.9261

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:58A

型号：AOD66923 编号：C485687

封装：TO-252

Trench Power AlphaSGTTM技术。低RDS(ON)。逻辑电平驱动。出色的QG x RDS(ON)乘积（FOM）。尖峰优化工艺。符合RoHS和无卤标准

数据手册

1+
￥3.98
10+
￥3.25
30+
￥2.88
100+
￥2.52
500+
￥2.19
1000+
￥2.08

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:5A

型号：AO3415A 编号：C133233

封装：SOT-23

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.0V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。

数据手册

5+
￥0.6501
50+
￥0.5242
150+
￥0.4612
500+
￥0.414
3000+
￥0.339
6000+
￥0.3201

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：AO3404A 编号：C30010

封装：SOT-23

N沟道,30V,5A,32mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.6531
50+
￥0.509
150+
￥0.437
500+
￥0.383
3000+
￥0.3398
6000+
￥0.3182

有货

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产地：重庆 1个P沟道耐压:30V

型号：AO4407C 编号：C469397

封装：SOIC-8

数据手册

5+
￥0.9841
50+
￥0.7797
150+
￥0.6922
500+
￥0.5829
3000+
￥0.5101
6000+
￥0.4809

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:12A

型号：AO4407A 编号：C16072

封装：SOIC-8

P沟道,-30V,-12A,13mΩ@-10V

数据手册

5+
￥1.2896
50+
￥1.0376
150+
￥0.9296
500+
￥0.7949
3000+
￥0.6461
6000+
￥0.61

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:2.6A

型号：AO3403 编号：C47741

封装：SOT-23

P沟道,-30V,-2.6A,115mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.6305
50+
￥0.5033
150+
￥0.4396
500+
￥0.3919
3000+
￥0.3403
6000+
￥0.3212

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:10A

型号：AO4485 编号：C51499

封装：SOIC-8

P沟道,-40V,-10A,15mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.0091
50+
￥1.5874
150+
￥1.4067
500+
￥1.1813
3000+
￥1.0809
6000+
￥1.0207

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:85A

型号：AON6278 编号：C431186

封装：PDFN-8(5.8x4.9)

数据手册

1+
￥7.26
10+
￥6.04
30+
￥5.38
100+
￥4.63
500+
￥4.29
1000+
￥4.14

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:10A

型号：AO3422 编号：C37130

封装：SOT-23

N沟道,55V,2.1A,160mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.4745
50+
￥0.4643
150+
￥0.4575
500+
￥0.4506

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:16A

型号：AON7934 编号：C485677

封装：DFN-8(3x3)

数据手册

5+
￥1.2226
50+
￥0.9497
150+
￥0.8327
500+
￥0.6867
2500+
￥0.6218
5000+
￥0.5828

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:12A

型号：AOD407 编号：C75092

封装：TO-252

AOD407采用先进的沟槽技术，可实现出色的 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{ON})}$、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK封装出色的热阻特性，该器件非常适合大电流负载应用。

数据手册

5+
￥1.4064
50+
￥1.2481
150+
￥1.1803
500+
￥1.0957
2500+
￥0.942
5000+
￥0.9193

有货

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1个P沟道耐压:30V

型号：AOD403 编号：C28969

封装：TO-252

P沟道,-30V,-70A,8mΩ@-10V

数据手册

1+
￥2.48
10+
￥1.96
30+
￥1.74
100+
￥1.46
500+
￥1.18
1000+
￥1.11

有货

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