DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXFN120N65X2 编号：C24785928

封装：SOT-227

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：国际标准封装-miniBLOC，带氮化铝隔离。隔离电压 2500V。高电流处理能力。快速本征二极管。雪崩额定。低 RDS(on)。应用：开关模式和谐振模式电源。 DC-DC 转换器

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￥314.14
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￥300.58

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型号：TLP124(BV-TPL,F) 编号：C7083

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP124是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压：最小80 V

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￥8.99
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￥7.2
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型号：BCW252 编号：C5348926

封装：DIP-8

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：3mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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￥9.063 ￥9.54
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￥7.4955 ￥7.89
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￥6.631 ￥6.98
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￥5.662 ￥5.96
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￥5.225 ￥5.5
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￥5.035 ￥5.3

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型号：HCPL-0500-500E 编号：C2938991

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用，在IF = 16mA时，电流传输比（CTR）最低为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最低为19%。

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￥9.49
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￥7.98
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￥7.15
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￥5.8374 ￥6.21
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￥4.5308 ￥4.82
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￥4.3522 ￥4.63

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型号：XR76112ELTR-F 编号：C2073230

封装：QFN-30(5x5)

品牌：MaxLinear(迈凌)

XR76108和XR76112是同步降压稳压器，将控制器、驱动器、自举二极管和MOSFET集成在一个封装中，用于负载点电源。XR76108的负载电流额定值为8A，XR76112的负载电流额定值为12A。4.5V至22V的宽输入电压范围允许由行业标准的5V、12V和19.6V电源轨进行单电源供电

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￥9.96
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￥9.14
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￥8.62
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￥7.084 ￥7.7
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￥6.8632 ￥7.46
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￥6.7712 ￥7.36

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型号：CNY65B 编号：C118289

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

CNY64、CNY65 和 CNY66 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 4 引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，为满足最高安全要求，输入和输出之间的间距大于 3 mm。

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￥10.53
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￥8.82
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￥7.21

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型号：V25PN60-M3/86A 编号：C241918

封装：TO-277A

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形：典型高度为1.1mm。适合自动贴装。沟槽MOS肖特基技术。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合MSL 1级，根据J-STD-020，LF最高峰值为260°C。应用：用于低压高频DC/DC转换器、续流和极性保护应用

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￥10.94
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￥9.21
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￥8.13

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型号：LM25116MHX/NOPB 编号：C390951

封装：HTSSOP-20-EP

品牌：TI(德州仪器)

LM25116 是一款宽范围同步降压控制器,适用于从高电压或广泛变化的输入电源进行降压调节。该控制器基于电流模式控制方法,支持标准或逻辑电平 MOSFET 驱动,具有 3.5 A 峰值栅极驱动能力,支持自由运行或同步操作至 1MHz。可选的二极管仿真模式可在轻负载条件下提高效率。

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￥12.5
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￥10.54
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￥9.31
100+
￥8.26
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￥7.69

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型号：CNY66 编号：C962625

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管组成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离大于3mm，满足最高安全要求。

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￥14.75
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￥12.4
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￥10.92
100+
￥9.2316 ￥9.42
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￥8.5554 ￥8.73
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￥8.2712 ￥8.44

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型号：HCPL-0370-500E 编号：C692007

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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￥15.01
10+
￥12.82
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￥11.46
100+
￥8.7906 ￥8.97
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￥8.1732 ￥8.34
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￥7.8988 ￥8.06

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型号：HR1000AGS-Z 编号：C3093872

封装：SOIC-16

品牌：MPS(芯源)

HR1000A是一款专门为谐振半桥拓扑设计的控制器。它提供两个驱动信号通道，以50%的占空比输出互补信号。两个互补栅极信号之间350ns的内部固定死区时间，可确保瞬态期间的零电压开关，并支持高频操作。集成的自举二极管简化了高端开关的外部驱动电路。它能够承受高达600V的电压，并具备抗高dV/dt噪声的能力。通过调制开关频率来调节拓扑输出电压。可编程振荡器可以设置最大和最小开关频率。该IC以编程设定的最大开关频率启动，然后逐渐降低频率，直到控制环路接管，以防止过大的浪涌电流。在轻载情况下，该IC可强制进入受控的间歇模式运行，以最小化功耗并加强输出调节。保护功能（包括锁存关断、自动恢复、欠压保护和过温保护）提高了转换器设计的安全性，且不会增加额外的电路复杂性。该IC为高端和低端栅极驱动器均提供1.5A/2A的源/灌电流能力。HR1000A采用SO - 16封装。

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￥21.2186
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￥18.1054
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￥16.8766
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￥14.4188
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￥11.0599
3000+
￥10.7322

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型号：ACPL-K64L-560E 编号：C961431

封装：SO-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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￥27.17
10+
￥23.02
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￥20.56
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￥18.07
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￥16.92
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￥16.4

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型号：RB521S30T1G(MS) 编号：C22399254

封装：SOD-523

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款肖特基采用SOD-523封装,正向压降(Vf):500mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,平均整流电流(Io):200mA由于其小尺寸、低正向电压特性和较高的浪涌能力，可适用于各种需要高效能、高频开关和/或电压钳位的应用，如DC-DC转换器、电池保护电路、电压调节模块、便携式电子设备等满足你的电路设计需求