DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

特性：UL认证，文件编号#E313149。适合自动贴装。高浪涌电流能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值为260℃。应用：开关电源、照明镇流器、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用中的AC/DC桥式全波整流通用用途

数据手册

5+
￥1.1333
50+
￥0.9211
150+
￥0.8302
500+
￥0.7168

有货

立即购买

型号：ICL7660AIBAZ 编号：C42421898

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

ICL7660AIBAZ是采用CMOS工艺制造的单片DC/DC电压转换集成电路。具有反转、倍压、分压及多倍电压输出。可在1.5V~10V范围内稳定工作，且在整个温度范围内无需外加任何二极管。

5+
￥1.1562
50+
￥0.9139
200+
￥0.81
500+
￥0.6804
2500+
￥0.6227
5000+
￥0.588

有货

立即购买

型号：HBR10200YS 编号：C7428005

封装：TO-252

特性：低正向压降，实现高效率。低漏电流，确保高可靠性。高正向浪涌能力，保障高可靠性。应用：高频逆变器。 AC/DC 转换器

5+
￥1.2179
50+
￥0.9563
150+
￥0.8442
500+
￥0.7043
2500+
￥0.6421
5000+
￥0.6047

有货

立即购买

型号：TLP785(BL,F 编号：C115022

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。

数据手册

5+
￥1.2878
50+
￥1.0106
200+
￥0.8534
500+
￥0.7052
2000+
￥0.6392
4000+
￥0.5996

有货

立即购买

型号：YBSM4010 编号：C405312

封装：YBS3

特性：适合自动贴装。高浪涌电流能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260°C。应用：开关电源、照明镇流器、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用中的通用AC/DC桥式全波整流

数据手册

5+
￥1.2889
50+
￥1.0355
150+
￥0.9269
500+
￥0.7914

有货

立即购买

型号：HBR30200YS 编号：C7428012

封装：TO-252

特性：低正向压降，实现高效率。低漏电流，保障高可靠性。高正向浪涌能力，确保高可靠性。应用：高频逆变器。AC/DC 转换器

5+
￥1.3962
50+
￥1.0737
150+
￥0.9354
500+
￥0.7629

有货

立即购买

型号：MCR10L300FCT 编号：C7428100

封装：TO-220F

特性：低正向压降，高效能。低功耗，高可靠性。高正向浪涌能力，高可靠性。高频操作。符合RoHS 2011/65/EU标准。应用：高频逆变器。开关电源AC/DC转换器

5+
￥1.4217
50+
￥1.3171
150+
￥1.2352
500+
￥1.133

有货

立即购买

型号：PS2801C-1-F3 编号：C133872

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

这些产品为光耦合隔离器，在塑料SSOP封装中集成了一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅光电晶体管，适用于高密度应用，具备出色的性价比。该封装具有屏蔽作用，可阻隔环境光。

数据手册

5+
￥1.4508
50+
￥1.1333
150+
￥0.9972
500+
￥0.8274
3500+
￥0.7518
7000+
￥0.7064

有货

立即购买

型号：HBR20150YS 编号：C7428007

封装：TO-252

特性：低正向压降，实现高效率。低漏电流，具有高可靠性。高正向浪涌能力，具备高可靠性。应用：高频逆变器。 AC/DC 转换器

5+
￥1.4549
50+
￥1.1424
150+
￥1.0085
500+
￥0.8414

有货

立即购买

型号：SS210-E3/52T 编号：C968638

封装：SMB(DO-214AA)

特性：低外形封装。适合自动贴片。过压保护保护环。低功率损耗，高效率。低正向压降。高浪涌能力。应用：用于低压高频逆变器、续流、DC/DC转换器和极性保护应用

数据手册

5+
￥1.5854
50+
￥1.2672
150+
￥1.1309
750+
￥0.91276 ￥0.9608
2250+
￥0.84075 ￥0.885
5250+
￥0.79762 ￥0.8396

有货

立即购买

型号：FOD817D3SD 编号：C365734

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.5928
50+
￥1.2667
150+
￥1.1269
1000+
￥0.9525
2000+
￥0.8749
5000+
￥0.8283

有货

立即购买

型号：SK6648D 编号：C2986198

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：suntek(洺太电子)

SK6648是一款1.5MHz常频、高效率的电流模式降压转换器,集成了主开关和同步整流器,无需外部肖特基二极管。适用于由单节锂离子电池供电的便携设备。输出电压可低至0.6V,支持100%占空比低dropout操作,延长便携系统电池寿命。提供PWM和PFM两种操作模式,确保在宽负载范围内高效运行。具备短路保护、过温保护、输入过压保护等功能。

数据手册

5+
￥1.647
50+
￥1.2841
150+
￥1.1286
500+
￥0.9345
3000+
￥0.8151
6000+
￥0.7632

有货

立即购买

型号：6N138M 编号：C3001991

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极，该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管，具有不同的引脚成型选项。光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容，与传统光电晶体管光耦合器相比，速度提高了几个数量级。

数据手册

5+
￥1.6598
50+
￥1.3013
160+
￥1.1477
480+
￥0.956
2400+
￥0.8707
4800+
￥0.8194

有货

立即购买

型号：MBRM120LT1G 编号：C32150

封装：DO-216AA

品牌：onsemi(安森美)

肖特基POWERMITE采用肖特基势垒原理，结合势垒金属和外延结构，实现了正向电压降和反向电流的最佳平衡。先进的封装技术提供了高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热片设计，POWERMITE的热性能与SMA相同，同时占地面积小50%，高度低于1.1mm，是行业内高度较低的产品之一。由于其尺寸小，非常适合用于便携式和电池供电的产品。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电池反接保护以及多个电源电压的“或”操作，以及任何对性能和尺寸要求严格的应用。

数据手册

5+
￥1.7768
50+
￥1.3388
150+
￥1.1511
500+
￥0.9169
3000+
￥0.8126
6000+
￥0.75

有货

立即购买

型号：RT8068AZQW 编号：C55803

封装：WDFN-10-EP(3x3)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8068A是一款高效率同步降压转换器,输入电压范围为2.7V至5.5V,可提供0.6V至Vin的可调输出电压,最大输出电流为3A。内部同步低导通电阻开关提高效率并消除对外部肖特基二极管的需求。开关频率固定为1MHz,100%占空比提供低dropout操作,延长电池寿命。具有多种保护功能,包括过流保护、欠压保护、过压保护和过温保护。

数据手册

5+
￥1.9081
50+
￥1.4848
150+
￥1.3033
1500+
￥1.0517
3000+
￥0.9509
4500+
￥0.8905

有货

立即购买

型号：H11L1S(TA) 编号：C78589

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：EVERLIGHT(亿光)

由GaAs红外发光二极管和高速集成电路探测器光耦合组成。输出探测器集成施密特触发器，提供迟滞以实现抗噪和脉冲整形。采用6引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选。

数据手册

5+
￥1.9431
50+
￥1.5141
150+
￥1.3303
1000+
￥1.09466 ￥1.117
2000+
￥0.994602 ￥1.0149
5000+
￥0.934528 ￥0.9536

有货

立即购买

型号：SFH6156-4T 编号：C118294

封装：SMD-4P

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料贴片封装。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

数据手册

5+
￥1.9841
50+
￥1.5663
150+
￥1.3872
1000+
￥1.0546
2000+
￥0.9551

有货

立即购买

型号：SP2045L-C 编号：C20199378

封装：TO-277B

品牌：DOWO(东沃)

特性：优秀的高温稳定性。低正向电压。低功耗/高效率。高正向浪涌能力。适合自动贴片。符合 RoHS 指令 2011/65/EU，符合 WEEE 2002/96/EC。应用：高频微型开关电源，如适配器、照明和板载 DC/DC 转换器

5+
￥2.1119
50+
￥1.6583
150+
￥1.4639
500+
￥1.2214
2500+
￥1.1134

有货

立即购买

型号：SFH690BT 编号：C335248

封装：SOP-4-2.54mm

该系列有GaAs红外发射二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用4引脚100密耳引脚间距的迷你扁平封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

数据手册

5+
￥2.2594
50+
￥1.7832
150+
￥1.5791

有货

立即购买

型号：PS2705-1-F3-A 编号：C367377

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2705 - 1是一款光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN型硅光电晶体管。该封装为SOP（小外形封装）类型，具有屏蔽效果，可阻隔环境光。

数据手册

5+
￥2.326
50+
￥1.844
150+
￥1.6374
500+
￥1.2942

有货

立即购买

型号：SFH615A-3 编号：C500641

封装：DIP-4

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，该发射器与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠使用。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

数据手册

1+
￥2.56
10+
￥1.94
30+
￥1.67
100+
￥1.3034 ￥1.33
500+
￥1.1662 ￥1.19
1000+
￥1.078 ￥1.1

有货

立即购买

型号：GBU1504 编号：C698517

封装：GBU

特性：UL认证，文件编号#E230084。适用于印刷电路板。高浪涌电流能力。浸焊温度最高275℃，7秒，符合JESD 22-B106标准。应用：用于显示器、电视、打印机、电源、开关电源、适配器、音频设备和家用电器的通用AC/DC桥式全波整流

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.29
40+
￥1.8
100+
￥1.53
500+
￥1.41

有货

立即购买

型号：AT3H74-CuH-S 编号：C20612701

封装：SSOP-16

品牌：AOTE(奥特)

AT3H74是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。十六引脚封装 ( SSOP16)。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、复印机、家用电器（空调、风扇、热水器等）。

1+
￥2.8796 ￥3.13
10+
￥2.2816 ￥2.48
30+
￥2.024 ￥2.2
100+
￥1.702 ￥1.85
500+
￥1.5548 ￥1.69
1000+
￥1.472 ￥1.6

有货

立即购买

型号：KBJ410A 编号：C20601311

封装：4KBJ