DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：6N136S 编号：C20612603

封装：SMD-8P

6N136S是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个850nm的AlGaAs LED光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等。

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￥1.67508 ￥1.8612
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￥1.33488 ￥1.4832
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￥0.8775 ￥0.975

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型号：VSSAF5M10-M3/H 编号：C5241914

封装：DO-221AC

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形。典型高度为 0.95mm，适合自动贴装。沟槽 MOS 肖特基技术。低功耗，高效率。低正向压降。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级，LF 最大峰值为 260℃。应用：用于高频逆变器、续流、DC/DC 转换器以及商业、工业和汽车应用中的极性保护

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￥1.6855
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￥1.3579
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￥0.950784 ￥0.9904
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￥0.875904 ￥0.9124
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￥0.83088 ￥0.8655

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型号：RD8UB100 编号：C20603155

封装：D3K

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：UL认证，文件编号#E230084。玻璃钝化芯片结。适用于印刷电路板。高浪涌电流能力。浸焊最高275℃，最长7秒，符合JESD 22-B106。应用：显示器、电视、打印机、电源、开关电源、适配器、音频设备和家用电器的AC/DC桥式全波整流通用用途

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￥1.8852
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￥1.5161
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￥1.1606

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型号：ACPL-217(AT) 编号：C48686290

封装：SSOP-4

品牌：AOTE(奥特)

ACPL-217(AT)是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装 ( SSOP4)。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。

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￥1.8957
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￥1.4925
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￥1.3197
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￥0.9504

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型号：SDM40E20LSQ-7-F 编号：C526767

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

特性：极低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。高电导率。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。应用：DC-DC 转换器。移动通讯

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￥2.2966
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￥1.8289
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￥1.6284
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￥1.3783

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型号：GBU610A 编号：C698534

封装：GBU

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：UL认证，文件编号E230084。适用于印刷电路板。高浪涌电流能力。最高浸焊温度275℃，持续7秒，符合JESD 22-B106标准。应用：用于显示器、电视、打印机、电源、开关电源、适配器、音频设备和家用电器的通用AC/DC桥式全波整流

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￥2.3559
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￥1.7941
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￥1.6036
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型号：TP6841S6-1 编号：C5310934

封装：SOT-23-6L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

TP6841S6是一款同步降压转换器,输入电压范围为4.5V至40V,最大输出电流为800mA,开关频率为800kHz。该芯片具有高效率、内置两个N通道MOSFET、无需外部肖特基二极管、斜坡补偿电流模式控制、稳定的低ESR陶瓷输出电容器、输入欠压锁定、短路保护、热关断、浪涌电流限制和软启动等功能。工作温度范围为-40°C至+125°C,采用6引脚SOT23-6L封装。

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￥2.42
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￥1.84
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型号：FODM121CR2V 编号：C903699

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动光电晶体管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。

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￥2.47
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￥1.92
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￥1.68
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￥1.38
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型号：TCMT1108 编号：C3014154

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚封装。元件安装在一个引线框架上，为最高安全要求提供输入和输出之间的固定距离。

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￥2.79
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￥2.11
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￥1.82
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￥1.46
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型号：VOS617A-7X001T 编号：C2925139

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

具有GaAs红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在4引脚、50密耳引脚间距的微型扁平封装中。它具有在低输入电流下的高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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￥2.85
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￥2.06
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￥1.77
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型号：MS14010ADDCR 编号：C49375285

封装：SOT-23-6

品牌：MSKSEMI(美森科)

是一款电流模式单片降压开关稳压器。工作输入范围为 4.5V ~ 40V，可通过两个集成 N 沟道 MOSFET 提供 800mA 的连续输出电流。内部同步电源开关无需使用外部肖特基二极管即可实现高效率。在轻负载下，稳压器以低频运行，以保持高效率和低输出纹波。电流模式控制提供了严格的负载瞬态响应和逐周期电流限制。具备短路保护、热保护、电流失控保护和输入欠压锁定功能，确保了稳定性。采用 6 引脚 SOT23-6 封装，使用最少的外部组件即可提供紧凑的解决方案。

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￥2.91
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￥1.73
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￥1.5

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型号：MS6841 编号：C49375287

封装：SOT-23-6

品牌：MSKSEMI(美森科)

是一款电流模式单片降压开关稳压器。工作输入范围为 4.5V 至 40V，通过两个集成 N 沟道 MOSFET 提供 800mA 连续输出电流。内部同步功率开关无需外部肖特基二极管即可实现高效率。在轻载时，稳压器以低频运行，以保持高效率和低输出纹波。电流模式控制提供紧密的负载瞬态响应和逐周期电流限制。具备短路保护、热保护、电流失控保护和输入欠压锁定功能，保证了稳定性。采用 6 引脚 SOT23-6 封装，提供了一种使用最少外部组件的紧凑解决方案。

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型号：4N25SR2M 编号：C44165

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：TCMT1103 编号：C553971

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管与一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用4引脚封装。元件安装在一个引线框架上，为最高安全要求提供输入和输出之间的固定距离。

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￥3.13
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￥2.18
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型号：DF02S-E3/77 编号：C3008900

封装：DF-S

品牌：VISHAY(威世)

特性：UL认证，文件编号E54214。适合自动贴装。高浪涌电流能力。符合J-STD-020的MSL 1级，无铅最高峰值260°C。应用：开关电源、照明镇流器、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用中的通用AC/DC桥式全波整流

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￥3.19
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￥2.54
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￥2.27
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￥1.92
500+
￥1.76
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￥1.67

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型号：LTV-M501 编号：C2944048

封装：SOP-5-175mil

品牌：LITEON(光宝)

LTV - M501系列由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种独特的设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。为光电二极管加偏置的连接方式通过减小基极 - 集电极电容，提高了其相对于传统光电晶体管耦合器的速度

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￥3.22
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￥2.28
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￥1.66

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型号：H11L1SR2M 编号：C20082

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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￥3.49
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￥2.73
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￥2.41
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￥2
500+
￥1.7
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￥1.6

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型号：MOCD217M 编号：C258262

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD217M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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￥3.76
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￥3.04
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￥2.44
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￥2.08
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￥1.76

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型号：LM2575S-3.3 编号：C880732

封装：TO-263-5

品牌：Slkor(萨科微)

是专为“降压”或“降压/升压”调节器应用而设计的单片集成电路，可在输入电压、负载和温度的综合变化下提供精确的输出电压。该系列极大地简化了开关电源的设计。包括一个开关调节器和补偿网络，都封装在同一个封装内。只需添加一个扼流圈、一个续流二极管和两个电容器，即可获得高效的直流到直流转换器。具有限流和热关断功能，可充分保护设备免受过应力条件的影响。与流行的三端线性稳压器相比，提供更高的效率并减小散热器尺寸。在许多应用中不需要散热器。

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1+
￥3.77
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￥3.03
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￥2.66
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￥2.3
500+
￥2.01
800+
￥1.9

有货

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型号：LM2575S-ADJ 编号：C880734

封装：TO-263-5

品牌：Slkor(萨科微)

是专为“降压”或“降压/升压”调节器应用而设计的单片集成电路，可在输入电压、负载和温度的综合变化下提供精确的输出电压。该系列极大地简化了开关电源的设计。包括一个开关调节器和补偿网络，都封装在同一个封装内。只需添加一个扼流圈、一个续流二极管和两个电容器，即可获得高效的直流到直流转换器。具有限流和热关断功能，可充分保护设备免受过应力条件的影响。与流行的三端线性稳压器相比，提供更高的效率并减小散热器尺寸。在许多应用中不需要散热器。

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1+
￥3.96
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￥3.27
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￥2.92
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￥2.58
500+
￥2.19
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￥2.09

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型号：PC365NJ0000F 编号：C3015397

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：SHARP(夏普)

包含一个与光电晶体管光耦合的红外发射二极管。它采用4引脚迷你扁平封装。低输入电流类型。输入-输出隔离电压（rms）为3.75kV，在输入电流为0.5mA时，电流传输比（CTR）最小为600%。

数据手册

1+
￥4.29
10+
￥3.43
30+
￥3.01
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￥2.58
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￥2.33
1000+
￥2.2

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型号：ILD211T 编号：C17290411

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 是由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件能够传输包含直流电平的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 采用标准的 SOIC - 8 小外形表面贴装封装，非常适合空间有限的高密度应用

1+
￥4.39
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￥3.88
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￥3.63
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￥3.2352 ￥3.37
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￥3.0912 ￥3.22
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￥3.0144 ￥3.14

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型号：BCW214A 编号：C5348925

封装：SMD-8P

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：3mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

数据手册

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￥5.111 ￥5.38
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￥4.579 ￥4.82
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￥4.2845 ￥4.51
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￥3.9615 ￥4.17
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￥3.8095 ￥4.01
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￥3.743 ￥3.94

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型号：NRVTSS5100ET3G 编号：C556398

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：精细光刻沟槽式肖特基技术，实现极低正向电压和低泄漏。快速开关，具有出色的温度稳定性。低功耗和较低的工作温度。更高的效率，以符合法规要求。高浪涌能力。 NRV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力。应用：开关电源，包括无线、智能手机和笔记本电脑适配器。高频和 DC-DC 转换器

数据手册

1+
￥5.41
10+
￥4.86
30+
￥4.56
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￥4.22
500+
￥4.07
1000+
￥4

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型号：SFH6286-3T 编号：C144899

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。该版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

数据手册

1+
￥5.48
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￥4.57
30+
￥4.12
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￥3.67
500+
￥3.12
1000+
￥2.98

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型号：LTV-063L 编号：C571215

封装：SOP-8

品牌：LITEON(光宝)

该系列由高效的铝镓砷发光二极管和高速光电探测器组成。这种设计在光耦合器的输入和输出侧之间提供了出色的交流和直流隔离。光探测器的输出采用集电极开路肖特基钳位晶体管。使能功能允许对光探测器进行选通。内部屏蔽确保了高共模瞬态抗扰度。在3.3V时，保证的共模瞬态抗扰度高达10kV/μs。光耦合器的工作参数在-40°C至+85°C的温度范围内得到保证。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。

数据手册

1+
￥5.82
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￥4.73
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￥4.19
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￥3.66
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￥3.05
1000+
￥2.89

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型号：HCPL-0314-500E 编号：C545691

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

数据手册

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￥6.41
10+
￥5.25
30+
￥4.62
100+
￥3.822 ￥3.9
500+
￥3.5084 ￥3.58
1500+
￥3.3712 ￥3.44

有货

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型号：HCPL-0453-500E 编号：C692009

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

数据手册

1+
￥6.65
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￥5.38
30+
￥4.74
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￥4.11
500+
￥3.69
1500+
￥3.49

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型号：TLP2161(TP,F) 编号：C516860

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2161由一个高输出红外LED与一个高速光电二极管 - 晶体管芯片耦合而成。它采用SO8封装。单个SO8封装内集成了两个电路，可减小安装面积

数据手册

1+
￥6.66
10+
￥5.46
30+
￥4.8
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￥4.06
500+
￥3.73
1000+
￥3.58

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型号：SIC631CD-T1-GE3 编号：C2653465

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC631 是用于同步降压应用的集成电源级解决方案,提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用 Vishay 的第四代 MOSFET 技术和低侧 MOSFET,支持高达 50A 的连续电流。支持高达 2MHz 的高频操作,优化了开关和传导损耗。内置先进的 MOSFET 栅极驱动器 IC,具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成的 Bootstrap 肖特基二极管和零电流检测功能,以提高轻载效率。支持多种 PWM 控制器,包括 PS4 模式和 5V PWM 逻辑。

数据手册

1+
￥7.95
10+
￥7.22
30+
￥6.82
100+
￥4.3953 ￥6.37
500+
￥4.2573 ￥6.17
1000+
￥4.1883 ￥6.07

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