DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMD-4P

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400V_RMS 或直流的工作电压下的加强绝缘。

数据手册

5+
￥1.9641
50+
￥1.5397
200+
￥1.3577
500+
￥1.108184 ￥1.1308
2500+
￥1.009106 ￥1.0297
4000+
￥0.94962 ￥0.969

有货

立即购买

型号：TLP290(V4GBTP,SE 编号：C603060

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合，可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO4封装，保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合IC。

数据手册

5+
￥1.9729
50+
￥1.5157
150+
￥1.3197
500+
￥1.0262
2500+
￥0.9174

有货

立即购买

型号：VOM617A-3T 编号：C5369219

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定的VOM617A具有一个砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装。其特点是电流传输比高、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

数据手册

5+
￥1.977
50+
￥1.5461
150+
￥1.3615
500+
￥1.074545 ￥1.1311
3000+
￥0.977075 ￥1.0285
6000+
￥0.91865 ￥0.967

有货

立即购买

型号：TP6327GS6-A 编号：C2901328

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

TP6327GS6A 是一款全集成的高效同步降压转换器,具有高达95%的效率。该器件支持PWM和PFM模式,无需外部肖特基二极管,工作频率为600kHz。输入电压范围为3.5V至18V,最大输出电流为3A。适用于分布式电源系统、数字机顶盒、平板电视和显示器、笔记本电脑、无线和DSL调制解调器等应用。

数据手册

5+
￥2.2139
50+
￥1.7603
150+
￥1.5659
500+
￥1.3234
3000+
￥1.1134
6000+
￥1.0485

有货

立即购买

型号：SS2PH9HM3_A/H 编号：C3757318

封装：DO-220AA(SMP)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形-典型高度为1.0mm。适合自动贴装。低正向压降，低功率损耗。高效率。低热阻。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：用于高频逆变器、续流、DC/DC转换器和极性保护应用

5+
￥2.2864
50+
￥1.7899
150+
￥1.5772
500+
￥1.246115 ￥1.3117
2500+
￥1.133825 ￥1.1935
5000+
￥1.06647 ￥1.1226

有货

立即购买

型号：CLR6204SQA 编号：C2995684

封装：SOP-8

品牌：CHIPLINK(芯联)

CLR62XXSQA是一款内置N型功率MOSFET的同步整流控制器，适用于DCM和QR工作模式的电源系统，用于替换反激系统中次级整流肖特基二极管。内置电压降极低的功率MOSFET以提高系统效率并降低同步整流芯片温度。内置MOSFET工作在开关状态，当芯片检测到VSW < -300mV时MOSFET打开，当芯片检测到VSW > -5mV时MOSFET关闭。

数据手册

5+
￥2.4893
50+
￥1.9953
150+
￥1.7837
500+
￥1.4608
2500+
￥1.3432
4000+
￥1.2726

有货

立即购买

型号：OB3379ZCPA-D 编号：C22379558

封装：SOP-8

品牌：OB(昂宝)

是一款高效的LED驱动器，适用于白光LED照明和背光。内置准谐振控制方法的降压DC/DC转换器。控制器采用峰值电流模式控制方案和内部跨导放大器，可在较宽的输入和负载条件下精确控制输出电流。跨导放大器参考由内部参考电压设置，该电压由ADIM引脚的输入和HPWM引脚的占空比决定。提供全面的保护功能，可在各种故障条件下保护系统，如二极管和电感短路保护、CS开路保护、LED+/LED-短路保护、LED开环保护、过温保护（OTP）。逐周期电流限制功能可限制流过外部MOSFET的最大电流。采用SOP8封装。

1+
￥2.73
10+
￥2.12
30+
￥1.86
100+
￥1.53
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

有货

立即购买

型号：MSLMR14010ADDCR 编号：C49375284

封装：SOT-23-6

品牌：MSKSEMI(美森科)

是一款电流模式单片降压开关稳压器。工作输入范围为 4.5V~40V，通过两个集成 N 沟道 MOSFET 提供 800mA 的连续输出电流。内部同步功率开关无需使用外部肖特基二极管即可实现高效率。在轻载时，稳压器以低频运行，以保持高效率和低输出纹波。电流模式控制提供了严格的负载瞬态响应和逐周期电流限制。具有短路保护、热保护、电流失控保护和输入欠压锁定功能，保证了稳定性。采用 6 引脚 SOT23-6 封装，使用最少的外部组件提供了紧凑的解决方案。

1+
￥2.91
10+
￥2.31
30+
￥2.05
100+
￥1.73
500+
￥1.58
1000+
￥1.5

有货

立即购买

型号：TLP184(V4GBTL,SE 编号：C2929221

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

1+
￥3.058 ￥6.95
10+
￥2.1488 ￥6.32
30+
￥1.4328 ￥5.97
100+
￥1.3368 ￥5.57
500+
￥1.296 ￥5.4
1000+
￥1.2768 ￥5.32

有货

立即购买

型号：MOC207R2M 编号：C274700

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

这些器件由砷化镓红外线发光二极管组成，二极管以光学方式耦合到单片硅光电晶体管检测器上，采用可表面帖装的小型塑料封装。它们非常适合高密度应用，并且无需通过电路板安装。

数据手册

1+
￥3.44
10+
￥2.78
30+
￥2.51
100+
￥2.16
500+
￥1.73
1000+
￥1.63

有货

立即购买

型号：SL214N 编号：C5330375

封装：SSOP-16

品牌：Slkor(萨科微)

SL214N 是一款由发光二极管和光电晶体管组成的四通道光电耦合器。引脚封装（SSOP16）。

数据手册

1+
￥5.08
10+
￥4.09
30+
￥3.59
100+
￥3.1
500+
￥2.66
1000+
￥2.51

有货

立即购买

型号：PS2801C-4-F3-A/M 编号：C3007768

封装：SOP-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

这些产品是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管，采用塑料SSOP封装，适用于高密度应用，可实现出色的性价比。该封装具有屏蔽效果，可切断环境光。

1+
￥5.4093 ￥7.41
10+
￥4.2462 ￥6.74
30+
￥3.3761 ￥6.37
100+
￥3.1588 ￥5.96
500+
￥3.0634 ￥5.78
1000+
￥3.021 ￥5.7

有货

立即购买

型号：LTV-063L 编号：C571215

封装：SOP-8

品牌：LITEON(光宝)

该系列由高效的铝镓砷发光二极管和高速光电探测器组成。这种设计在光耦合器的输入和输出侧之间提供了出色的交流和直流隔离。光探测器的输出采用集电极开路肖特基钳位晶体管。使能功能允许对光探测器进行选通。内部屏蔽确保了高共模瞬态抗扰度。在3.3V时，保证的共模瞬态抗扰度高达10kV/μs。光耦合器的工作参数在-40°C至+85°C的温度范围内得到保证。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。

数据手册

1+
￥5.82
10+
￥4.73
30+
￥4.19
100+
￥3.66
500+
￥3.05
1000+
￥2.89

有货

立即购买

型号：TLP176GA(TP,F) 编号：C516859

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP176GA由一个红外发光二极管和一个光电MOSFET通过光耦合组成，采用SOP封装，适用于表面贴装组装。TLP176GA适用于需要节省空间的调制解调器应用。

数据手册

1+
￥6.71
10+
￥5.49
30+
￥4.82
100+
￥4.06
500+
￥3.72
1000+
￥3.57

有货

立即购买

型号：QX3H74-CuH-S 编号：C43517247

封装：SSOP-16

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。十六引脚封装（SSOP16）。

1+
￥7.2
10+
￥5.69
30+
￥4.93
100+
￥4.18
500+
￥3.74
1000+
￥3.5

有货

立即购买

型号：FOD8480R2 编号：C899356

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8480 和 FOD8482 是低功率光耦合器，支持智能功率模块 (IPM) 的隔离接口，从控制器向 IPM 传输数字控制信号，无需导通接地回路或危险电压。FOD848x 系列采用拉伸体、6 引脚小型塑料封装，包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和一个集成式高增益集成高增益光电探测器。检测器具有带磁滞的检测器阈值。磁滞提供了差分模式噪声抗干扰性，消除了输出信号颤振的可能性。它的非反相输出设计作为图腾柱，不需要任何上拉电阻。FOD8482 有一个低阈值输入电流 IFLH，最大为 3.0 mA。对于 FOD848x 全系列，在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 4.5 V 至 30 V 的 VDD 范围内可保证其电气和开关特性。低 IF 和宽 VDD 范围，可与 TTL、LSTTL 和 CMOS 逻辑电平兼容，与其他高速光耦合器相比，功耗更低。

数据手册

1+
￥8.32
10+
￥6.94
30+
￥6.19
100+
￥4.73
500+
￥4.35
1000+
￥4.18

有货

立即购买

型号：IRLS3034TRL7PP 编号：C538184

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完整特性的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

数据手册

1+
￥10.8071 ￥16.13
10+
￥8.7609 ￥15.37
30+
￥7.0124 ￥14.92
100+
￥6.8009 ￥14.47
500+
￥6.7022 ￥14.26
800+
￥6.6552 ￥14.16

有货

立即购买

型号：V25PN60-M3/86A 编号：C241918

封装：TO-277A

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形：典型高度为1.1mm。适合自动贴装。沟槽MOS肖特基技术。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合MSL 1级，根据J-STD-020，LF最高峰值为260°C。应用：用于低压高频DC/DC转换器、续流和极性保护应用

数据手册

1+
￥10.94
10+
￥9.21
30+
￥8.13

有货

立即购买

型号：ACPL-054L-500E 编号：C691921

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M50L（单通道，SO-5封装）、ACPL-054L（双通道，SO-8封装）、ACPL-W50L（单通道，拉伸SO-6封装）和ACPL-K54L（双通道，拉伸SO-8封装）是低功耗、低输入电流、1 MBd的数字光耦合器。这些数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。

数据手册

1+
￥11.07
10+
￥9.46
30+
￥8.45
100+
￥7.2618 ￥7.41
500+
￥5.88 ￥6
1500+
￥5.684 ￥5.8

有货

立即购买

型号：MC33364DR2G 编号：C903953

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC33364系列是一款可变频率电流模式临界导通解决方案，集成了高压启动和保护电路，可用于实现现代消费电子电源的离线反激式转换器。不同的频率钳位选项可满足不同的定制需求。该器件系列集成了700 V超高压（VHV）启动电路。因此，无需任何额外的启动电路或组件，即可设计出输入电压范围为85 Vac至265 Vac的通用输入电压应用。临界导通特性具有诸多优势。首先，MOSFET在零电流时导通，二极管在零电流时关断。零电流可降低这些导通和关断的开关损耗。它还能降低开关电源（SMPS）的电磁干扰（EMI），并可使用成本较低的整流器。其次，通过防止开关电源进入不连续导通模式（DCM），MOSFET漏极峰值电流仅限制为平均输入电流的两倍。这使得可以使用更小、更便宜的MOSFET。第三，通过防止开关电源进入连续导通模式（CCM），反激式拓扑传递函数保持为一阶，其反馈补偿网络得到显著简化。它还能使反激变压器的功率传输达到其1/2 LI²的极限。

数据手册

1+
￥13.32
10+
￥11.22
30+
￥9.9
100+
￥8.54
500+
￥7.93
1000+
￥7.67

有货

立即购买

型号：LM5122MHX/NOPB 编号：C77241

封装：HTSSOP-20-EP

品牌：TI(德州仪器)

LM5122是一款多相能力的同步升压控制器,适用于高效率同步升压调节器应用。该控制器具有峰值电流模式控制,提供内在的线路前馈和环路补偿的简便性。高度集成的控制器提供强大的高侧和低侧N通道MOSFET驱动器,具有自适应死区时间控制。开关频率可编程高达1MHz,由单个电阻设置或同步到外部时钟。LM5122还支持可选的二极管仿真模式,提供轻载条件下断续模式操作,提高效率。

数据手册

1+
￥13.87
10+
￥11.72
30+
￥9.85
100+
￥8.47

有货

立即购买

型号：LH1546AEFTR 编号：C143707

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

LH1546AEF（4引脚SOP封装）性能可靠，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1A型），在许多应用中可替代机电继电器。该器件采用砷化镓（GaAs）发光二极管进行驱动控制，采用MOSFET作为开关输出

数据手册

1+
￥19.94
10+
￥16.9
30+
￥15.09
100+
￥12.9948 ￥13.26
500+
￥12.1716 ￥12.42
1000+
￥11.7992 ￥12.04

有货

立即购买

型号：HCPL-0661-500E 编号：C545696

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

数据手册

1+
￥20.81
10+
￥17.84
30+
￥16.08
100+
￥12.63
500+
￥11.8

有货

立即购买

型号：GBPC3504-E4/51 编号：C222524

封装：GBPC

品牌：VISHAY(威世)

特性：UL认证文件编号E54214。通用三向端子：卡扣式、绕线式或PCB安装。典型反向电流小于0.3μA。高浪涌电流能力。低热阻。浸焊温度最高275°C，持续10s，符合JESD 22-B106。应用：电源、家用电器、办公设备、工业自动化应用中的AC/DC桥式全波整流通用用途

数据手册

1+
￥30.47
10+
￥26.41
30+
￥23.99
100+
￥20.4725 ￥21.55
500+
￥19.399 ￥20.42
1000+
￥18.9145 ￥19.91

有货

立即购买

型号：G6BK-1114P-US DC5 编号：C1563459

封装：插件,19.9x9.8mm

品牌：OMRON(欧姆龙)

特性：可连接P6B型号插座。高绝缘性，线圈与触点间介电强度为3000VAC（脉冲耐受电压为6kV）。标准型号符合UL/CSA标准。有适用于产生浪涌电压负载（如感性负载、容性负载等）的AgSnIn触点（-FD型）。有可进行超声波清洗的型号（-U型）。有带操作指示灯和内置浪涌吸收二极管的型号（-ND型）。应用：控制设备的输出应用

数据手册