DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用势垒金属和外延结构，可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。这种先进的封装技术可用于实现高能效的微型、节省空间的表面贴装整流器。由于其独特的散热设计，该整流器与 SMA 具有相同的热性能，而占位减小 50%，提供了业内最小高度的外形，不到 1.1 mm。由于其尺寸小巧，适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸性能至关重要的其他应用。

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￥1.4613
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型号：VSSAF512HM3/H 编号：C6000163

封装：DO-221AC(SLIMSMA)

特性：非常低的外形。典型高度为0.95mm。适合自动贴装。沟槽MOS肖特基技术。低功率损耗，高效率。低正向压降。应用：用于高频逆变器、续流、DC/DC转换器以及商业、工业和汽车应用中的极性保护

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型号：SP1545L-C 编号：C20199376

封装：TO-277B

品牌：DOWO(东沃)

特性：优异的高温稳定性。低正向电压。低功耗/高效率。高正向浪涌能力。适合自动贴片。符合 RoHS 指令 2011/65/EU 并符合 WEEE 2002/96/EC。应用：高频微型开关电源，如适配器、照明和板载 DC/DC 转换器

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￥0.9265

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型号：TCLT1009 编号：C73498

封装：SOP-4-2.54mm

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用4引脚SOP4L封装。

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型号：TLP183(GR-TPL,E 编号：C80194

封装：SOP-4-2.54mm

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

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型号：MBR20L120CT 编号：C7428053

封装：TO-220AB

品牌：NH(纽航)

特性：低正向压降，实现高效率。低功耗，确保高可靠性。高正向浪涌能力，保证高可靠性。高频操作。符合RoHS 2011/65/EU标准。应用：用于高频逆变器、AC/DC转换器、LED驱动器等应用

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￥2.2719
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型号：VSS8D3M6HM3/H 编号：C3757580

封装：DO-221AD

特性：低外形封装。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值为260°C。可提供AEC-Q101认证。汽车订购代码：基础型号NHM3。与SOD-128封装外形兼容。应用：用于高频逆变器、续流、DC/DC转换器以及商业、工业和汽车应用中的极性保护

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型号：HMHA2801AR2 编号：C258257

封装：SOP-4-1.27mm

HMHA281、HMHA2801 系列包括一个砷化镓红外发光二极管，用以驱动紧凑型 4 引脚微型扁平封装中的硅光电晶体管。引线间距为1.27mm。

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型号：VSS8D5M6HM3/H 编号：C2983561

封装：DO-221AD

特性：低轮廓封装。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260°C。可提供AEC-Q101认证。汽车订购代码：基础产品编号HM3。与SOD-128封装外形兼容。应用：用于商业、工业和汽车应用中的高频逆变器、续流、DC/DC转换器和极性保护

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型号：VOL618A-3T 编号：C143757

封装：SOP-4-2.54mm

具有砷化镓红外发射二极管发射器，光耦合到硅平面光电晶体管探测器，并采用4引脚LSOP宽体封装。具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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￥2.74
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型号：VOS628A-3T 编号：C143059

封装：SOIC-4-175mil

VOS628A系列采用砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为50密耳的迷你扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。

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￥3.48
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￥1.7052 ￥1.74

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型号：AT0631-CuH-S 编号：C47355583

封装：SOP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT0631是一款双通道的高速光耦，其内部每个通道由一个 850nm 的 AlGaAs 发光二极管和一个集成检测器组成。内置屏蔽，可以保证至少 5000V/µs 的高共模抑制(CMR)能力。广泛应用于：接地回路消除、开关电源、计算机外围接口、数模，模数转化中的数字隔离、高速逻辑系统隔离。

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型号：ACPL-227-50BE 编号：C691928

封装：SO-8-4.4mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 227是一款直流输入双通道半间距光电晶体管光耦合器，包含两个与两个独立光电晶体管进行光耦合的发光二极管。它采用8引脚SO封装。ACPL - 247是一款直流输入四通道半间距光电晶体管光耦合器，包含四个与四个独立光电晶体管进行光耦合的发光二极管

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型号：MOCD213R2M 编号：C258244

封装：SO-8

MOCD213M 器件包含两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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型号：LTV-M601 编号：C123201

封装：SOP-5-175mil

品牌：LITEON(光宝)

该产品由高效的砷化铝镓发光二极管和高速光探测器组成。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光探测器的输出采用集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在3.3/5V工作电压下，保证了10KV/μs的共模瞬态抗扰度规格。光耦合器的工作参数在-40℃至 + 85℃的温度范围内得到保证。

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型号：TLP185(GR-TPR,E 编号：C393884

封装：SOP-4-2.54mm

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥4.55
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型号：LTV-341W-TA1-H 编号：C262124

封装：SMD-6P

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。2

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￥4.8
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型号：KAQY217STLD 编号：C22379859

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：Cosmo(冠西)

KAQY217系列性能可靠，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1 Form A），在许多应用中可替代机电继电器。该开关采用镓铝砷（GaAlAs）发光二极管进行驱动控制，采用集成单片管芯作为开关输出

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型号：TLP126(TPL,F) 编号：C23649

封装：SOP-4-2.54mm

东芝小型扁平耦合器TLP126是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP126由一个光电晶体管和一个反并联连接的砷化镓红外发光二极管光耦合而成，在低交流输入电流下可提供高电流传输比（CTR）。集电极 - 发射极电压：80 V（最小值）

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型号：6N139M 编号：C4071

封装：DIP-8

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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￥5.8
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￥4.78
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￥4.27
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型号：TLP351H(TP1,F) 编号：C695254

封装：SOP-8-2.54mm

TLP351H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125°C 的温度下保证性能和规格。TLP351H 内置法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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￥5.93
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型号：APY232G3HS 编号：C42444478

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光继电器是最可靠、技术最先进的逻辑到功率接口器件。它们的基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。虽然这一功能是所有继电器共有的，但光继电器相对于机械继电器具有显著优势，包括： - 长寿命（机械和电气寿命无限制） - 无触点弹跳开关 - 更高的速度和高频开关能力 - 更高的灵敏度（更低的功耗） - 抗电磁干扰（EMI）或射频干扰（RFI） - 无电弧、无触点弹跳和无噪声 - 更耐振动和冲击 - 可进行交流或直流负载切换 - 封装尺寸小 APSEMI光继电器通过接收低电平输入电流（<5mA）来工作，该电流使输入红外LED通电，红外LED与光电二极管阵列芯片进行光耦合

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型号：FOD3150ASD 编号：C411200

封装：SOP-8-2.54mm