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封装：DFN2730-12

R1208x系列是一款低功耗CMOS控制升压DC/DC转换器,内部集成了N沟道MOSFET、振荡器、PWM比较器、电压参考单元、误差放大器、限流电路、欠压锁定电路、过压保护电路、热关断保护电路和四个白LED通道的电流驱动器。通过简单的外部电感、电阻、电容和二极管,可以高效地驱动白LED。

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型号：FDMF5822DC 编号：C891009

封装：PQFN-31(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

FDMF5822DC 将一个驱动器集成电路以及一个自举肖特基二极管、两个功率 MOSFET 和一个温度监控器集成到耐热增强、超紧凑型 5 mm x 5 mm 封装中。该 SPS 开关功率级采用集成方式，针对驱动器和 MOSFET 动态性能、最小化系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行优化。SPS 系列采用安森美半导体的高性能 PowerTrench MOSFET 技术，减少了开关振铃，不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动器集成电路进一步增强了性能。温度警告功能会针对潜在的超温情况发出警告。如果发生超温情况，高温关断功能将关断该驱动器。FDMF5822DC 结合了自动 DCM 模式 (ZCD#)，从而提高轻负载效率。FDMF5822DC 还提供了一个 3 态 3.3 V PWM 输入，实现了与多种 PWM 控制器的兼容性。

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型号：FDMF5826DC 编号：C891011

封装：PQFN-31(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

FDMF5826DC 采用热管理增强的、超紧凑型 5 mm x 5 mm 封装，集成了一个驱动器集成电路以及一个自举肖特基二极管、两个功率 MOSFET 和一个温度监控器。该 SPS 开关功率级采用集成方式，针对驱动器和 MOSFET 动态性能、最小化系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。SPS 系列采用安森美半导体的高性能 PowerTrench MOSFET 技术，减少了开关振铃，不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动器集成电路进一步增强了性能。温度监控器功能会针对潜在的超温情况发出警告。FDMF5826DC 结合了自动 DCM 模式 (ZCD#)，从而提高光负载效率。FDMF5826DC 还提供 3 态 5 V PWM 输入，从而与多种 PWM 控制器兼容。

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型号：FOC-357C 编号：C49056309

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：国星光电

产品由一个红外发光二极管和一个光电晶体管组成；光耦器件可实现不同电路之间的电气隔离和信号传输，产品广泛应用于电源设备上，例如手机充电器，家电产品电源供应器等。光耦由一个红外发光二极管和一个光电晶体管组成。该器件可以实现不同电路之间的电气隔离和信号传输，产品广泛应用于电源设备，如手机充电器、家电产品电源装置等。

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型号：FOC-817SC-F 编号：C49056308

封装：SMD-4P

品牌：国星光电

产品由一个红外发光二极管和一个光电晶体管组成；光耦器件可实现不同电路之间的电气隔离和信号传输，产品广泛应用于电源设备上，例如手机充电器，家电产品电源供应器等。

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型号：FOC-357B 编号：C49056310

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：国星光电

产品由一个红外发光二极管和一个光电晶体管组成；光耦器件可实现不同电路之间的电气隔离和信号传输，产品广泛应用于电源设备上，例如手机充电器，家电产品电源供应器等。光耦由一个红外发光二极管和一个光电晶体管组成。该器件可以实现不同电路之间的电气隔离和信号传输，产品广泛应用于电源设备，如手机充电器、家电产品电源装置等。

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型号：EL357C 编号：C725794

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：UMW(友台半导体)

UMW EL357 系列在塑料 SOP4 封装中集成了一个 AlGaAs 红外发光二极管作为发射端，该发射端与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合。UMW EL357 系列采用坚固的共面双塑封结构，具备极其稳定的隔离特性。

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型号：TLP185GB-S(UMW) 编号：C388375

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：UMW(友台半导体)

UMW TLP185由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。UMW TLP185光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO6封装。由于UMW TLP185比DIP封装更小，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP181GB-S(UMW) 编号：C388374

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MINI FLAT COUPLER TLP181是一款小外形耦合器，适用于表面贴装。TLP181由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料DIP封装。

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型号：PC817CS 编号：C20612591

封装：SOP-4

品牌：AOTE(奥特)

PC817CS是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装( DIP、DIP-M、SMD)。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。

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型号：PC357C 编号：C20612582

封装：SOP-4

品牌：AOTE(奥特)

PC357C是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装 ( SOP) 。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。

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型号：TLP291(GB-TP,SE 编号：C55144

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与砷化镓红外发射二极管光耦合。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用。

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型号：AP3019AKTR-G1 编号：C44956

封装：TSOT-23-6L

品牌：DIODES(美台)

是一款基于电感的DC/DC转换器，用于驱动多达八个串联的白色LED进行背光。仅需一个反馈电阻即可控制LED电流并获得所需亮度。采用了恒定频率1.2MHz的PWM控制方案，这意味着可以使用微小的外部组件。具体而言，典型应用中使用1mm高的电感器和0.22μF输出电容器就足够了。此外，升压电路中的肖特基二极管集成在该芯片上。还提供了一个禁用引脚，便于在不同系统中使用。具备输出过压保护功能，当任何LED损坏或出现其他异常情况时，输出电压将被钳位。采用标准SOT-23-6和TSOT-23-6封装。

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型号：TLP2362(TPL,E 编号：C37658

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2362由一个高输出GaAlAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。TLP2362可保证在高达125°C的温度下工作，且工作电源电压范围为2.7 V至5 V。

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型号：TLP291-4(GB-TP,E) 编号：C60900

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝 TLP291-4 由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291-4 光电耦合器采用非常小巧轻薄的 SO16 封装。由于 TLP291-4 可在较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 110°C）内正常工作，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP521GB-S(UMW) 编号：C364143

封装：SMD-4P

品牌：UMW(友台半导体)

UMW公司的TLP521 - 1、TLP521 - 2和TLP521 - 4由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP521 - 2采用八引脚塑料DIP封装，提供两个隔离通道；而TLP521 - 4采用十六引脚塑料DIP封装，提供四个隔离通道。

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型号：TLP521GB(UMW) 编号：C364142

封装：DIP-4

品牌：UMW(友台半导体)

由与砷化镓红外发光二极管光学耦合的光电晶体管组成。TLP521-2在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道，而TLP521-4在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。

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型号：TLP109(TPL,E 编号：C406798

封装：SO-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款适合表面贴装的小外形耦合器，由高输出功率红外发射二极管与高速光电二极管-晶体管芯片光耦合而成。采用SO6封装，保证爬电距离≥5.0mm、电气间隙≥5.0mm和绝缘厚度≥0.4mm，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：TLP187(TPL,E 编号：C393886

封装：SO-4-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP187是一款光耦合器，由一个与达林顿晶体管进行光耦合的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管组成。它采用SO6封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用场景

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型号：TLP290-4(GB-TP,E 编号：C39031

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290 - 4由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4可在较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C内正常工作，因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

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￥3.24
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型号：TLP172GM(TPL,E 编号：C261926

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP172GM由一个铝镓砷红外发光二极管和一个光MOSFET光耦合而成，采用4引脚SO6封装，适用于表面贴装组装。TLP172GM适用于需要节省空间的电池管理系统。

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型号：HCNR201-500E 编号：C27465

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

该产品由高性能AlGaAs LED组成，可照亮两个紧密匹配的光电二极管。输入光电二极管可用于监测并稳定LED的光输出，从而几乎消除LED的非线性和漂移特性。输出光电二极管产生与LED光输出线性相关的光电流。光电二极管的紧密匹配和封装的先进设计确保了光耦合器的高线性度和稳定的增益特性。该产品可用于在各种需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本的应用中隔离模拟信号。它非常灵活，通过适当设计应用电路，能够以多种不同模式工作，包括单极/双极、交流/直流和反相/同相。该产品是许多模拟隔离问题的优秀解决方案。

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￥7.201 ￥7.58
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型号：TLP155E(TPL,E 编号：C56499

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

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￥2.35
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型号：TLP127(TPL,U,F) 编号：C5001

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP127是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP127由一个砷化镓红外发光二极管和一个带集成基极 - 发射极电阻的达林顿光电晶体管光耦合而成，其VCEO为300V。

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￥2.44

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型号：TLP350(TP1,F) 编号：C5003

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用DIP8封装的光电耦合器，由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：HCNR200-500E 编号：C23785

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

HCNR200/201 高线性模拟光耦合器由一个高性能的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和两个紧密匹配的光电二极管组成。输入光电二极管可用于监测并稳定 LED 的光输出。因此，LED 的非线性和漂移特性几乎可以消除

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型号：TLP785(GB-TP6,F 编号：C45445

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (交流：5kVRMS (最小值))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。

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型号：TLP240A(TP1,F 编号：C146360

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP240A和TLP240AF光电继电器由与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用

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型号：TLP2345(TPL,E 编号：C99484

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用SO6封装。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110°C。具有低电源电流和低阈值输入电流，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±30kV/μs的共模瞬态抗扰度，有缓冲输出，也有反相器输出版本。

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￥3.82
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￥3.41
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￥2.47
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￥2.39

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型号：HCPL-M601-500E 编号：C45920

封装：SOP-5

品牌：Broadcom(博通)

这些小型高速逻辑门光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装轮廓不需要在PCB上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的四分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。光耦合门结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光子探测器，探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-M601提供了5000V/μs的共模瞬态抗扰度保证，为HCPL-M611提供了10000V/μs的共模瞬态抗扰度保证

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