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特性:极低的VCE(sat) 1.5V(典型值)。 最高结温175℃。 短路耐受时间3μs。 适用于650V应用的沟槽和场截止技术提供: -非常紧密的参数分布。高鲁棒性,温度稳定性能。低VCEsat和正温度系数。应用:驱动器。通用驱动器(GPD)
  • 1+

    ¥19.15
  • 10+

    ¥16.35
  • 50+

    ¥14.07
  • 有货
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      ¥19.78
    • 10+

      ¥19.32
    • 30+

      ¥19.02
  • 有货
  • 特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关行为基准。 无反向恢复/无正向恢复。 与温度无关的开关行为。 高浪涌电流能力。应用:SMPS,例如CCM PFC。 电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥28.47
    • 10+

      ¥24.18
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      ¥21.62
  • 有货
  • ThinQ!™ 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。由于采用了更紧凑的设计和薄晶圆技术,新产品系列在所有负载条件下都显示出更高的效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新一代 ThinQ!™ 第五代产品旨在补充 650V CoolMOS™ 系列产品,确保满足该电压范围内最严格的应用要求。
    • 1+

      ¥31.17
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      ¥30.42
    • 30+

      ¥29.92
  • 有货
  • 特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关性能基准。 无反向恢复/无正向恢复。 与温度无关的开关特性。 高浪涌电流能力。应用:开关电源,例如连续导通模式(CCM)功率因数校正(PFC)。 电机驱动
    数据手册
    • 单价:

      ¥60.21 / 个
  • 有货
  • 特性:革命性的半导体材料。碳化硅-开关性能基准-无反向恢复 / 无正向恢复-与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。击穿电压在 20mA² 下测试。应用:SMPS 例如;CCM PFC。电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥20.01
    • 10+

      ¥19.52
    • 30+

      ¥19.19
  • 有货
    • 1+

      ¥23.24
    • 10+

      ¥20.07
    • 30+

      ¥18.18
  • 有货
  • 特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关行为基准。 无反向恢复/无正向恢复。 与温度无关的开关行为。 高浪涌电流能力。应用:SMPS(如CCM PFC)。 电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥36.34
    • 10+

      ¥31.55
    • 30+

      ¥27.38
  • 有货
    • 1+

      ¥707.83
    • 30+

      ¥672.75
  • 订货
    • 1+

      ¥230
    • 20+

      ¥218
  • 订货
    • 1+

      ¥22.21
    • 10+

      ¥18.86
    • 30+

      ¥16.87
    • 90+

      ¥14.85
    • 510+

      ¥13.92
    • 990+

      ¥13.5
  • 订货
  • 硅肖特基二极管,用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频的通用二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6954
    • 50+

      ¥0.681
    • 150+

      ¥0.6714
    • 500+

      ¥0.6318
  • 订货
  • 特性:通用型二极管,用于高速开关。电路保护。电压钳位。高电平检测和混频。无铅(符合RoHS标准)封装。根据AEC Q101标准认证
    • 单价:

      ¥0.747805 / 个
    ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺,在第三代中就已引入,现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。这造就了一个新产品系列,在所有负载条件下都能提高效率,这得益于其改善的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的 ThinQ!TM 第五代产品旨在补充我们的 650V CoolMOS 系列产品,确保满足该电压范围内最严格的应用要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.283
    • 50+

      ¥9.492
    • 100+

      ¥9.0965
    • 500+

      ¥8.8592
    • 1000+

      ¥8.701
    6ED2230S12T 是一款高压、高速 IGBT,具有三个独立的高端和低端参考输出通道,适用于三相应用。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 TTL 输出兼容,低至 3.3V。
    数据手册
    • 1+

      ¥70.33
    • 10+

      ¥60.06
    • 30+

      ¥53.8
    • 100+

      ¥48.55
  • 订货
    • 1+

      ¥92.35
    • 10+

      ¥78.02
    • 30+

      ¥71.09
    • 100+

      ¥65.28
  • 订货
  • 硅肖特基二极管,用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频的通用二极管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.44759
    • 3000+

      ¥0.341264
    特性:VRRM = 650 V。 IF = 150 A。 低和温度稳定的正向电压(VF)。 非常软和快速恢复。 低反向恢复电流(Irrm)。 湿度鲁棒设计。应用:串式和微型逆变器。 数据中心UPS
    • 1+

      ¥27.02
    • 10+

      ¥26.43
    • 30+

      ¥26.04
    • 100+

      ¥25.65
  • 订货
  • 特性:VRRM = 2000 V。 IF = 25 A。 VF = 1.5 V。 无反向恢复电流/无正向恢复。 高浪涌电流能力。 温度无关的开关特性。应用:串式三相逆变器。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥148.37
    • 10+

      ¥143.9
  • 订货
  • 硅肖特基二极管 用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管,采用无铅(符合 RoHS 标准)封装,符合 AEC Q101 标准。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.1592
    • 50+

      ¥0.1559
    • 150+

      ¥0.1537
    • 500+

      ¥0.1515
  • 订货
  • 用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用
    • 50+

      ¥0.73683
    • 500+

      ¥0.68225
    • 1000+

      ¥0.65496
    • 5000+

      ¥0.62767
    • 10000+

      ¥0.60038
    硅肖特基二极管,用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频的通用二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4252
    • 50+

      ¥0.4161
    • 150+

      ¥0.41
    • 500+

      ¥0.404
  • 订货
    • 50+

      ¥1.1745
    • 500+

      ¥1.0875
    • 1000+

      ¥1.044
    • 5000+

      ¥1.0005
    • 10000+

      ¥0.957
    可变电容二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0489
    • 50+

      ¥1.0272
    • 150+

      ¥1.0127
    • 500+

      ¥0.953
  • 订货
  • 适用于甚高频/超高频范围的混频器应用;适用于高速开关应用;采用无铅(符合 RoHS 标准)封装。
    数据手册
    • 15+

      ¥0.574376
    • 30+

      ¥0.555544
    • 60+

      ¥0.546128
    • 120+

      ¥0.51788
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