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  • 是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术,具有出色的耐用性和抗噪性,能够在VS引脚上高达 -11 V的负电压 (VCC = 15 V) 瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT,工作电压高达650 V。
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  • 系统效率比硅二极管更高。能够实现更高频率/更高功率密度的解决方案。由于减少了散热器需求和使用更小的磁性元件,节省了系统尺寸和成本。降低了电磁干扰 (EMI)。在整个负载范围内具有最高效率。在浪涌事件期间二极管工作稳定。可靠性高
    • 单价:

      ¥9.927754 / 个
    特性:革命性的半导体材料:碳化硅。 无反向恢复电流/无正向恢复。 温度无关的开关特性。 即使在高工作温度下也具有低正向电压。 紧密的正向电压分布。 出色的热性能。应用:太阳能逆变器。 不间断电源
    • 1+

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      ¥11.62
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  • 订货
  • 2ED2103S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗干扰能力,在VS引脚(VCC = 15 V)承受高达 -11 V DC的负电压瞬态时,仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象
    数据手册
    • 1+

      ¥13.22
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      ¥8.41
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      ¥8.19
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      ¥10.82
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      ¥10.17
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      ¥9.9
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    • 100+

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  • 订货
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      ¥1.629642
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  • 订货
  • 是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术,具有出色的耐用性和抗噪能力,能够在VS引脚上高达 -11 VDC的负电压瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT,工作电压高达650 V。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.86
    • 10+

      ¥10.59
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      ¥10.22
  • 订货
  • 是一款基于SOI的160V栅极驱动器,专为半桥无刷直流电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为外部高端自举电容供电。保护功能包括Vcc和VB引脚的欠压锁定。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉传导。
    • 10+

      ¥5.7483
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      ¥5.5354
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      ¥5.1096
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      ¥4.8967
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      ¥15.22
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      ¥14.98
  • 订货
  • 2ED2181(4)S06F(J)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。该器件稳定性出色、抗噪能力强,在VS引脚(VCC = 15 V)承受高达 -11 VDC的负电压瞬态时,仍能维持工作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象
    • 1+

      ¥17.24
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    • 500+

      ¥8.8592
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      ¥8.701
    特性:革命性的半导体材料。 碳化硅-开关性能基准-无反向恢复 / 无正向恢复-与温度无关的开关特性。 高浪涌电流能力。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 在 20mA² 下测试击穿电压。应用:SMPS 例如;CCM PFC。 电机驱动
    数据手册
    • 单价:

      ¥28.28 / 个
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      ¥49.07
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      ¥47.93
    • 30+

      ¥47.17
    • 90+

      ¥46.4
  • 订货
  • 特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关性能基准。 无反向恢复/无正向恢复。 与温度无关的开关特性。 高浪涌电流能力。应用:开关电源(如CCM PFC)。 电机驱动
    • 1+

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      ¥10.848
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      ¥71.15
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