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首页 > 热门关键词 > Infineon二极管
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N沟道,75V,210A,3.3mΩ@10V
数据手册
  • 1+

    ¥10.25
  • 10+

    ¥8.63
  • 50+

    ¥6.92
  • 100+

    ¥5.92
  • 600+

    ¥5.47
  • 900+

    ¥5.27
  • 有货
  • 高性能USB 3.0控制器,支持USB 3.1 Gen 1和USB 2.0,具有5-Gbps SuperSpeed PHY,集成多种接口如GPIF II、UART、SPI、I²C等。
    数据手册
    • 1+

      ¥94.62
    • 10+

      ¥92.01
    • 30+

      ¥85.11
    • 100+

      ¥79.09
  • 有货
  • P沟道,30V,3.6A,64mΩ@3.6A,10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2005
    • 50+

      ¥0.9306
    • 150+

      ¥0.8149
    • 500+

      ¥0.6706
    • 3000+

      ¥0.6063
    • 6000+

      ¥0.5677
  • 有货
  • BFP420是一款基于接地发射极(SIEGET™)的低噪声器件,属于英飞凌成熟的第四代射频双极晶体管系列。其25 GHz的特征频率fₜ、高增益和低电流特性,使该器件适用于高达10 GHz的振荡器。它在保证易用性的同时,还具有成本竞争力
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2065
    • 50+

      ¥1.06
    • 150+

      ¥0.9868
    • 500+

      ¥0.9319
    • 3000+

      ¥0.822
    • 6000+

      ¥0.8
  • 有货
  • N沟道,200V,5A,600mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.775
    • 50+

      ¥1.4261
    • 150+

      ¥1.2766
    • 500+

      ¥0.9529
    • 2000+

      ¥0.8699
    • 4000+

      ¥0.82
  • 有货
  • P沟道,-50V,-3.4A,170mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.28
    • 10+

      ¥3.55
    • 30+

      ¥3.19
    • 100+

      ¥2.83
    • 500+

      ¥2.32
    • 1000+

      ¥2.21
  • 有货
  • N沟道,75V,75A,13mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.79
    • 10+

      ¥3.93
    • 50+

      ¥3.22
    • 100+

      ¥2.79
    • 500+

      ¥2.54
    • 1000+

      ¥2.4
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥5.58
    • 10+

      ¥4.56
    • 30+

      ¥4.05
    • 100+

      ¥3.54
    • 500+

      ¥2.84
    • 1000+

      ¥2.69
  • 有货
  • FM24CL16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用2Kx8组织结构。它具有高耐久性(100万亿次读写)、151年的数据保留时间和低功耗。支持最高1MHz的I2C接口,适用于频繁写入的应用场景。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.49
    • 10+

      ¥6.63
    • 30+

      ¥5.82
    • 100+

      ¥5.22
    • 500+

      ¥4.98
    • 1000+

      ¥4.85
  • 有货
  • CY8CMBR3xxx CapSense® Express™ 控制器可实现先进且易于实施的电容式触摸感应用户界面解决方案。该系列控制器可通过寄存器进行配置,最多支持 16 个电容感应输入,无需进行耗时的固件开发。这些控制器非常适合在最短的开发周期内实现电容式按键、滑块和接近感应解决方案
    数据手册
    • 1+

      ¥7.59
    • 10+

      ¥6.31
    • 30+

      ¥5.61
    • 100+

      ¥4.82
    • 500+

      ¥4.47
    • 1000+

      ¥4.31
  • 有货
  • IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.43
    • 10+

      ¥6.89
    • 30+

      ¥6.12
    • 100+

      ¥5.35
    • 500+

      ¥4.25
    • 1000+

      ¥4.02
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥12.37
    • 10+

      ¥10.6
    • 30+

      ¥9.5
    • 100+

      ¥8.37
    • 500+

      ¥7.85
    • 1000+

      ¥7.63
  • 有货
  • 高性能USB 2.0外围控制器,集成USB 2.0收发器、智能SIE和增强型8051微处理器。支持多种接口和应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥81.28
    • 10+

      ¥70.75
    • 30+

      ¥58.38
    • 72+

      ¥53
  • 有货
  • USB单片机高速USB外围控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥94.25
    • 10+

      ¥90.23
    • 30+

      ¥78.08
    • 72+

      ¥72
  • 有货
  • 特性:N 通道增强模式。 逻辑电平(额定 4.5V)。 雪崩额定。 根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅;符合 RoHS 标准,无卤素
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4551
    • 100+

      ¥0.3672
    • 300+

      ¥0.3233
    • 3000+

      ¥0.2904
    • 6000+

      ¥0.264
    • 9000+

      ¥0.2508
  • 有货
  • N沟道,100V,10A,185mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1052
    • 50+

      ¥1.689
    • 150+

      ¥1.5106
    • 500+

      ¥1.16
    • 2000+

      ¥1.0609
    • 4000+

      ¥1.0014
  • 有货
  • N沟道,55V,4.9A,50mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2775
    • 50+

      ¥1.8827
    • 150+

      ¥1.7136
    • 500+

      ¥1.2504
    • 2500+

      ¥1.1564
    • 4000+

      ¥1.1
  • 有货
  • N沟道,50V,3A,130mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.96
    • 10+

      ¥2.37
    • 30+

      ¥2.12
    • 100+

      ¥1.8
    • 500+

      ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • N沟道,220V,18A,150mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.27
    • 10+

      ¥3.5
    • 30+

      ¥3.11
    • 100+

      ¥2.72
    • 500+

      ¥2.12
    • 800+

      ¥2
  • 有货
  • N沟道,100V,97A,9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.79
    • 10+

      ¥3.89
    • 50+

      ¥3.02
    • 100+

      ¥2.57
    • 500+

      ¥2.31
    • 1200+

      ¥2.17
  • 有货
  • P沟道,-100V,-40A,60mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.28
    • 10+

      ¥4.75
    • 50+

      ¥4.45
    • 100+

      ¥4.12
    • 500+

      ¥3.98
    • 1000+

      ¥3.91
  • 有货
  • N沟道,75V,130A,7.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.61
    • 10+

      ¥4.49
    • 50+

      ¥3.93
    • 100+

      ¥3.37
    • 500+

      ¥3.04
    • 1000+

      ¥2.86
  • 有货
  • 600V,三相桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.25
    • 10+

      ¥5.17
    • 30+

      ¥4.63
    • 100+

      ¥3.17
    • 500+

      ¥2.85
    • 1000+

      ¥2.68
  • 有货
  • N沟道,60V,210A,3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.97
    • 10+

      ¥5.7
    • 50+

      ¥4.53
    • 100+

      ¥3.9
    • 350+

      ¥3.52
    • 1050+

      ¥3.33
  • 有货
  • 这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏中的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术,以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量(EpuLsE)额定值。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力
    数据手册
    • 1+

      ¥7.63
    • 10+

      ¥6.27
    • 30+

      ¥5.52
    • 100+

      ¥4.67
    • 500+

      ¥4.29
    • 800+

      ¥4.12
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 1+

      ¥7.92
    • 10+

      ¥6.55
    • 30+

      ¥5.8
    • 100+

      ¥4.95
    • 500+

      ¥4.57
    • 1000+

      ¥4.4
  • 有货
  • IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.63
    • 10+

      ¥6.96
    • 30+

      ¥6.13
    • 100+

      ¥5.02
    • 500+

      ¥4.53
    • 1000+

      ¥4.27
  • 有货
  • N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.64
    • 10+

      ¥9.25
    • 30+

      ¥8.49
    • 100+

      ¥7.06
    • 500+

      ¥6.68
    • 1000+

      ¥6.5
  • 有货
  • P沟道,30V,100A,3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥14.37
    • 10+

      ¥12.1
    • 30+

      ¥10.68
    • 100+

      ¥9.22
    • 500+

      ¥8.57
    • 1000+

      ¥8.28
  • 有货
  • 1ED020I12 - F2是一款采用PG - DSO - 16 - 15封装的单通道IGBT电流隔离驱动器,其输出电流能力典型值为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容,可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输
    数据手册
    • 1+

      ¥17.72
    • 10+

      ¥15.09
    • 30+

      ¥13.45
    • 100+

      ¥11.77
    • 500+

      ¥11.01
    • 1000+

      ¥10.68
  • 有货
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