Infineon二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BTT6030-2ERA 编号：C534865

封装：TDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6030 - 2ERA是一款导通电阻为32 mΩ的双通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成

数据手册

1+
￥18.76
10+
￥15.87
30+
￥14.06
100+
￥12.21
500+
￥11.37
1000+
￥11

有货

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型号：BSC040N10NS5 编号：C534334

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥7.58
10+
￥6.41
30+
￥5.77
100+
￥5.04
500+
￥4.03
1000+
￥3.88

有货

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型号：BSS83PH6327 编号：C2932927

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。雪崩额定。逻辑电平。 dV/dt额定。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

5+
￥0.5335
50+
￥0.4271
150+
￥0.3739
500+
￥0.334
3000+
￥0.3021
6000+
￥0.2861

有货

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型号：IRLML6401TRPBF 编号：C3034

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-12V,-4.3A,50mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥0.8168
50+
￥0.6536
150+
￥0.572
500+
￥0.5108
3000+
￥0.4618
6000+
￥0.4373

有货

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型号：IRF100B201 编号：C152185

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,192A,4.2mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.69
10+
￥4.59
50+
￥4.04
100+
￥3.5
500+
￥3.17
1000+
￥3

有货

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型号：BTS6163D 编号：C534821

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片堆叠技术中，具备嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥19.98
10+
￥17.08
30+
￥15.27
100+
￥13.41
500+
￥12.57
1000+
￥12.2

有货

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型号：BTS50085-1TMA 编号：C82655

封装：TO-220-7

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 与电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈集成在智能 SIPMOS 芯片上芯片技术中，提供嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥44.61
10+
￥39.92
30+
￥34.71
100+
￥31.89
500+
￥30.59
1000+
￥30

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型号：BTN8982TA 编号：C74175

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

高电流 PN 半桥驱动IC

数据手册

1+
￥49.35
10+
￥43.91
30+
￥35.89
100+
￥33.12

有货

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型号：CY7C68013A-56LTXC 编号：C14912

封装：QFN-56-EP(8x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

通过在单个芯片中集成USB 2.0收发器、串行接口引擎 (SIE)、增强型8051微控制器和可编程外围接口，打造出一种经济高效的解决方案，具备低功耗优势，可实现总线供电应用，能提供出色的上市时间优势。其巧妙的架构使数据传输速率超过每秒53兆字节，达到USB 2.0的最大允许带宽，同时在小至56 VFBGA（5mm×5mm）的封装中使用低成本的8051微控制器。由于集成了USB 2.0收发器，相比USB 2.0 SIE或外部收发器实现方式，FX2LP更经济，占用空间更小。借助EZ-USB FX2LP，赛普拉斯智能SIE在硬件中处理大部分USB 1.1和2.0协议，使嵌入式微控制器可专注于特定应用功能，减少开发时间以确保USB兼容性

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1+
￥68.36
10+
￥59.78
30+
￥51.39
100+
￥47

有货

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型号：IRLML6244TRPBF 编号：C143946

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道，最大电流6.3A@VGS=4.5V，VDS=20V

数据手册

5+
￥0.8115
50+
￥0.6542
150+
￥0.5756
500+
￥0.5166
3000+
￥0.4694
6000+
￥0.4458

有货

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型号：IRLML0060TRPBF 编号：C67274

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,2.7A,92mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.0698
50+
￥0.8963
150+
￥0.8095
500+
￥0.7444
3000+
￥0.5761
6000+
￥0.55

有货

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型号：IRLR024NTRPBF 编号：C3007

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,17A,65mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.8302
50+
￥1.4247
150+
￥1.2509
500+
￥1.034
2000+
￥0.948
4000+
￥0.89

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型号：IRLR3410TRPBF 编号：C3017

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,17A,105mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.5442
50+
￥2.0663
150+
￥1.8615
500+
￥1.4569
2000+
￥1.3431
4000+
￥1.2748

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型号：IRFR5505TRPBF 编号：C26340

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-18A,110mΩ@10V

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1+
￥2.79
10+
￥2.16
30+
￥1.89
100+
￥1.56
500+
￥1.41
1000+
￥1.32

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型号：IPB107N20N3G 编号：C444895

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，标准电平。出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 认证，适用于目标应用。根据 IEC61249-2-21 标准无卤。适用于高频开关和同步整流

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1+
￥9.89
10+
￥8.18
30+
￥7.25
100+
￥6.18
500+
￥5.71

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型号：BTS4141N 编号：C151527

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入，采用智能SIPMoS技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。

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1+
￥13.16
10+
￥10.84
30+
￥9.56
100+
￥8.12
500+
￥7.48
1000+
￥7.19

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型号：BTT6050-2ERA 编号：C3232306

封装：SOIC-14-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6050 - 2ERA是一款导通电阻为50 mΩ的双通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成

1+
￥18.79
10+
￥15.81
30+
￥13.95
100+
￥12.04
500+
￥11.18
1000+
￥10.8

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型号：FM24W256-GTR 编号：C66020

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造。它具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、快速2线串行接口（I2C），支持高达1 MHz的频率，低功耗，宽电压范围（2.7V至5.5V），工业温度范围（-40°C至+85°C）。该设备适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，如数据记录和工业控制。

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