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首页 > 热门关键词 > Infineon二极管
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650V SiC 肖特基二极管
型号：IDK10G65C5XTMA2 编号：C3759094
封装：TO-263
品牌：Infineon(英飞凌)
ThinQ!TM 第五代代表碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺，已经在第三代中引入，现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都显示出更高的效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列：这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

  • 1+

    ￥41.47

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    ￥41.46

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    ￥27.3636 ￥41.46
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    CoolSiC肖特基二极管2000V
    型号：IDWD10G200C5XKSA1 编号：C35575405
    封装：TO-247-2
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：反向重复峰值电压（VRRM）：2000V。 正向电流（IF）：10A。 正向电压（VF）：1.5V。 无反向恢复电流/无正向恢复。 高浪涌电流能力。 温度无关的开关特性。应用：串式三相逆变器。 电动汽车充电

    • 1+

      ￥71.78

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      ￥61.96
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    62mm C系列模块，采用快速沟槽/场截止型IGBT4和发射极控制型4二极管
    型号：FF200R17KE4 编号：C541005
    封装：螺栓安装
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：电气特性：扩展工作温度 T(v_ijop)。低 V(CEsat)。高鲁棒性。V(CEsat) 具有正温度系数。 机械特性：4 kV 交流 1 分钟绝缘。CTI > 400 的封装。应用：典型应用：高性能变频器。电机驱动
    数据手册

    • 1+

      ￥482.61

    • 30+

      ￥460
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    射频肖特基二极管
    型号：BAT1704E6327HTSA1 编号：C3039619
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    射频肖特基二极管是硅低势垒N型器件，与市面上其他解决方案不同，它们具有多种结二极管配置（例如共阳极、共阴极），可用于灵敏的功率检波器、采样电路或混频器电路。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4019

    • 50+

      ￥0.3921

    • 150+

      ￥0.3856

    • 500+

      ￥0.3791
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    电压:70V 电流:70mA
    型号：BAS7005WH6327XTSA1 编号：C3028866
    封装：SOT-323
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：通用型二极管,用于高速开关。电路保护。电压钳位。高电平检测和混频。无铅(符合RoHS标准)封装。根据AEC Q101标准认证
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4763

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      ￥0.3827

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      ￥0.3359
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    电压:70V 电流:70mA
    型号：BAS7002VH6327XTSA1 编号：C3312927
    封装：SC-79-2
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：通用型二极管,用于高速开关。电路保护。电压钳位。高电平检测和混频。无铅(符合RoHS标准)封装。根据AEC Q101标准认证

    • 5+

      ￥0.7817

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      ￥0.6209

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      ￥0.4802
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    硅调谐二极管
    型号：BB85702VH7902XTSA1 编号：C3272467
    封装：SC-79-2
    品牌：Infineon(英飞凌)
    用于卫星调谐器，具有高电容比、低串联电阻的特点，由于“在线”匹配组装程序，具有出色的均匀性和匹配性，采用无铅（符合RoHS标准）封装。

    • 5+

      ￥1.5058

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      ￥1.1782

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      ￥0.8236
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT5402LRHE6327XTSA1 编号：C3312944
    封装：SOD-882
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。 保护环保护。 低正向电压。 无铅（符合RoHS标准）封装。 根据AEC Q101标准认证

    • 5+

      ￥1.8495

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      ￥1.3095
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    650V 15A
    型号：IDV15E65D2 编号：C535934
    封装：TO-220-2
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：电气隔离的FullPAK，便于高效组装。650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压。应用：CCM PFC中的升压二极管
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      ￥5.0816 ￥7.94

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      ￥3.5856 ￥6.64

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      ￥2.024 ￥4.6
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    具备过流保护（OCP）、使能（EN）、故障指示功能及集成自举二极管（BSD）的200 V和600 V三相栅极驱动器
    型号：6EDL04I06PT 编号：C533113
    封装：SO-28-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构
    数据手册

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      ￥10.46

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    • 30+

      ￥7.9
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    1.2kV 50A
    型号：IDP30E120 编号：C85755
    封装：TO-220AC-2
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：1200 V二极管技术。 快速恢复。 软开关。 低反向恢复电荷。 低正向电压。 易于并联。 无铅引脚电镀，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
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    • 1+

      ￥19.9

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      ￥17.14

    • 50+

      ￥14.06
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54E6327HTSA1 编号：C533640
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。 保护环保护。 低正向电压。 无铅（符合RoHS标准）封装。 根据AEC Q101标准认证
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    • 5+

      ￥0.5284

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    • 150+

      ￥0.3698
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    电压:40V 电流:120mA
    型号：BAT6405E6327HTSA1 编号：C513275
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用，集成扩散保护环，正向电压低。
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    • 5+

      ￥0.6846

    • 50+

      ￥0.5349

    • 150+

      ￥0.4601
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT5403WE6327HTSA1 编号：C3312930
    封装：SOD-323
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。 保护环保护。 低正向电压。 无铅（符合RoHS标准）封装。 根据AEC Q101标准认证

    • 5+

      ￥0.6927

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      ￥0.5566

    • 150+

      ￥0.4885
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    150V 100mA
    型号：BAR6404E6327HTSA1 编号：C5557742
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    该射频PIN二极管专为需要承受大射频电压的低失真开关而设计，适用于高达3 GHz的频率。其标称50μm的I区宽度与典型1.55μs的载流子寿命相结合，使二极管具有低正向电阻和低失真特性。

    • 5+

      ￥0.8575

    • 50+

      ￥0.6837

    • 150+

      ￥0.5968

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      ￥0.5316
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    电压:30V 电流:1A
    型号：BAS3010B03WE6327HTSA1 编号：C151503
    封装：SOD-323
    品牌：Infineon(英飞凌)
    中功率音频肖特基二极管 正向电流：1 A 反向电压：30 V 低正向电压、低反向电流 适用于高效 DC/DC 转换、快速开关、保护和钳位应用 无铅（符合 RoHS 标准）封装 符合 AEC Q101 标准。
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    • 5+

      ￥1.6594

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    电压:30V 电流:1A
    型号：BAS3010S02LRHE6327XTSA1 编号：C3040059
    封装：TSLP-2-17
    品牌：Infineon(英飞凌)
    适用于手机电池充电器应用，具有低正向电压和最小的封装尺寸(1.0×0.6×< 4mm)
    数据手册

    • 5+

      ￥2.1276

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      ￥1.6866

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    集成自举二极管（BSD）的600 V半桥栅极驱动器
    型号：2EDL05N06PF 编号：C2676912
    封装：SOP-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是 600-V 半桥栅极驱动器系列。其薄膜-SOI 技术提供出色的耐用性和抗噪性。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600 V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。此外，离线钳位功能在 IC 未供电时，通过浮动栅极条件为寄生导通提供固有保护。
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    • 1+

      ￥4.84

    • 10+

      ￥4.72

    • 30+

      ￥4.64
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    电压:4V 电流:110mA
    型号：BAT 15-02LS E6433 编号：C533622
    封装：TSSLP-2-1
    品牌：Infineon(英飞凌)
    这是一款硅低势垒N型器件，片上集成保护环用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容特性，使其适合用于频率高达12 GHz应用中的混频器和探测器。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.35

    • 10+

      ￥5.22

    • 30+

      ￥4.65
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    1200V碳化硅肖特基二极管
    型号：IDM02G120C5 编号：C476126
    封装：TO-252-2
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：革命性的半导体材料——碳化硅。 无反向恢复电流/无正向恢复。 温度无关的开关特性。 即使在高工作温度下也具有低正向电压。 正向电压分布紧密。 出色的热性能。应用：太阳能逆变器。 不间断电源
    数据手册

    • 1+

      ￥10.78

    • 10+

      ￥9.04

    • 30+

      ￥7.94
  • 有货
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    具备过流保护（OCP）、使能（EN）、故障指示功能及集成自举二极管（BSD）的200 V和600 V三相栅极驱动器
    型号：6EDL04N06PT 编号：C533115
    封装：DSO-28
    品牌：Infineon(英飞凌)
    6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构
    数据手册

    • 1+

      ￥14.0635 ￥25.57

    • 10+

      ￥9.909 ￥22.02

    • 30+

      ￥6.9685 ￥19.91

    • 100+

      ￥6.223 ￥17.78

    • 500+

      ￥5.88 ￥16.8

    • 1000+

      ￥5.7225 ￥16.35
  • 有货
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    IDH10G65C6
    型号：IDH10G65C6 编号：C535873
    封装：TO-220-2
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥15.97

    • 10+

      ￥13.6

    • 50+

      ￥11.64

    • 100+

      ￥10.12

    • 500+

      ￥9.43

    • 1000+

      ￥9.13
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    第三代碳化硅肖特基二极管
    型号：IDH08SG60C 编号：C2959813
    封装：TO-220-2
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：革命性的半导体材料。碳化硅-开关性能基准-无反向恢复 / 无正向恢复-与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。击穿电压在 20mA² 下测试。应用：SMPS 例如；CCM PFC。电机驱动
    数据手册

    • 1+

      ￥23.2492 ￥44.71

    • 10+

      ￥18.7782 ￥44.71

    • 30+

      ￥14.3072 ￥44.71
  • 有货
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    IDW75D65D1
    型号：IDW75D65D1 编号：C535963
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥23.51

    • 10+

      ￥20.16

    • 30+

      ￥18.17
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    650V SiC肖特基二极管
    型号：IDH12G65C6XKSA1 编号：C2997929
    封装：TO-220-2
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolSiC第6代（G6）是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中得到了进一步提升，引入了新的肖特基金属系统等改进。其结果是形成了一个在所有负载条件下效率都有所提高的产品系列，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。650 V G6 CoolSiC肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOS第7代产品系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

    • 1+

      ￥27.69

    • 10+

      ￥23.54

    • 30+

      ￥21.07
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    IDH10G120C5
    型号：IDH10G120C5 编号：C535871
    封装：TO-220-2
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥33.9

    • 10+

      ￥29.1

    • 50+

      ￥26.25
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT5402VH6327XTSA1 编号：C2939947
    封装：SC-79
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。 保护环保护。 低正向电压。 无铅（符合RoHS标准）封装。 根据AEC Q101标准认证（BAT54-02LRH除外）
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3552

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      ￥0.3476

    • 150+

      ￥0.3426
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    BAR 64-03W E6327
    型号：BAR 64-03W E6327 编号：C533537
    封装：SOD-323
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

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      ￥0.6027

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      ￥0.5893

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      ￥0.5804

    • 500+

      ￥0.5714
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    电压:4V 电流:130mA
    型号：BAT17E6327HTSA1 编号：C672065
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)

    • 5+

      ￥0.6441

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      ￥0.5121

    • 150+

      ￥0.4461
  • 有货
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    电压:70V 电流:70mA
    型号：BAS7004E6327HTSA1 编号：C513279
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    硅肖特基二极管，用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频的通用二极管。
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