Infineon二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2EDL05N06PF 编号：C533066

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED05 是一款 600V 半桥栅极驱动器系列产品。其英飞凌薄膜绝缘体上硅（thin-film-SOI）技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容

数据手册

1+
￥4.8762 ￥7.74
10+
￥3.7259 ￥7.03
30+
￥2.8552 ￥6.64
100+
￥2.666 ￥6.2
500+
￥2.5843 ￥6.01
1000+
￥2.5456 ￥5.92

有货

立即购买

型号：IDP08E65D2 编号：C535907

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压，且随温度变化稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

数据手册

1+
￥6.3232 ￥8.32
10+
￥4.587 ￥6.95
50+
￥3.4776 ￥6.21
100+
￥3.0016 ￥5.36
500+
￥2.7888 ￥4.98
1000+
￥2.6936 ￥4.81

有货

立即购买

型号：IDW15E65D2 编号：C535940

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC针对目标应用的标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压且在温度范围内稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

数据手册

1+
￥8.8512 ￥13.83
10+
￥6.8796 ￥12.74
30+
￥5.3108 ￥12.07
90+
￥5.0028 ￥11.37
510+
￥4.8664 ￥11.06
990+
￥4.8048 ￥10.92

有货

立即购买

型号：IDH06SG60C 编号：C3758214

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关性能基准。无反向恢复 / 无正向恢复。与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。应用：SMPS（例如CCM PFC）。电机驱动

1+
￥12.81
10+
￥12.11
30+
￥11.7
100+
￥11.28

有货

立即购买

型号：BAT1705WH6327XTSA1 编号：C91446

封装：SOT-323(SC-70)

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于甚高频/超高频范围的混频器应用；适用于高速开关应用；采用无铅（符合 RoHS 标准）封装。

数据手册

5+
￥0.66953 ￥1.4555
50+
￥0.416988 ￥1.1583
150+
￥0.268034 ￥1.0309
500+
￥0.226694 ￥0.8719
3000+
￥0.208286 ￥0.8011
6000+
￥0.197236 ￥0.7586

有货

立即购买

型号：IDW20C65D2 编号：C535943

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷 (Qrr)。低正向电压 (VF) 且在不同温度下保持稳定。应用：连续导通模式 (CCM) 功率因数校正 (PFC) 中的升压二极管

数据手册

1+
￥9.4217 ￥13.27
10+
￥7.4603 ￥12.23
30+
￥5.9058 ￥11.58
90+
￥5.5641 ￥10.91
510+
￥5.4111 ￥10.61
990+
￥5.3448 ￥10.48

有货

立即购买

型号：IKW40N65ES5 编号：C467846

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术，为硬开关和软开关提供高速平滑开关装置。极低的VCEsat，标称电流下为1.35V。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥10.37
10+
￥8.81
30+
￥7.35
90+
￥6.35

有货

立即购买

型号：IDH06G65C6 编号：C535863

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

第6代CoolSiC（G6）是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中通过引入进一步的改进得到增强，如新型肖特基金属系统。其结果是形成了一个在所有负载条件下效率都有所提高的产品系列，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。650 V G6 CoolSiC肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOST 7系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

数据手册

1+
￥10.99
10+
￥9.18
50+
￥7.89
100+
￥6.76

有货

立即购买

型号：IDW100E60 编号：C168739

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：600V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压。 175℃结工作温度。应用：焊接。电机驱动

数据手册

1+
￥17.04
10+
￥14.36
30+
￥12.68
90+
￥10.96
480+
￥10.19
960+
￥9.85

有货

立即购买

型号：BAS1603WE6327HTSA1 编号：C3040062

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于高速开关应用,无铅(符合RoHS标准)封装

数据手册

5+
￥0.6126
50+
￥0.5083
150+
￥0.4561

有货

立即购买

型号：BAS5202VH6433XTMA1 编号：C3758354

封装：SC-79-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：中电流整流肖特基二极管。 200mA时正向电压低。高反向电压。无铅（符合RoHS标准）封装。符合AEC Q101标准

5+
￥0.6663
50+
￥0.6518
150+
￥0.6422
500+
￥0.60097 ￥0.6326

有货

立即购买

型号：BAS7005E6327HTSA1 编号：C3757438

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管，用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频的通用二极管。

5+
￥0.8132
50+
￥0.6432
150+
￥0.5582
500+
￥0.469775 ￥0.4945
3000+
￥0.40109 ￥0.4222
6000+
￥0.376865 ￥0.3967

有货

立即购买

型号：BAS170WE6327 编号：C5359844

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

通用型二极管，用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频。

数据手册

5+
￥1.0451
50+
￥0.8435
150+
￥0.7571
500+
￥0.6493

有货

立即购买

型号：BAT68E6327HTSA1 编号：C4468471

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于VHF/UHF范围内的混频器应用。适用于高速开关应用。无铅（符合RoHS标准）封装。应用：混频器应用。高速开关应用

1+
￥1.2375
10+
￥1.0722
30+
￥1.0014
100+
￥0.913
500+
￥0.8737
1000+
￥0.85

有货

立即购买

型号：BAT1704WH6327XTSA1 编号：C503474

封装：SOT-323-3

品牌：Infineon(英飞凌)

这些射频肖特基二极管是硅基低势垒 N 型器件，片上集成了用于过压保护的保护环。其低势垒高度、小正向电压和低结电容特性，使 BAT17 - 04W 成为适用于高达 6 GHz 频率的混频器和检测器应用的理想选择。

数据手册

5+
￥1.3987
50+
￥1.0862
150+
￥0.9523

有货

立即购买

型号：BAT6302VH6327XTSA1 编号：C2939951

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

低势垒二极管，适用于高达GHz频率的探测器；适用于高速应用；零偏置检测二极管；无铅（符合RoHS标准）封装

数据手册

5+
￥2.0682
50+
￥1.6395
150+
￥1.4558
500+
￥1.2266
3000+
￥1.1245
6000+
￥1.0633

订货

我要订货

型号：BAR6405WH6327XTSA1 编号：C152641

封装：SOT-323-3

品牌：Infineon(英飞凌)

该射频PIN二极管专为需要承受大射频电压的低失真开关而设计，适用于高达3 GHz的频率。其标称50μm的I区宽度与典型1.55μs的载流子寿命相结合，使二极管具有低正向电阻和低失真特性。

5+
￥3.97
50+
￥3.3
150+
￥2.97
500+
￥0.8712 ￥2.64
2500+
￥0.8052 ￥2.44
5000+
￥0.7689 ￥2.33

有货

立即购买

型号：IDV30E65D2 编号：C535936

封装：TO-220AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压且温度稳定性好。应用：连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）中的升压二极管

数据手册

1+
￥6.3954 ￥9.69
10+
￥5.3088 ￥9.48
50+
￥4.2964 ￥9.34
100+
￥4.232 ￥9.2

有货

立即购买

型号：IDW40E65D1 编号：C535956

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：650V发射极控制技术。关键参数的温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。低反向恢复电流 (Irm)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管

数据手册

1+
￥11.6608 ￥18.22
10+
￥8.4078 ￥15.57
30+
￥6.1204 ￥13.91
90+
￥5.3724 ￥12.21
510+
￥5.038 ￥11.45
990+
￥4.8928 ￥11.12

有货

立即购买

型号：FF600R12KE7 编号：C44038342

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气特性: -VCES = 1200V。 -ICnom = 600A / ICRM = 1200A。 -TRENCHSTOP IGBT7 VCE,sat 具有正温度系数。机械特性: -4 kV AC 1 分钟绝缘。 -高爬电和电气间隙距离。 -高功率密度。应用：伺服驱动器。太阳能应用

1+
￥696.44
30+
￥660

有货

立即购买

型号：BAR6402VH6327 编号：C115495

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

低插损天线开关射频pin二极管

数据手册

5+
￥0.8564
50+
￥0.6981
150+
￥0.6189
500+
￥0.5595

有货

立即购买

型号：BAS5202VH6327 编号：C672268

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：中电流整流肖特基二极管。 200mA时正向电压低。高反向电压。无铅（符合RoHS标准）封装。符合AEC Q101标准

数据手册

5+
￥1.1325
50+
￥0.8877
150+
￥0.7828
500+
￥0.6519

有货

立即购买

型号：BBY6602VH6327XTSA1 编号：C7466801

封装：SC-79-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高电容比。高Q超突变调谐二极管。低串联电阻。专为移动通信设备中压控振荡器的低调谐电压操作而设计。极低的电容散布。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

10+
￥1.62
100+
￥1.56
200+
￥1.44
1000+
￥1.38
2000+
￥1.344

我要订货

型号：BAS3007ARPPE6327 编号：C6430958

封装：SOT-143

品牌：Infineon(英飞凌)

小二极管四阵列，用于极性独立、反极性保护和低损耗桥式整流，典型正向电压非常低，为0.5V（@0.7A，每个二极管），开关速度快，采用无铅（符合RoHS标准）封装，符合AEC Q101标准。

1+
￥2.97
10+
￥2.32
30+
￥2.03
100+
￥1.68

有货

立即购买

型号：BAT 24-02LS E6327 编号：C533637

封装：0201

品牌：Infineon(英飞凌)

这是一款硅低势垒N型器件，片上集成保护环用于过压保护。其低势垒高度、小正向电压和低结电容，使其成为频率高达24 GHz的混频器和探测器功能的合适选择。

数据手册

1+
￥5.28
10+
￥5.17
30+
￥5.1
100+
￥5.03

有货

立即购买

型号：IDP40E65D2 编号：C535931

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压，且随温度变化稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

数据手册

1+
￥10.53
10+
￥8.75
50+
￥7.77
100+
￥6.66

有货

立即购买

型号：2ED21084S06JXUMA1 编号：C3655642

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2108 (4) S06F (J) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。它具备出色的耐用性和抗噪能力，在 VS 引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 V 的负瞬态电压时，仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象