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首页 > 热门关键词 > TOSHIBA二极管
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特性:4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 95 mΩ(最大值)(VGS = 10 V),RDS(ON) = 140 mΩ(最大值)(VGS = 4.5 V)。应用:电源管理开关。 DC-DC 转换器
数据手册
  • 5+

    ¥0.6649
  • 50+

    ¥0.5209
  • 150+

    ¥0.4489
  • 有货
    • 5+

      ¥0.7006
    • 50+

      ¥0.6857
    • 150+

      ¥0.6758
    • 500+

      ¥0.6658
  • 有货
  • CMOS单输出电压调节器,带有开/关控制输入,具有低压降、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应的特点。这些电压调节器提供1.0V至5.0V的固定输出电压,能够驱动高达200mA的电流。它们具有过流保护和自动放电功能。该系列在2.5V输出、I_OUT = 150mA时具有180mV的低压降,2.5V输出时输出噪声电压低至35μV_rms,负载瞬态响应仅为ΔV_OUT = ±60mV(I_OUT = 1mA⇔150mA,C_OUT = 1.0μF)。因此,适用于模拟和射频等敏感电源应用。
    • 5+

      ¥0.7942
    • 50+

      ¥0.6214
    • 150+

      ¥0.535
    • 500+

      ¥0.4702
    • 3000+

      ¥0.4184
  • 有货
  • 特性:高电压:VCEO = -120V。 高过渡频率:fr = 120MHz(典型值)。 小型扁平封装。 PC = 1至2W(安装在陶瓷基板上)。 与2SC2881互补。应用:电压放大器应用。 功率放大器应用
    • 2000+

      ¥0.6213
    • 3000+

      ¥0.6099
    • 10000+

      ¥0.6042
    特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 88.1mΩ(最大值,VGS = -1.5V)。 -RDS(ON) = 56.0mΩ(最大值,VGS = -1.8V)。 -RDS(ON) = 39.3mΩ(最大值,VGS = -2.5V)。 -RDS(ON) = 32.0mΩ(最大值,VGS = -4.5V)。应用:电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9959
    • 50+

      ¥0.8783
    • 150+

      ¥0.8279
    • 500+

      ¥0.765
    • 2500+

      ¥0.737
  • 有货
  • 特性:高速。 低功耗。 高抗噪性。 输出驱动能力。 对称输出阻抗:|IOH| = |IO| = 2mA(最小值)。 平衡传播延迟:tₚLH ≡ tₚHL。 宽工作电压范围:VCC = 2 至 6V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0246
    • 50+

      ¥0.7972
    • 150+

      ¥0.6998
  • 有货
  • ICINVERTER8-SSOP
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0531
    • 50+

      ¥0.8913
    • 150+

      ¥0.8219
  • 有货
  • 由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成。采用非常小且薄的 SO6 封装。比 DIP 封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4671
    • 50+

      ¥1.1647
    • 150+

      ¥1.0351
    • 500+

      ¥0.8734
  • 有货
  • TC7WBL3305CFK 和 TC7WBL3306CFK 是低电压/低电容 CMOS 2位总线开关。低导通电阻允许连接具有最小传播延迟时间。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4925
    • 50+

      ¥1.314
    • 150+

      ¥1.2375
    • 500+

      ¥1.142
    • 3000+

      ¥1.0995
    • 6000+

      ¥1.074
  • 有货
  • 是低输入和高隔离型光耦合器,由光电晶体管和红外 LED 光耦合组成,采用 SO4 封装。保证高隔离电压 (3750 Vrms) 和较宽工作温度范围 (-55 至 125℃),适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5513
    • 50+

      ¥1.3414
    • 150+

      ¥1.2515
    • 500+

      ¥1.1393
  • 有货
  • 特性:最适合为TTL/CMOS供电。 无需外部组件。 内置过热保护。 内置过流保护。 最大输出电流为150mA(Tj = 25℃)。 采用PW-mini(SOT-89)封装
    • 5+

      ¥1.5572
    • 50+

      ¥1.2447
    • 150+

      ¥1.1108
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE 在 400 至 1000 之间(IC = 0.1A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 0.17V(最大值)。 高速开关:tf = 85 ns(典型值)。应用:高速开关应用。 DC-DC 转换器应用
    • 5+

      ¥1.5831
    • 50+

      ¥1.2303
    • 150+

      ¥1.0791
  • 有货
  • 74VHC4066AFT是一款高速、低电压驱动的四通道双边开关,采用C2MOS技术。适用于3V和5V系统,具有高操作速度和低功耗的特点。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5974
    • 50+

      ¥1.2392
    • 150+

      ¥1.0856
    • 500+

      ¥0.8941
  • 有货
  • TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器,采用SO4封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.86
    • 10+

      ¥1.6
    • 30+

      ¥1.5
    • 100+

      ¥1.36
    • 500+

      ¥1.3
    • 1000+

      ¥1.26
  • 有货
  • 特性:1.5-V drive。 低漏源导通电阻:ΔRDS(ON) = 66mΩ (最大值) (@VGS = 1.5V)。 RDS(ON) = 43mΩ (最大值) (@VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 32mΩ (最大值) (@VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 28mΩ (最大值) (@VGS = 4.0V)。应用:电源管理开关。 高速开关
    • 5+

      ¥1.8621
    • 50+

      ¥1.4489
    • 150+

      ¥1.2719
    • 500+

      ¥1.0509
  • 有货
  • 是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 3至8线解码器。它实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速运行,同时保持了CMOS的低功耗特性。当器件使能时,3个二进制选择输入(A、B和C)决定哪个输出(Y0-Y7)将变为高电平。当使能输入G1为低电平,或者G2A(overline)或G2B(overline)为高电平时,解码功能被禁止,所有输出变为低电平
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9862
    • 50+

      ¥1.5475
    • 150+

      ¥1.3594
    • 500+

      ¥1.1248
  • 有货
  • 高速CMOS双1-2多路复用器/解复用器,适用于USB2.0 (480Mbps)应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0598
    • 50+

      ¥1.6067
    • 150+

      ¥1.4125
    • 500+

      ¥1.1702
    • 2000+

      ¥1.0623
  • 有货
  • 74HC4051D:8通道模拟多路复用器/解复用器 74HC4052D:双4通道模拟多路复用器/解复用器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.45
    • 10+

      ¥1.91
    • 30+

      ¥1.68
    • 100+

      ¥1.39
    • 500+

      ¥1.26
  • 有货
    • 1+

      ¥2.46
    • 10+

      ¥1.92
    • 30+

      ¥1.69
    • 100+

      ¥1.39
  • 有货
  • 八进制总线收发器。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持了CMOS的低功耗。用于数据总线之间的双向异步通信。数据传输方向由DIR输入的电平决定。使能输入 (G(overline)) 可用于禁用该器件,以使总线有效隔离。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5.5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下,可向输入和输出引脚施加0V至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配(如备用电池等)而导致的器件损坏。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.69
    • 10+

      ¥2.14
    • 30+

      ¥1.9
    • 100+

      ¥1.61
  • 有货
  • 高开关速度、低功耗、高噪声免疫性、低导通电阻的双4通道模拟多路复用器/解复用器。
    • 1+

      ¥2.92
    • 10+

      ¥2.58
    • 30+

      ¥2.41
    • 100+

      ¥2.24
    • 500+

      ¥2.13
    • 1000+

      ¥2.08
  • 有货
    • 1+

      ¥3.03
    • 10+

      ¥2.41
    • 30+

      ¥2.15
    • 100+

      ¥1.82
    • 500+

      ¥1.67
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.4 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 60V)。 增强模式:VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥3.5916 ¥4.38
    • 10+

      ¥2.9274 ¥3.57
    • 50+

      ¥2.5994 ¥3.17
    • 100+

      ¥2.2714 ¥2.77
    • 500+

      ¥2.0664 ¥2.52
    • 1000+

      ¥1.968 ¥2.4
  • 有货
  • TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成,并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装,保证爬电距离最小为 5.0 毫米,电气间隙最小为 5.0 毫米,绝缘厚度最小为 0.4 毫米。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.19
    • 10+

      ¥3.74
    • 30+

      ¥3.52
    • 100+

      ¥3.3
    • 500+

      ¥3.17
    • 1000+

      ¥3.1
  • 有货
  • 适用于音频低噪声放大器应用,在一个 SM5(超小型 5 引脚)封装中包含两个器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.17
    • 10+

      ¥4.18
    • 30+

      ¥3.68
  • 有货
  • 特性:7 电路内置。 高电压:VDUT = 50V(最大值)。 高电流:IOUT = 300mA/ch(最大值)。 输入电压(输出开启):TBD62502A 系列 14V(最小值),TBD62503A 系列 2.5V(最小值)。 输入电压(输出关闭):TBD62502A 系列 7.0V(最大值),TBD62503A 系列 0.6V(最大值)。 封装:PG 型 DIP16-P-300-2.54A;FG 型 SOP16-P-225-1.27;FNG 型 SSOP16-P-225-0.65B;FWG 型 P-SOP16-0410-1.27-002
    数据手册
    • 1+

      ¥6.29
    • 10+

      ¥5.11
    • 30+

      ¥4.51
    • 100+

      ¥3.92
    • 500+

      ¥3.57
  • 有货
    • 1+

      ¥6.82
    • 10+

      ¥5.56
    • 30+

      ¥4.93
    • 100+

      ¥4.3
    • 500+

      ¥3.93
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.31Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 8.5S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0 ± 0.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥7.74
    • 10+

      ¥6.43
    • 50+

      ¥5.71
    • 100+

      ¥4.9
  • 有货
  • 是一款5-Mbps低功耗光电耦合器,采用小型SO6L封装,厚度最大为2.3mm。保证隔离电压为5kVrms,符合加强绝缘的国际安全标准。在-40至125℃的整个工作温度范围内,最大电源电流仅为0.3mA,可在低至2.7V的电源电压下工作,有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA,允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±25kV/μs。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.85
    • 10+

      ¥7.28
    • 30+

      ¥6.41
    • 100+

      ¥5.43
    • 500+

      ¥5
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.17 Ω(典型值),采用超级结结构:DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.5 至 3.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.9 mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.87
    • 10+

      ¥8.09
    • 50+

      ¥7.59
    • 100+

      ¥7.09
  • 有货
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