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首页 > 热门关键词 > TOSHIBA二极管
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是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
  • 1+

    ¥2.3
  • 10+

    ¥2
  • 30+

    ¥1.87
  • 100+

    ¥1.7
  • 500+

    ¥1.63
  • 1000+

    ¥1.58
  • 有货
  • 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。它在保持 CMOS 低功耗的同时,实现了与等效 LSTTL 相似的高速运行。内部电路由三级组成,包括缓冲输出,提供高抗噪性和稳定输出。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.36
    • 10+

      ¥2.3
    • 30+

      ¥2.26
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101 合格。低漏源导通电阻:RDS(ON) = 23 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。增强模式:VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用:汽车。电机驱动器
    • 1+

      ¥2.37
    • 10+

      ¥2.09
    • 30+

      ¥1.95
    • 100+

      ¥1.81
    • 500+

      ¥1.73
  • 有货
  • 是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器,由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄,符合加强绝缘的国际安全标准,因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    • 1+

      ¥2.84
    • 10+

      ¥2.5
    • 30+

      ¥2.34
    • 100+

      ¥2.17
    • 500+

      ¥2.07
    • 1500+

      ¥2.02
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.45Ω(典型值)。高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0S(典型值)。低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 500V)。增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关调节器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥3.5872 ¥11.21
    • 10+

      ¥2.1076 ¥9.58
    • 50+

      ¥1.0272 ¥8.56
    • 100+

      ¥0.9024 ¥7.52
    • 500+

      ¥0.846 ¥7.05
    • 1000+

      ¥0.8208 ¥6.84
  • 有货
  • 7路输出,电压负载最大50V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.81
    • 10+

      ¥3.4596 ¥3.72
    • 30+

      ¥3.0378 ¥3.66
    • 100+

      ¥2.9963 ¥3.61
  • 有货
    • 1+

      ¥4.53
    • 10+

      ¥3.63
    • 30+

      ¥3.17
    • 100+

      ¥2.72
    • 500+

      ¥2.45
    • 1500+

      ¥2.31
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0S (典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关调节器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.59
    • 10+

      ¥3.76
    • 50+

      ¥3.34
  • 有货
  • 74VHC20FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS四输入与非门。它在保持CMOS低功耗的同时,能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.64
    • 10+

      ¥3.78
    • 30+

      ¥3.35
    • 100+

      ¥0.6424 ¥2.92
    • 500+

      ¥0.5852 ¥2.66
    • 1000+

      ¥0.5566 ¥2.53
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 7.5 nC(典型值)。 小输出电荷:Q_SS = 24 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 9.8 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_KSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 100 V)。 增强模式:V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥4.91
    • 10+

      ¥4.79
    • 30+

      ¥4.72
    • 100+

      ¥4.64
  • 有货
  • 适用于音频低噪声放大器应用,在一个 SM5(超小型 5 引脚)封装中包含两个器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.17
    • 10+

      ¥4.18
    • 30+

      ¥3.68
  • 有货
  • 低电压八进制 D 型触发器,具有 5V 容限输入和输出。设计用于 3.3V 系统,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件设计用于低电压(3.3V)VCC 应用,但也可用于与 5V 电源环境的输入和输出接口。这个 8 位 D 型触发器由时钟输入(CK)和输出使能输入(OE)控制。当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻态。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.8
    • 10+

      ¥4.72
    • 30+

      ¥4.18
    • 100+

      ¥1.4965 ¥3.65
    • 500+

      ¥1.3653 ¥3.33
    • 1000+

      ¥1.2956 ¥3.16
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 80 mΩ(典型值)(VGS = -10V)。 低泄漏电流:ILS = -10 μA(最大值)(VDS = -60V)。 增强模式:VDM = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。应用:汽车。 电机驱动器
    • 1+

      ¥6.23
    • 10+

      ¥5.02
    • 30+

      ¥4.41
    • 100+

      ¥3.81
  • 有货
  • 是一款5-Mbps低功耗光电耦合器,采用小型SO6L封装,厚度最大为2.3mm。保证隔离电压为5kVrms,符合加强绝缘的国际安全标准。在-40至125℃的整个工作温度范围内,最大电源电流仅为0.3mA,可在低至2.7V的电源电压下工作,有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA,允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±25kV/μs。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.85
    • 10+

      ¥7.28
    • 30+

      ¥6.41
    • 100+

      ¥5.43
    • 500+

      ¥5
  • 有货
  • 特性:高集电极电压:ΔVCEO = 230 V(最小值)。 与2SA1943N互补。 推荐用于100W高保真音频放大器输出级。应用:功率放大器
    • 1+

      ¥9.1
    • 10+

      ¥7.56
    • 25+

      ¥6.72
    • 100+

      ¥5.76
  • 有货
  • 特性:第四代。 增强模式。 高速开关:U = 0.20 μs(典型值)(IC = 50 A)。 低饱和电压:VCE(sat) = 1.7V(典型值)(IC = 50 A)。应用:专用电流谐振逆变器开关应用。 专用部分开关功率因数校正(PFC)应用
    数据手册
    • 1+

      ¥11.43
    • 10+

      ¥9.72
    • 25+

      ¥7.86
    • 100+

      ¥6.76
  • 有货
  • TB62747 系列是专为 LED 和 LED 面板显示器设计的恒流驱动器。调节电流源旨在通过一个外部电阻提供可调的恒定电流。TB62747 系列集成了 16 通道的移位寄存器、锁存器、与门和恒流输出。该系列采用 Bi-CMOS 工艺制造,满足高速数据传输的系统需求。它可以在 3.3 或 5.0 V 的电源下工作。主要特性包括:- 内置 16 路输出- 输出电流设置范围:在 VDD = 3.3 V, V0 = 0.4 至 1.0 V 时为 1.5 至 35 mA;在 VDD = 5.0 V, V0 = 0.4 至 1.2 V 时为 1.5 至 45 mA- 电流精度(REXT = 1.2 kΩ, V0 = 0.4 V, VDD = 3.3 V, S.0 V):输出之间 ±1.5%(最大值);器件之间 ±1.5%(最大值)- 高速输出切换:tE(L) = 100 ns(最小值)- 控制数据格式:串行输入并行输出- 输入信号电压电平:3.3 V 和 5.0 V CMOS 接口(施密特触发器输入)- 串行数据传输速率:fSCK = 25 MHz(最大值)@ 级联连接- 电源电压:VDD = 3.0 V 至 5.5 V- 工作温度范围:Topr = -40 至 85 °C- 输出电压:VO = 26 V(最大值)- 上电复位 (POR)- 封装:AFG 类型:SSOP24-P-300-1.00B;AFNG 类型:SSOP24-P-300-0.65A重量:- SSOP24-P-300-1.00B:0.29 g(典型值)- SSOP24-P-300-0.65A:0.14 g(典型值)引脚功能包括:- GND:接地引脚。- SIN:串行数据输入引脚。- SCK:串行数据传输时钟输入引脚。数据在上升沿移位。- SLAT:锁存信号输入引脚。数据在低电平时保存。- OUT0 至 OUT15:灌电流型恒流输出引脚。- OE:恒流输出使能信号输入引脚。在“高”电平时,输出将被强制关闭。- SOUT:串行数据输出引脚。- REXT:恒流值设定电阻连接引脚。然后将电阻连接到地。所有输出电流都设置为相同。- VDD:电源输入引脚。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.7901 ¥47.71
    • 10+

      ¥9.5949 ¥45.69
    • 30+

      ¥4.8906 ¥44.46
    • 100+

      ¥4.7773 ¥43.43
  • 有货
  • 是高度集成的4.0A输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器,采用长爬电距离和电气间隙的SO16L封装。这款智能栅极驱动器光电耦合器具备IGBT去饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT软关断、有源米勒钳位和欠压锁定 (UVLO) 等功能。适用于驱动逆变器应用中的IGBT和功率MOSFET,由两个红外LED和两个高增益、高速IC组成,可实现高电流、高速输出控制和输出故障状态反馈。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.9904 ¥27.76
    • 10+

      ¥10.5204 ¥23.91
    • 30+

      ¥7.3508 ¥21.62
    • 100+

      ¥6.562 ¥19.3
    • 500+

      ¥6.2016 ¥18.24
    • 1500+

      ¥6.0384 ¥17.76
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 28 nC(典型值)。 小输出电荷:Q_SS = 90 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 1.9 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_RSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 80 V)。 增强模式:V_th = 2.5 至 3.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥15.7
    • 10+

      ¥13.18
    • 30+

      ¥11.6
    • 100+

      ¥9.98
  • 有货
  • 由一个红外LED和一个光MOSFET耦合组成,采用4引脚SO6封装。该光继电器比光电晶体管型光电耦合器具有更高的输出电流额定值,因此适用于大电流的通断控制。
    • 1+

      ¥15.85
    • 10+

      ¥13.41
    • 30+

      ¥11.89
    • 100+

      ¥10.32
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 小型、薄型封装。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.4 mΩ(典型值)(VGS = -10V)。 低泄漏电流:IHSS = -10μA(最大值)(VDS = -40V)。 增强模式:Vth = -1.0至-2.1V(VDS = -10V ID = -1.0mA)。应用:汽车。 开关稳压器
    • 1+

      ¥16.45
    • 10+

      ¥13.98
    • 30+

      ¥12.44
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:使用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.073Ω(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强型:Vth = 2.7至3.7V(VDS = 10V,ID = 1.5mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥17.3415 ¥52.55
    • 10+

      ¥10.4857 ¥45.59
    • 30+

      ¥5.3755 ¥41.35
    • 90+

      ¥4.914 ¥37.8
  • 有货
  • PWM斩波型单芯片双极正弦微步步进电机驱动器。支持正向和反向旋转控制,具有2相、1-2相、W1-2相、2W1-2相和4W1-2相励磁模式。仅通过时钟信号即可驱动2相双极型步进电机,具有低振动和高效率的特点。
    数据手册
    • 1+

      ¥45.36
    • 10+

      ¥38.77
    • 30+

      ¥34.76
    • 100+

      ¥31.4
  • 有货
  • 42V/4.5A大电流步进电机驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥52.1
    • 10+

      ¥44.49
    • 28+

      ¥38.96
  • 有货
  • 特性:高电压和高电流:VCEO =-50V,IC =-150mA (max)。 出色的hFE线性度:hFE (IC =-0.1mA) / hFE (IC =-2mA) = 0.98 (typ.)。 高hFE:hFE = 70至400。 低噪声:NF = 1dB (typ.),10dB (max)。 与2SC2712互补。 小封装。应用:音频通用放大器应用
    数据手册
    • 3000+

      ¥0.138
    • 3000+

      ¥0.132
    • 9000+

      ¥0.1284
    2-输入异或门
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3059
    • 50+

      ¥0.2984
    • 150+

      ¥0.2934
  • 有货
  • 应用:低频放大器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3476
    • 100+

      ¥0.2715
    • 300+

      ¥0.2335
  • 有货
  • 特性:小反向传输电容:Cre = 0.7 pF(典型值)。 低噪声系数:NF = 2.5 dB(典型值)。应用:高频放大器应用。 FM、RF、MIX、IF放大器应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3549
    • 100+

      ¥0.2781
    • 300+

      ¥0.2396
  • 有货
  • 适用于开关、逆变器电路、接口电路和驱动电路应用。
    • 1+

      ¥0.44418 ¥1.4806
    • 10+

      ¥0.23564 ¥1.1782
    • 30+

      ¥0.10486 ¥1.0486
    • 100+

      ¥0.08869 ¥0.8869
    • 500+

      ¥0.08149 ¥0.8149
    • 1000+

      ¥0.07717 ¥0.7717
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = 120V。 出色的hFE线性度:hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95(典型值)。 高hFE:hFE = 200至700。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。 与2SA1163互补。应用:音频频率通用放大器应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4564
    • 100+

      ¥0.3652
    • 300+

      ¥0.3196
  • 有货
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