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价格(含税)

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TLP5754(D4-TP4,E(T

型号：TLP5754(D4-TP4,E 编号：C38846771

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

1+
￥4.29
10+
￥3.79
30+
￥3.53
100+
￥3.28
500+
￥3.13

有货

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8位移位寄存器（并行输入，串行输出）

型号：TC74HC165AF(EL,F) 编号：C7121109

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS 8位并行/串行输入、串行输出移位寄存器，采用硅栅C²MOS技术制造。它能实现与等效LSTTL相似的高速操作，同时保持CMOS的低功耗特性。由带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出8位移位寄存器组成。当SHIFT/LOAD输入为高电平时，串行数据输入启用，8个触发器随每个时钟脉冲进行串行移位。当SHIFT/LOAD输入为低电平时，并行数据在时钟脉冲的正跳变沿异步加载到寄存器中。CK-INH输入仅在CK输入为高电平时应置为高电平。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

1+
￥5.17
10+
￥4.64
30+
￥4.36
100+
￥4.03
500+
￥3.89

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步进电机驱动IC

型号：TB6674FG(Z,8,EL) 编号：C4153826

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款带有MOS输出晶体管的步进电机驱动IC。该IC可以通过双极驱动控制两相步进电机的正反转。包含一个节能电路和一个待机电路。

1+
￥6.69
10+
￥5.5
30+
￥4.85
100+
￥4.11
500+
￥3.78

有货

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7通道灌电流型DMOS晶体管阵列

型号：TBD62503AFNG(Z,EL) 编号：C5381640

封装：SSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

7通道灌电流型DMOS晶体管阵列是具有7个电路的DMOS晶体管阵列。使用时请留意热条件。

数据手册

1+
￥6.73
10+
￥5.46
30+
￥4.83
100+
￥4.2
500+
￥3.82
1000+
￥3.62

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:46A

型号：TK6R7P06PL,RQ(S2 编号：C6553784

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 8.7 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 23 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 5.0 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 60 V)。增强模式：V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥7.57
10+
￥7.38
30+
￥7.25
100+
￥7.12

有货

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1个N沟道耐压:100V

型号：TK22E10N1,S1X(S 编号：C5360502

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 11.5 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥7.76
10+
￥6.42
50+
￥5.69
100+
￥4.86

有货

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场效应晶体管音频低噪声放大器应用

型号：2SK2145-GR(TE85L,F 编号：C5367351

封装：SOT-23-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频低噪声放大器应用，在一个 SM5（超小型 5 引脚）封装中包含两个器件。

1+
￥8.35
10+
￥6.84
30+
￥6.01
100+
￥5.07

有货

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光耦合器IGBT/Power MOSFET栅极驱动

型号：TLP5214(TP,E 编号：C17414166

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5214是一款高度集成的输出电流为4.0A的IGBT栅极驱动光耦，采用长爬电距离和电气间隙的SO16L封装。TLP5214是一款智能栅极驱动光耦，具备IGBT去饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT软关断、有源米勒钳位以及欠压锁定（UVLO）等功能。

1+
￥13.38
10+
￥12.13
30+
￥11.34
100+
￥10.54
500+
￥10.17

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:90A

型号：TJ90S04M3L,LXHQ 编号：C5986388

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.4 mΩ（典型值）。低漏电流：IDSS = -10 μA（最大值）(VDS = -40V)。增强模式：VDM = -1.0 至 -2.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。应用：汽车。电机驱动器

1+
￥15.34
10+
￥12.83
30+
￥11.26
100+
￥9.65

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V

型号：TLP3412(TP,F 编号：C2653904

封装：VSON-4(1.5x2.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

光MOSFET与红外LED光耦合，采用VSON4封装。具有低CR乘积和低导通电阻，因此可提供高导通电流。

数据手册

1+
￥29.31
10+
￥24.89
30+
￥22.26
100+
￥19.6

有货

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PNP 电流:100mA 电压:120V

型号：2SA1587-GR,LF 编号：C2762671

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于音频通用放大应用。

数据手册

5+
￥0.219526 ￥0.5777
50+
￥0.129416 ￥0.4622
150+
￥0.07281 ￥0.4045
500+
￥0.065016 ￥0.3612
3000+
￥0.058788 ￥0.3266
6000+
￥0.055674 ￥0.3093

有货

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NPN 50V 100mA

型号：RN1403,LF 编号：C17524141

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2401至RN2406互补。应用：开关。逆变器电路

20+
￥0.2447
200+
￥0.1967
600+
￥0.1727

有货

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耐压:30V 电流:100mA

型号：SSM3K15AFS,LF 编号：C150117

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,30V,0.1A,3.6Ω@4V

数据手册

10+
￥0.2671
100+
￥0.2092
300+
￥0.1803

有货

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带偏置电阻的晶体管

型号：RN2303,LF 编号：C5381791

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN1301至RN1306互补。应用：开关。逆变器电路

数据手册

10+
￥0.3089
100+
￥0.2417
300+
￥0.2081

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100mA

型号：SSM3K15AFU,LF 编号：C146302

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：2.5V驱动。低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω (max) (VGS = 4V)；RDS(ON) = 6.0Ω (max) (VGS = 2.5V)。应用：负载开关应用

数据手册

10+
￥0.3629
100+
￥0.2878
300+
￥0.2502

有货

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PNP 电流:150mA 电压:50V

型号：HN1A01FU-GR,LF 编号：C6631774

封装：TSSOP-6(SC-88)SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装（双类型）。高电压：VCEO = -60 V。高集电极电流：IC = -150 mA (max)。高hFE：hFE = 120 to 400。出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1 mA)/hFE (IC = -2 mA) = 0.95 (typ.)。应用：低频放大器

10+
￥0.4789
100+
￥0.3846
300+
￥0.3375
3000+
￥0.3021

有货

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CMOS数字集成电路单片硅TC7S66F/FU双边开关

型号：TC7S66FU,LF 编号：C6284096

封装：SSOP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7S66F/FU是一款高速C2MOS双边开关，采用硅栅C2MOS技术制造。它能够控制数字或模拟信号，并保持低功耗。

5+
￥0.507
50+
￥0.449
150+
￥0.42
500+
￥0.3983
3000+
￥0.3809

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:9A

型号：SSM3K335R,LF 编号：C396057

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道 30V 6A

数据手册

1+
￥0.519618 ￥1.5746
10+
￥0.28819 ￥1.253
30+
￥0.144976 ￥1.1152
100+
￥0.122616 ￥0.9432
500+
￥0.112658 ￥0.8666
1000+
￥0.106691 ￥0.8207

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:180mA

型号：SSM3K35CT,L3F 编号：C396056

封装：CST-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道 20V

数据手册

5+
￥0.549
50+
￥0.429
150+
￥0.369
500+
￥0.324

有货

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1个N沟道耐压:30V

型号：SSM3K336R,LF 编号：C5331528

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 95 mΩ (最大值) (@VGS = 10 V)；RDS(ON) = 140 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥0.6589
50+
￥0.5149
150+
￥0.4429
500+
￥0.3889

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:100mA

型号：SSM3K16FU,LF 编号：C7018610

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：适合高密度安装，封装紧凑。低导通电阻：Ron = 3.0Ω 最大 (@VGS = 4V)；Ron = 4.0Ω 最大 (@VGS = 2.5V)；Ron = 15Ω 最大 (@VGS = 1.5V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

5+
￥0.6619
50+
￥0.5179
150+
￥0.4459
500+
￥0.3919

有货

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1.8V 200mA 5.5V

型号：TCR2EE18,LM(CT 编号：C6552089

封装：SOT-553

品牌：TOSHIBA(东芝)

CMOS单输出电压调节器，带有开/关控制输入，具有低压降、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应的特点。这些电压调节器提供1.0V至5.0V的固定输出电压，能够驱动高达200mA的电流。它们具有过流保护和自动放电功能。该系列在2.5V输出、I_OUT = 150mA时具有180mV的低压降，2.5V输出时输出噪声电压低至35μV_rms，负载瞬态响应仅为ΔV_OUT = ±60mV（I_OUT = 1mA⇔150mA，C_OUT = 1.0μF）。因此，适用于模拟和射频等敏感电源应用。

5+
￥0.6649
50+
￥0.5209
150+
￥0.4489
500+
￥0.3949
2500+
￥0.3517

有货

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CMOS数字集成电路施密特反相器

型号：TC7SZ14F,LJ(CT 编号：C388849

封装：SOT-25-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q100 (Rev. H)。宽工作温度范围：Topt = -40 至 125℃。高输出电流：在 VCC = 3.0V 时为 ±24mA（最小值）。超高速运行：在 VCC = 5.0V、CL = 50pF 时，tpd = 3.7ns（典型值）。工作电压范围：VCC = 1.65 至 5.5V。 5.5V 耐压输入。 5.5V 掉电保护输出。在 3.3V VCC 下运行时，性能与 TC74LCX 系列匹配

5+
￥0.729894 ￥1.1059
50+
￥0.492184 ￥0.8789
150+
￥0.359536 ￥0.7816
500+
￥0.303692 ￥0.6602
3000+
￥0.278806 ￥0.6061
6000+
￥0.263902 ￥0.5737

有货

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1个P沟道耐压:12V

型号：SSM6J216FE,LF(A 编号：C5362148

封装：ES6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 88.1mΩ（最大值，VGS = -1.5V）。 -RDS(ON) = 56.0mΩ（最大值，VGS = -1.8V）。 -RDS(ON) = 39.3mΩ（最大值，VGS = -2.5V）。 -RDS(ON) = 32.0mΩ（最大值，VGS = -4.5V）。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥0.8917
50+
￥0.7741
150+
￥0.7237
500+
￥0.6608
2500+
￥0.6328

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:400mA

型号：SSM3K7002KF,LXHF 编号：C7088738

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@ VGS = 10V)；RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@ VGS = 5.0V)；RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@ VGS = 4.5V)。应用：高速开关

5+
￥0.9617
50+
￥0.7453
150+
￥0.6526
500+
￥0.5369

有货

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2SA1213-Y(TE12R,ZC

型号：2SA1213-Y(TE12R,ZC 编号：C261916

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.0186
50+
￥0.7918
150+
￥0.6946

有货

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NPN 电流:300mA 电压:20V

型号：2SC4213-B(TE85L,F) 编号：C516169

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于静音和开关应用。

数据手册

5+
￥1.1172
50+
￥0.8908
150+
￥0.7938
500+
￥0.6727

有货

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1.5V@100nA

型号：2SK880-Y(TE85L,F) 编号：C17489141

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频低噪声放大器应用

5+
￥1.2329
50+
￥0.9557
150+
￥0.8369
500+
￥0.6887

有货

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低电压、低电容双总线开关

型号：TC7WBL3305CFK,LF 编号：C2652447

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7WBL3305CFK 和 TC7WBL3306CFK 是低电压/低电容 CMOS 2位总线开关。低导通电阻允许连接具有最小传播延迟时间。

数据手册

5+
￥1.4925
50+
￥1.314
150+
￥1.2375
500+
￥1.142
3000+
￥1.0995
6000+
￥1.074

有货

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CMOS数字集成电路

型号：TC7WZ74FK,LXGJ(CT 编号：C22385173

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

带预置和清零功能的D型触发器。

5+
￥1.5287
50+
￥1.191
150+
￥1.0463
500+
￥0.8657

有货

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