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首页 > 热门关键词 > TOSHIBA二极管
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CMOS单输出电压调节器,带有开/关控制输入,具有低压降、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应的特点。这些电压调节器提供1.0V至5.0V的固定输出电压,能够驱动高达200mA的电流。它们具有过流保护和自动放电功能。该系列在2.5V输出、I_OUT = 150mA时具有180mV的低压降,2.5V输出时输出噪声电压低至35μV_rms,负载瞬态响应仅为ΔV_OUT = ±60mV(I_OUT = 1mA⇔150mA,C_OUT = 1.0μF)。因此,适用于模拟和射频等敏感电源应用。
  • 5+

    ¥0.6247
  • 50+

    ¥0.4903
  • 150+

    ¥0.4231
  • 500+

    ¥0.3727
  • 有货
  • 特性:4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 145 mΩ(最大值)(VGS = 4.5V);RDS(ON) = 107 mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用:负载开关。 超高速开关
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      ¥0.6589
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      ¥0.5149
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  • 有货
  • 特性:适合高密度安装,封装紧凑。 低导通电阻:Ron = 3.0Ω 最大 (@VGS = 4V);Ron = 4.0Ω 最大 (@VGS = 2.5V);Ron = 15Ω 最大 (@VGS = 1.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
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      ¥0.6619
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      ¥0.5179
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      ¥0.3919
  • 有货
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      ¥0.5306
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      ¥0.4586
    • 500+

      ¥0.4046
  • 有货
  • 八进制总线缓冲器 74VHC240FT:反相三态输出 74VHC244FT:同相三态输出 74VHC240FT 和 74VHC244FT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。
    • 5+

      ¥0.7685
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      ¥0.7527
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      ¥0.7421
  • 有货
  • 2SK880是一款低噪声音频频率放大器用N沟道结型场效应管。具有高输入阻抗、低噪声和高栅漏击穿电压等特性。
    • 5+

      ¥0.9927
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      ¥0.7911
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      ¥0.7047
    • 500+

      ¥0.5969
  • 有货
  • 适用于音频低噪声放大器应用
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      ¥1.0023
    • 50+

      ¥0.8868
    • 150+

      ¥0.8373
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      ¥0.7755
  • 有货
  • 适用于静音和开关应用。
    数据手册
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      ¥1.109
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      ¥0.8826
    • 150+

      ¥0.7856
    • 500+

      ¥0.6646
  • 有货
  • 特性:低饱和电压:VCE (sat) =-0.5V (最大值) (IC =-1.5A)。 高速开关时间:tSTG = 0.2 μs (典型值)。 小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0 W (安装在陶瓷基板上)。 与2SC4541互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1425
    • 50+

      ¥0.9132
    • 150+

      ¥0.815
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE 在 400 至 1000 之间(IC = 0.1A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 0.17V(最大值)。 高速开关:tf = 85 ns(典型值)。应用:高速开关应用。 DC-DC 转换器应用
    • 5+

      ¥1.3448
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      ¥1.0676
    • 150+

      ¥0.9488
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    • 5000+

      ¥0.695
  • 有货
  • 是低电压/低电容CMOS 2位4选1复用器/解复用器。开关的低导通电阻允许以最小的传播延迟时间进行连接。该器件由两个独立的四输入复用器/解复用器组成,具有公共选择输入 (S1, S0) 和输出使能 (OE(overline))。A输入根据选择输入 (S1, S0) 和输出使能 (OE(overline)) 的组合连接到B1至B4输出。当输出使能 (OE(overline)) 输入保持在 “H” 电平时,无论选择输入的状态如何,开关均断开,并且开关之间存在高阻抗状态。所有输入均配备有防静电放电保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.467 ¥3.26
    • 10+

      ¥1.314 ¥2.92
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      ¥1.233 ¥2.74
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      ¥1.1565 ¥2.57
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      ¥1.1115 ¥2.47
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      ¥1.089 ¥2.42
  • 有货
  • 适用于开关、逆变器电路、接口电路和驱动电路应用。
    • 1+

      ¥1.4806
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      ¥1.1782
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  • 有货
  • 特性:低饱和电压:VCE(saq) = 0.5V 最大 (I = 1.5A)。 高速开关时间:tSTG = 0.5 μs(典型值)。 小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0W(安装在陶瓷基板上)。 与 2SA1736 互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用
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      ¥1.5069
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      ¥1.2045
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      ¥1.0749
  • 有货
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      ¥1.2601
    • 150+

      ¥1.1211
    • 500+

      ¥0.9476
    • 3000+

      ¥0.8703
    • 6000+

      ¥0.824
  • 有货
  • 特性:低集电极发射极饱和电压:VCE (sat) =-0.5V 最大 (IC =-1A)。 高速开关:tstg = 300 ns(典型值)。 与2SC6124互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7195
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      ¥1.1795
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      ¥0.8334
  • 有货
  • TC7W125FU 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 C²MOS 双总线缓冲器。它在保持 C²MOS 低功耗的同时,能实现与等效 LSTTL 类似的高速运行。该器件需要将三态控制输入 G(上划线)设置为高电平,以使输出进入高阻态
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7398
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      ¥1.3517
    • 150+

      ¥1.1854
    • 500+

      ¥0.9779
    • 3000+

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    • 6000+

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  • 有货
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      ¥1.75
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      ¥1.2
  • 有货
  • 是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS 4位二进制计数器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速操作,同时保持CMOS的低功耗特性。该器件在一个封装中包含两个独立的计数器电路,使用一个IC即可实现8位二进制的计数或分频。该器件在CK(overline)脉冲的负向转换时改变状态。无论其他输入如何,通过CLR输入的高电平可将计数器复位为“0”(QA至QD = “L”)。输入保护电路确保无论电源电压如何,都可向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统以及电池备用等双电源系统的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8173
    • 50+

      ¥1.4141
    • 150+

      ¥1.2413
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.02
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      ¥1.74
    • 30+

      ¥1.63
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      ¥1.48
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      ¥1.42
    • 1000+

      ¥1.38
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.2
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      ¥1.63
    • 500+

      ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.52
  • 有货
  • 74VHC86FT 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 四异或门。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗特性。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.27
    • 10+

      ¥1.76
    • 30+

      ¥1.55
    • 100+

      ¥1.28
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.28
    • 10+

      ¥1.97
    • 30+

      ¥1.84
    • 100+

      ¥1.68
    • 500+

      ¥1.61
    • 1000+

      ¥1.56
  • 有货
  • 是低输入和高隔离型光耦合器,由一个光电晶体管与一个红外 LED 光耦合组成,采用 SO4 封装。保证了高隔离电压 (3750 Vrms) 和较宽的工作温度 (-55 至 125℃),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2818
    • 50+

      ¥1.8281
    • 150+

      ¥1.6337
    • 500+

      ¥1.3911
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.41
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥1.98
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      ¥1.83
    • 500+

      ¥1.75
    • 1000+

      ¥1.7
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.47
    • 10+

      ¥2.2
    • 30+

      ¥2.06
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      ¥1.93
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    • 1000+

      ¥1.62
  • 有货
  • TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成,并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装,保证爬电距离最小为 5.0 毫米,电气间隙最小为 5.0 毫米,绝缘厚度最小为 0.4 毫米。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.49
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      ¥1.93
    • 30+

      ¥1.69
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  • 有货
    • 1+

      ¥2.59
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      ¥2.28
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    • 100+

      ¥1.98
    • 500+

      ¥1.89
  • 有货
  • 新产品,ULN2003APG升级品,场效应管作输出管,管压降更低,芯片发热更少,驱动性能更佳。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.59
    • 10+

      ¥2.01
    • 25+

      ¥1.76
    • 100+

      ¥1.45
    • 500+

      ¥1.31
  • 有货
  • 总线缓冲器,具有三态输出
    数据手册
    • 1+

      ¥2.65
    • 10+

      ¥2.34
    • 30+

      ¥2.2
    • 100+

      ¥2.03
    • 500+

      ¥1.96
  • 有货
  • 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。它在保持 CMOS 低功耗的同时,实现了与等效 LSTTL 相似的高速运行。内部电路由三级组成,包括缓冲输出,提供高抗噪性和稳定输出。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.71
    • 10+

      ¥2.65
    • 30+

      ¥2.61
    • 100+

      ¥2.57
  • 有货
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