TOSHIBA二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP628(GB,F) 编号：C435821

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由砷化镓红外发光二极管与光电晶体管光耦合而成，集电极-发射极击穿电压为350V。TLP628-2在八引脚塑料DIP封装中提供两个隔离通道，而TLP628-4每个封装提供四个隔离通道。

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型号：TLP719(D4-TP,F) 编号：C393901

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs高输出发光二极管和高速探测器组成。这是一款6引脚SDIP封装产品，比8引脚DIP小50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽层，可有效抗共模噪声瞬变，适用于嘈杂的环境条件。

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型号：TLP292-4(4LGBTP,E 编号：C5348963

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP2662(TP1,F) 编号：C5381897

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2662/TLP2662F由高强度GaAℓAs红外发光二极管（LED）与高增益、高速感光芯片光耦合组成。TLP2662/TLP2662F可保证在最高125 °C的温度下，以及2.7 V至5 V的电源电压下工作。

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型号：tlp548j 编号：C165888

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶闸管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用六引脚塑料DIP封装。

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型号：TLP3107(TP,F 编号：C5258924

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电 MOSFET 组成，采用 2.54SOP6 封装。低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用。

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型号：TLP3407S(TP,E 编号：C2152160

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

光MOSFET与红外发光二极管光耦合，采用S-VSON4封装。具有极低的导通电阻，能够实现高达1.0A电流的导通和关断切换，非常适合高速测试仪中的开关应用。

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型号：DF2B26M4SL,L3F 编号：C1974529

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B26M4SL是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2B26M4SL利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B26M4SL采用超紧凑封装（0.62 mm×0.32 mm），满足对空间要求较小的应用需求。

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型号：DF2B7ACT,L3F 编号：C1976591

封装：X1-DFN1006-2

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B7ACT是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2B7ACT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B7ACT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），满足对空间要求苛刻的应用需求。

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型号：DF3A6.8LFU,LF 编号：C1974539

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品仅用于静电放电 (ESD) 保护，不用于任何其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装上安装两个器件可减少零件数量和安装成本。低终端电容：CT = 6.0 pF（典型值）

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型号：TLP2703(D4-TP,E 编号：C6342363

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2703由一个高输出红外LED和一个高速光电二极管晶体管芯片耦合而成。它采用薄型SO6L封装，厚度最大为2.3 mm。

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型号：TLP266J(T7-TPL,E 编号：C146295

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP266J 由一个过零光控双向晶闸管和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成。TLP266J 采用 SO6 封装，保证爬电距离为 5.0 mm（最小值），电气间隙为 5.0 毫米，绝缘厚度最小为 0.4 毫米。因此，TLP266J 符合国际安全标准的增强绝缘等级要求。

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￥3.9984 ￥7.84
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型号：TLP2768A(TP,E 编号：C5362560

封装：SO-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP2768A由一个高输出的镓铝砷（GaAlAs）发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。TLP2768A保证隔离电压为5 kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准

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型号：TLP627M(D4-TP5,E 编号：C17497898

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

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型号：TBD62084AFNG,EL 编号：C2150697

封装：SSOP-18-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是DMOS晶体管阵列，有8个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请留意热条件。

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型号：TBD62183AFNG(Z,EL) 编号：C5381639

封装：SSOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

8 通道灌电流型 DMOS 晶体管阵列是 DMOS 晶体管阵列，具有 8 个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请注意热条件。

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型号：TLP2367(E 编号：C6285469

封装：11-4L1S

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2367是一款采用小型SO6封装的50 Mbps高速光电耦合器。TLP2367由高输出GaAlAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，可在-40°C至125°C的工作温度范围以及2.7 V至5.5 V的电源电压下实现高速开关性能。

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型号：TBD62308APG,HZ 编号：C1556732

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62308APG/FG是一款四通道DMOS晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的钳位二极管。

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型号：TLX9000(TPL,F 编号：C17181710

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

迷你扁平光电耦合器适用于表面贴装组装。由一个红外发光二极管与一个光电晶体管光耦合而成。该光电耦合器可用于广泛的应用，是通用速度晶体管输出。

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￥21.97
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型号：TLX9291A(GBTPL,F 编号：C7604018

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

该迷你扁平光电耦合器适用于表面贴装组装，由一个红外发光二极管与一个光电晶体管光耦合而成，可用于广泛的应用，是通用速度晶体管输出。

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￥32.59
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￥24.93

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型号：DF5A6.2LJE,LM 编号：C1973668

封装：SOT-553

品牌：TOSHIBA(东芝)

本产品仅用于静电放电（ESD）防护，不用于任何其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装中安装四个器件，可减少零件数量和安装成本。

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￥0.3631
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￥0.3544
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型号：DF2S6M4CT,L3F(B 编号：C2847408

封装：SOD-882

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2S6M4CT是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2S6M4CT利用回滞特性，具有低动态电阻和出色的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2S6M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用。

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￥0.7026
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￥0.5686
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￥0.5017

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型号：DF2S14P2FU,H3F 编号：C1849713

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2S14P2FU是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2S14P2FU实现了高IPP，可保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源启动时）的影响。此外，DF2S14P2FU采用标准封装（2.5 mm×1.25 mm），适用于各种应用。

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￥0.9251

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型号：TLP291(V4GH-TP,E 编号：C3975023

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与砷化镓红外发射二极管光耦合。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度Ta = -55至110℃和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

1+
￥2.12
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￥1.87
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￥1.76
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￥1.62
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型号：TLP292(E 编号：C17292085

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥4.09
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￥3.28
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￥2.87
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￥2.46

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型号：TC74HC4049AF(EL,F) 编号：C7421336

封装：SOP16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS六缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。能实现与等效LSTTL相似的高速运行，同时保持CMOS低功耗。TC74HC4049AF是反相缓冲器，TC74HC4050AF是非反相缓冲器，内部电路由3级（TC74HC4049AF）或2级（TC74HC4050AF）反相器组成，具有高抗噪性和稳定输出。输入保护电路与其他高速CMOS IC不同，消除了VCC侧的二极管，可实现高达15V的高电平电压到低电平电压的逻辑电平转换。适用于电池备份电路，因为可以在未由VCC偏置的IC上施加输入电压。

1+
￥4.59
10+
￥4.48
30+
￥4.4

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型号：TBD62004AFG(Z,EL) 编号：C5350392

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62003A 系列和 TBD62004A 系列是 7 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的钳位二极管。

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￥6.41
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￥5.2
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￥4.59

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型号：TLPN137(F 编号：C99491

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥6.86
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￥5.57
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￥4.92
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￥4.28
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￥3.89

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型号：TLP2761(D4-TP4,E 编号：C24267845

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TBD62064AFG(Z,EL) 编号：C4153830

封装：HSOP-16-6.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62064A系列是四通道DMOS晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

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