TOSHIBA二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP160G(TPL,U,F) 编号：C2848498

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装，由光控三端双向可控硅和红外发光二极管光耦合而成。

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型号：TC74HC4049AF(EL,F) 编号：C7421336

封装：SOP16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS六缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。能实现与等效LSTTL相似的高速运行，同时保持CMOS低功耗。TC74HC4049AF是反相缓冲器，TC74HC4050AF是非反相缓冲器，内部电路由3级（TC74HC4049AF）或2级（TC74HC4050AF）反相器组成，具有高抗噪性和稳定输出。输入保护电路与其他高速CMOS IC不同，消除了VCC侧的二极管，可实现高达15V的高电平电压到低电平电压的逻辑电平转换。适用于电池备份电路，因为可以在未由VCC偏置的IC上施加输入电压。

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型号：TLP628(GB,F) 编号：C435821

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由砷化镓红外发光二极管与光电晶体管光耦合而成，集电极-发射极击穿电压为350V。TLP628-2在八引脚塑料DIP封装中提供两个隔离通道，而TLP628-4每个封装提供四个隔离通道。

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型号：TLP548J(TP1,F) 编号：C393900

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光电晶闸管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用六引脚塑料双列直插式封装。

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型号：TBD62004AFG(Z,EL) 编号：C5350392

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62003A 系列和 TBD62004A 系列是 7 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的钳位二极管。

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型号：TLP2761(D4-TP4,E 编号：C24267845

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP2662(F) 编号：C5346751

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高强度GaAs红外发光二极管(LED)与高增益、高速感光芯片光耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制能力，可将抗噪性提高至±20kV/μs。

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型号：DF2B5M4ASL,L3F 编号：C1849654

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B5M4ASL是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，可抵御静电和噪声。DF2B5M4ASL利用回滞特性，具备低动态电阻和出色的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B5M4ASL采用超紧凑型封装（0.62 mm×0.32 mm），满足对小尺寸有要求的应用。

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型号：TLP291(GB-TP,SE 编号：C4153770

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管与砷化镓红外发射二极管光耦合而成。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用。

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型号：SSM6N357R,LF 编号：C17435978

封装：TSOP-6F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 合格。 3.0V 栅极驱动电压。内置齐纳二极管和电阻器。应用：继电器驱动器

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型号：TLP292(E 编号：C17292085

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥4.05
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型号：TLP293-4(E 编号：C17185266

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：TBD62004AFNG(Z,EL) 编号：C7495063

封装：SSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62003A系列和TBD62004A系列是带有7个电路的DMOS晶体管阵列。每个输出都内置有用于切换感性负载的箝位二极管。使用时应注意热条件。特点：- 内置7个电路- 高电压：VOUT = 50 V（最大值）- 高电流：Iout = 500 mA/通道（最大值）- 输入电压（输出开启）：- TBD62003A系列：2.5 V（最小值）- TBD62004A系列：7.0 V（最小值）- 输入电压（输出关闭）：- TBD62003A系列：0.6 V（最大值）- TBD62004A系列：1.0 V（最大值）- 封装选项：- PG型 DIP16-P-300-2.54A- FG型 SOP16-P-225-1.27- FNG型 SSOP16-P-225-0.65B- FWG型 P-SOP16-0410-1.27-002重量：- DIP16-P-300-2.54A：1.11 g（典型值）- SOP16-P-225-1.27：0.16 g（典型值）- SSOP16-P-225-0.65B：0.07 g（典型值）- P-SOP16-0410-1.27-002：0.15 g（典型值）提供了引脚连接和说明，以及每个驱动器的等效电路图。指定了绝对最大额定值和工作范围，包括功率耗散和温度条件。测试电路和时序图涵盖了各种参数，如输出漏电流、输入电流和开通/关断延迟。使用IC时需要注意外部保护电路以防止过流或过压，并考虑散热设计和反电动势。

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￥7

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型号：TLP160J(TPL.U.C.F) 编号：C2762665

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型外形耦合器，适用于表面贴装组件。由一个光控三端双向可控硅开关元件和一个红外发光二极管光耦合而成。

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￥10.22
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型号：TBD62084AFNG,EL 编号：C2150697

封装：SSOP-18-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是DMOS晶体管阵列，有8个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请留意热条件。

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￥10.41
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型号：TLP292-4(V4LATRE 编号：C17695540

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥11.45
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型号：TBD62084AFNG(Z,EL) 编号：C5370570

封装：SOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB62083A 系列和 TB62084A 系列是 8 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

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型号：TBD62308APG,HZ 编号：C1556732

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62308APG/FG是一款四通道DMOS晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的钳位二极管。

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型号：TLP292-4(LA-TR,E 编号：C5348964

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥16.43
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￥14.02
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型号：TLP3407SRL(TP,E 编号：C1880963

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3407SRL光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用S-VSON4T封装。TLP3407SRL的特点是导通电阻极小，能够实现高达1 A电流的通/断切换，非常适合高速测试仪中的开关应用

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￥43.29

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型号：TLP184(SE 编号：C17382881

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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￥2.47
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￥1.92
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￥1.69

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型号：TLP291(V4GBTP,SE 编号：C603061

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装，是非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了-55至110°C的宽工作温度范围和3750 Vrms的高隔离电压，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥2.76
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￥2.18
30+
￥1.94

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型号：TLP785(GRH-TP6,F) 编号：C17447197

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料DIP封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000Vrms（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电表面贴装引脚成型类型。

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￥5.24
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￥5.01

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型号：TLP292-4(GB,E 编号：C5381899

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥13.36
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￥11.25
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型号：GT50JR22(STA1,E,S) 编号：C17638066

封装：SC-65-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。增强模式。高速开关。 -IGBT：tf = 0.05 μs（典型值）(IC = 50A)。 -FWD：trr = 0.35 μs（典型值）(IF = 15A)。应用：电流谐振逆变器开关应用

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型号：TD62064APG(O,J,S) 编号：C5370523

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TD62064APG/AFG 是高压、大电流达林顿驱动器，由四个 NPN 达林顿对组成。所有单元均内置箝位二极管，用于切换感性负载。应用领域包括继电器、锤击器、灯具和步进电机驱动器

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￥33.71
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型号：TLP109(TPL,E 编号：C2931197

封装：SOIC-5-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装。由高输出功率红外 LED 与高速光电二极管晶体管芯片光耦合而成。采用 SO6 封装，保证爬电距离 ≥ 5.0 mm、电气间隙 ≥ 5.0 mm 和绝缘厚度 ≥ 0.4 mm。因此，该耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥3.66
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￥2.95
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型号：TLP266J(V4-TPL,E 编号：C2987243

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控双向可控硅组成，与红外发光二极管光耦合。采用SO6封装，保证爬电距离最小为5.0mm，电气间隙最小为5.0mm，绝缘厚度最小为0.4mm。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：TLP3407S(TP,E 编号：C2152160

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

光MOSFET与红外发光二极管光耦合，采用S-VSON4封装。具有极低的导通电阻，能够实现高达1.0A电流的导通和关断切换，非常适合高速测试仪中的开关应用。

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型号：TLP293-4(V4-GB,E 编号：C94261

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 - 4由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 - 4光电耦合器采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于TLP293 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

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