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价格(含税)

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操作

耐压:100V 电流:120A

型号：IRFB4110(UMW) 编号：C18209200

封装：TO-220

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=100V。 ID = 120A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 4.5mΩ(VGS = 10V)。改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅，符合RoHS标准，无卤

1+
￥3.52
10+
￥2.83
50+
￥2.48
100+
￥2.14
500+
￥1.94
1000+
￥1.83

有货

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ESD 6V截止峰值浪涌电流：4.5A@8/20us

型号：SP0504SHTG(UMW) 编号：C19723967

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

具有超低电容的轨到轨二极管，通过专有的硅雪崩技术制造了一个额外的齐纳二极管，以保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。

10+
￥0.2512
100+
￥0.1975
300+
￥0.1707
3000+
￥0.1506
6000+
￥0.1345
9000+
￥0.1265

有货

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DC 5kV

型号：PS2701-1-L 编号：C4944983

封装：SOP-4

品牌：UMW(友台半导体)

PS2701是一款小型贴片光电耦合器件，适用于表面贴装生产。PS2701是由砷化镓发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器。其体积比双列直插封装（DIP）更小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

数据手册

5+
￥0.6036
50+
￥0.4762
150+
￥0.4126
500+
￥0.3648
3000+
￥0.2893
6000+
￥0.2702

有货

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60V N沟道MOSFET

型号：NTD20N06LT4G(UMW) 编号：C5159783

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V 。 ID = 12A(VGS = 10V) 。 RDS(ON)<104mΩ(VGS=5V)。电源转换器。功率电机控制。桥式电路。更严格的VSD规格。更低的二极管反向恢复时间。更低的反向恢复存储电荷。更低的RDS(ON)。更低的VDS(ON)

数据手册

5+
￥1.2771
50+
￥1.0055
150+
￥0.8891
500+
￥0.7439
2500+
￥0.6469
5000+
￥0.608

有货

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单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：15A@8/20us

型号：PESD5V0S1UB(UMW) 编号：C7436897

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装，旨在保护一条传输线或数据线免受ESD（静电放电）和其他瞬态现象造成的损坏。

50+
￥0.1052
500+
￥0.0816
3000+
￥0.0686
6000+
￥0.0607
24000+
￥0.0539
51000+
￥0.0503

有货

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单向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：18A@8/20us

型号：PESD3V3S1UB(UMW) 编号：C7436896

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装，旨在保护一条传输线或数据线免受ESD（静电放电）和其他瞬态现象造成的损坏。

20+
￥0.1278
200+
￥0.0992
600+
￥0.0833
3000+
￥0.0737
9000+
￥0.0655
21000+
￥0.061

有货

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单向ESD 36V截止峰值浪涌电流：6.3A@8/20us

型号：ESDA37L(UMW) 编号：C19724002

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

该设备是一种二极管阵列，旨在保护1条或2条线路免受ESD瞬变影响。该设备适用于既需要降低线路电容又需要节省电路板空间的应用。通过仅连接引脚1和2，它还可以用作双向抑制器。

20+
￥0.1885
200+
￥0.1463
600+
￥0.1228
3000+
￥0.1087
9000+
￥0.0965
21000+
￥0.09

有货

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单向ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：TPD4E1B06DCKR(UMW) 编号：C19723972

封装：SOT-363

品牌：UMW(友台半导体)

TPD 4E1U06是一款基于四通道单向瞬态电压抑制器（TVS）的静电放电（ESD）保护二极管，具有超低电容。该器件的ESD冲击耗散值高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高水平。其0.8 pF的线路电容使其广泛适用于各种应用的输出电流检测电阻器和运算放大器。典型应用领域包括HDMI、USB 2.0、MHL和DisplayPort。

20+
￥0.2231
200+
￥0.1725
600+
￥0.1444
3000+
￥0.1275
9000+
￥0.1129
21000+
￥0.105

有货

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单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：2.5A@8/20us

型号：PESD5V0L5UY 编号：C2831528

封装：SOT-363

品牌：UMW(友台半导体)

特性：低电容单向五重静电放电（ESD）保护二极管阵列，采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护多达五条单向信号线免受 ESD 和其他瞬态损坏。多达五条线路的 ESD 保护。低二极管电容。最大脉冲峰值功率：Pₚₚ = 25W。低钳位电压：V₍C₁₎ = 12V。超低泄漏电流：I₍RM₎ = 5nA。应用：计算机及外围设备。通信系统

数据手册

10+
￥0.289
100+
￥0.237
300+
￥0.2109
3000+
￥0.1735
6000+
￥0.1579
9000+
￥0.15

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP785GB(UMW) 编号：C364146

封装：DIP-4

品牌：UMW(友台半导体)

由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压（交流：5kVRMS (最小值)）。

数据手册

10+
￥0.4454
100+
￥0.3212
300+
￥0.2787
1000+
￥0.2468
5000+
￥0.2213
10000+
￥0.2086

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：PS2501 编号：C364144

封装：DIP-4

品牌：UMW(友台半导体)

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个 NPN 硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥0.5814
50+
￥0.458
200+
￥0.3418
500+
￥0.2956
2500+
￥0.2586
5000+
￥0.24

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP621GB-1(UMW) 编号：C388376

封装：DIP-4

品牌：UMW(友台半导体)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP621-2 在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道，TLP621-4 在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。

数据手册

5+
￥0.7688
50+
￥0.5887
200+
￥0.4987
500+
￥0.4312
2500+
￥0.3772
5000+
￥0.3502

有货

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N沟道耐压:30V 电流:55A

型号：FDD6680AS(UMW) 编号：C18214408

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于在同步 DC:DC 电源中替代单个 MOSFET 和肖特基二极管。这款 30V MOSFET 旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。作为同步整流器中的低端开关，其性能与并联肖特基二极管的产品性能无差异。

5+
￥0.896
50+
￥0.7047
150+
￥0.6091
500+
￥0.5373
2500+
￥0.4799
5000+
￥0.4512

有货

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双向TVS 5V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

型号：RCLAMP0521P(UMW) 编号：C7394011

封装：DFN1006-2

品牌：UMW(友台半导体)

特性：双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，响应时间快，ESD钳位电压低。超小封装：1.0×0.6×0.5mm。超低电容：典型值0.3pF。超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。应用：手机及配件。显示端口

50+
￥0.0837
500+
￥0.065
1500+
￥0.0546
10000+
￥0.0484
20000+
￥0.043
50000+
￥0.04

有货

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单向ESD 12V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：PESD12VS1UB(UMW) 编号：C7436895

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装，旨在保护一条传输线或数据线免受ESD（静电放电）和其他瞬态现象造成的损坏。

50+
￥0.1058
500+
￥0.0819
3000+
￥0.0686
6000+
￥0.0607
24000+
￥0.0538
51000+
￥0.0501

有货

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单向 12V截止峰值浪涌电流：1.9A

型号：MMBZ15VALT1G 编号：C2931135

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过电压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.1873
200+
￥0.1445
600+
￥0.1207
3000+
￥0.1046
9000+
￥0.0922
21000+
￥0.0856

有货

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单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：3.5A@8/20us

型号：PESD5V0L1UB(UMW) 编号：C19270144

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

低电容单向静电放电 (ESD) 保护二极管，采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态造成的损坏。

20+
￥0.1905
200+
￥0.1475
600+
￥0.1236
3000+
￥0.1093
9000+
￥0.0968
21000+
￥0.0902

有货

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双向ESD 5V截止

型号：PESD5V0U1BA 编号：C5199862

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

超低压电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管,采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,旨在保护一条数据线免受 ESD 造成的损坏。

数据手册

20+
￥0.2324
200+
￥0.1768
600+
￥0.1458
3000+
￥0.1221
9000+
￥0.106
21000+
￥0.0973

有货

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毫微功耗、350nA、RRIO、CMOS 输入运算放大器

型号：TLV521DCKR(UMW) 编号：C22365305

封装：SC-70-5

品牌：UMW(友台半导体)

TLV521 350 nA 微功耗运算放大器在德州仪器（TI）的微功耗运算放大器系列中提供了最优的性价比。TLV521 采用精心设计的 CMOS 输入级，可实现低至 1 pA 的偏置电流（Ibias），从而减少偏置电流（IBIAS）和失调电流（IOS）误差，这些误差可能会对诸如兆欧级电阻、高阻抗光电二极管和电荷感应等敏感应用产生影响。此外，内置的电磁干扰（EMI）保护功能降低了对手机和射频识别（RFID）阅读器等设备产生的有害射频信号的敏感度

5+
￥0.7854
50+
￥0.685
150+
￥0.6419
500+
￥0.5882
3000+
￥0.5643
6000+
￥0.55

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3051M(UMW) 编号：C2842963

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

2+
￥1.0553
20+
￥0.8368
60+
￥0.7431
200+
￥0.5742
1000+
￥0.5222
2000+
￥0.4909

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3053M(UMW) 编号：C2842964

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.098
50+
￥0.9671
130+
￥0.8363
520+
￥0.7663
2470+
￥0.7352
6500+
￥0.7165

有货

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耐压:100V 电流:7.5A

型号：FDS3672(UMW) 编号：C7394010

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：漏极电流 (ID)：7.5A。导通电阻 (RDS(ON))：23mΩ (VGS = 10V)。总栅极电荷 (Qg(tot))：28nC（典型值），VGS = 10V。低米勒电荷。低 Qn。体二极管在高频下具有优化效率。应用：DC/DC 转换器和离线式 UPS。分布式电源架构和电压调节模块

5+
￥1.1247
50+
￥0.8816
150+
￥0.7774
500+
￥0.6474
3000+
￥0.5895
6000+
￥0.5548

有货

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MOC3023SM

型号：MOC3023SM(UMW) 编号：C3014300

封装：SOP-6-6.5mm

品牌：UMW(友台半导体)

由砷化镓红外发光二极管和单晶硅芯片随机相光电双向晶闸管组成的光耦合器。

数据手册

5+
￥1.1646
50+
￥0.9061
150+
￥0.7954
1000+
￥0.6206
2000+
￥0.5591
5000+
￥0.5222

有货

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双向ESD 5V截止

型号：PESD5V0U1BL 编号：C3001955

封装：SOD-882

品牌：UMW(友台半导体)

超低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管，采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，旨在保护一条数据线免受 ESD 造成的损坏。

数据手册

50+
￥0.0778
500+
￥0.0603
1500+
￥0.0507
10000+
￥0.0449
20000+
￥0.0398
50000+
￥0.0371

有货

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单向ESD 24V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：PESD24VS1UB 编号：C5236699

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装，旨在保护一条传输线或数据线免受ESD（静电放电）和其他瞬态现象造成的损坏。

50+
￥0.1192
500+
￥0.0929
3000+
￥0.0754
6000+
￥0.0667
24000+
￥0.0591
51000+
￥0.055

有货

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单向ESD 峰值浪涌电流：25A@8/20us

型号：ESDA8V2-1J 编号：C7529156

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

是一种单向单线瞬态抑制二极管，专为保护便携式设备和小型化电子设备中的集成电路免受EOS和ESD瞬态过电压影响而设计。

20+
￥0.1552
200+
￥0.1201
600+
￥0.1006
3000+
￥0.0889
9000+
￥0.0788
21000+
￥0.0733

有货

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双向TVS 5V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

型号：AR0521D5 编号：C19626369

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

是双向TVS二极管，提供快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。具有超低电容，典型值为0.3pF，可承受±25kV空气放电和±22kV接触放电。

20+
￥0.1572
200+
￥0.122
600+
￥0.1024
3000+
￥0.0907
9000+
￥0.0805
21000+
￥0.075

有货

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单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：3.5A@8/20us

型号：PESD5V0L1UA 编号：C3001947

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

特性：单向ESD保护。低二极管电容：Cd = 25pF。低钳位电压：VCL = 12V。极低泄漏电流：IRM = 10nA。 ESD保护高达26kV。 IEC 61000-4-2；4级（ESD）。应用：计算机及周边设备。音频和视频设备

数据手册

20+
￥0.1623
200+
￥0.1262
600+
￥0.1062
3000+
￥0.0915
9000+
￥0.0811
21000+
￥0.0755

有货

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TVS 5V截止峰值浪涌电流：24A@8/20us

型号：SM05-02HTG(UMW) 编号：C7588079

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌的损坏。该系列可以吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最大水平的重复性ESD冲击，而性能不会下降，并能以非常低的钳位电压安全地耗散高达24A的8/20μs感应浪涌电流（IEC-61000-4-5，第2版）。

20+
￥0.1971
200+
￥0.153
600+
￥0.1285
3000+
￥0.1137
9000+
￥0.101
21000+
￥0.0941

有货

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双向TVS 36V截止

型号：PSD36C-LF-T7(UMW) 编号：C19270105

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比，具有出色的钳位电压和性能。

20+
￥0.201
200+
￥0.1556
600+
￥0.1304
3000+
￥0.1153
9000+
￥0.1022
21000+
￥0.0951

有货

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品类不断扩充中
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最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

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