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首页 > 热门关键词 > UMW二极管
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UMW PC357系列产品将砷化铝镓(AlGaAs)红外发射二极管作为发射器,与塑料SOP4封装的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合。凭借坚固的共面双塑封结构,UMW PC357系列具备极其稳定的隔离特性。
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  • 10+

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  • UMW100X 系列产品将一个铝镓砷(AlGaAs)红外发射二极管作为发射器,该发射器与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用塑料 LSOP4 封装。凭借坚固的共面双塑封结构,UMW100X 系列具备最稳定的隔离特性。
    数据手册
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      ¥0.5487
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  • UMW101X 系列将 AlGaAs 红外发射二极管作为发射器,与采用塑料 LSOP4 封装的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合。凭借坚固的共面双塑封结构,UMW101X 系列具备最稳定的隔离特性。
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      ¥0.1832
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  • UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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    • 4160+

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  • UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容,为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装(DIP),有宽引脚间距(M型)和贴片式(SMD)可选
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  • UMW TLP621 1、2 和 4 系列由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP621 2 在八引脚塑料双列直插式封装(DIP)中提供两个隔离通道,而 TLP621 4 在十六引脚塑料双列直插式封装(DIP)中提供四个隔离通道。
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  • UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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    • 1000+

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    • 2000+

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    • 5000+

      ¥0.5825
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  • UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容,为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装(DIP),有宽引脚间距(M型)和贴片式(SMD)可选
    • 5+

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    • 150+

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    • 2000+

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      ¥0.8544
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  • UMW100X 系列产品将一个铝镓砷(AlGaAs)红外发射二极管作为发射器,该发射器与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用塑料 LSOP4 封装。凭借坚固的共面双塑封结构,UMW100X 系列具备最稳定的隔离特性。
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      ¥0.182
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  • UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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    • 1000+

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    • 2000+

      ¥0.6001
  • 订货
  • UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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      ¥0.5784
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      ¥0.5444
  • 订货
  • TP4057是一款出色的单节锂离子电池恒流恒压线性充电器。TP4057采用SOT23 - 6封装,外围元件较少,非常适合便携式产品,适用于USB电源和适配器电源供电。基于特殊的内部MOSFET架构和防反充电电路,TP4057无需外部检测电阻和隔离二极管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2102
    • 200+

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      ¥0.1098
    • 9000+

      ¥0.103
    • 21000+

      ¥0.0984
  • 有货
  • 由与砷化镓红外发光二极管光学耦合的光电晶体管组成。TLP521-2在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道,而TLP521-4在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7295
    • 50+

      ¥0.5892
    • 200+

      ¥0.4671
    • 500+

      ¥0.4078
    • 2500+

      ¥0.387
    • 5000+

      ¥0.373
  • 有货
  • AD8606分单路、双路和四路、轨到轨输入和输出、单电源放大器,具有极低失调电压、低输入电压和电流噪声以及宽信号带宽等特性。低失调、低噪声、极低的输入偏置电流和高速度特性相结合,使这些放大器适合各种应用。滤波器、积分器、光电二极管放大器和高阻抗传感器等器件均可受益于这些特性组合。宽带宽和低失真特性则有益于音频和其它交流应用。具体应用包括光学控制环路、便携式和环路供电仪器仪表以及便携式设备的音频放大。AD8606的额定温度范围为−40°C至 +125°C扩展工业温度范围。
    • 5+

      ¥1.9676
    • 50+

      ¥1.5425
    • 150+

      ¥1.3603
    • 500+

      ¥1.133
    • 2500+

      ¥1.0317
    • 5000+

      ¥0.971
  • 有货
  • 低电容静电放电 (ESD) 保护二极管采用超小贴片塑料封装,旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态损坏。
    数据手册
    • 100+

      ¥0.0454
    • 1000+

      ¥0.0357
    • 3000+

      ¥0.0304
    • 10000+

      ¥0.0249
    • 50000+

      ¥0.0221
    • 100000+

      ¥0.0206
  • 有货
  • ULN2001D是一款单芯片集成的高压、大电流达林顿晶体管阵列,电路内部包含三个独立的达林顿晶体管驱动通道。该电路内部设计有续流二极管,可用于驱动继电器、步进电机等感性负载。单个达林顿管集电极可输出500mA的电流,多个通道并联可实现更高的电流输出能力
    • 5+

      ¥0.5076
    • 50+

      ¥0.3936
    • 150+

      ¥0.3366
    • 500+

      ¥0.2939
    • 2500+

      ¥0.2597
    • 5000+

      ¥0.2426
  • 有货
  • 双向 TVS 二极管,采用领先的单晶硅技术,提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压,是保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1063
    • 500+

      ¥0.0803
    • 1500+

      ¥0.0659
    • 10000+

      ¥0.0573
    • 20000+

      ¥0.0498
    • 50000+

      ¥0.0458
  • 有货
  • 特性:单向ESD保护。 低二极管电容:Cd = 34 μF。 低钳位电压:VCL = 11 V。 极低泄漏电流:IRM = 100 nA。 ESD保护高达30 kV。 IEC 61000-4-2;4级(ESD)。应用:计算机及周边设备。 音频和视频设备
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1187
    • 500+

      ¥0.0903
    • 3000+

      ¥0.0727
    • 6000+

      ¥0.0632
    • 24000+

      ¥0.055
    • 51000+

      ¥0.0505
  • 有货
  • PS2501-1、-2、-4 是光耦合隔离器,包含一个砷化镓(GaAs)发光二极管和一个 NPN 硅光电晶体管。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5384
    • 50+

      ¥0.4249
    • 150+

      ¥0.3682
    • 500+

      ¥0.3256
    • 2000+

      ¥0.2578
    • 4000+

      ¥0.2408
  • 有货
  • 这些系列的交流输入光耦合器由一个光电晶体管和两个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚Mini-Flat封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5774
    • 50+

      ¥0.4545
    • 150+

      ¥0.393
    • 500+

      ¥0.3469
    • 3000+

      ¥0.2863
    • 6000+

      ¥0.2679
  • 有货
  • AP1511 是一款专为IR-Cut Removable (ICR)设计的驱动IC 用来开关红外线滤光片. AP1511 具有一个低饱和电压双向的H-bridge 驱动电路. 内建保护二极管疏通ICR 所产生的反馈电流, 以及防止ESD 的破坏. AP1511 内的双向H-bridge 驱动电路其内阻小于3Ω, 所以ICR 模块所需的电流决定于其线圈的阻抗. 以工作电源5 伏特为例, 当ICR 内部线圈流过300mA 电流时, AP1511 内的H-bridge 驱动电路会产生0.73V 的压降. AP1511A 提供单线控制与双线控制, 而AP1511B以单线控制并且提供单步操作( One-Shot )的功能.。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6094
    • 50+

      ¥0.4777
    • 150+

      ¥0.4118
    • 500+

      ¥0.3624
    • 3000+

      ¥0.3033
    • 6000+

      ¥0.2836
  • 有货
  • 低电容静电放电 (ESD) 保护二极管,采用超小 SMD 塑料封装,旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态损坏。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0913
    • 500+

      ¥0.0702
    • 3000+

      ¥0.057
    • 6000+

      ¥0.0499
    • 24000+

      ¥0.0438
    • 51000+

      ¥0.0405
  • 有货
  • 立创商城为您提供UMW二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买UMW二极管提供详细信息
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