UMW二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PSD24C-LF-T7 编号：C5199857

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比，具有出色的钳位电压和性能。

数据手册

20+
￥0.2206
200+
￥0.1715
600+
￥0.1443
3000+
￥0.1246
9000+
￥0.1104
21000+
￥0.1028

有货

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型号：TL431S 编号：C4944984

封装：SOT-89-3

品牌：UMW(友台半导体)

是一个三端可调稳压器系列，在适用的温度范围内具有有保证的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在参考电压和36V之间的任何值。具有典型的动态输出阻抗0.27Ω，有源输出电路提供非常尖锐的导通特性，使其在许多应用中是齐纳二极管的优秀替代品。

数据手册

20+
￥0.2376
200+
￥0.1871
1000+
￥0.1443
2000+
￥0.1274
10000+
￥0.1128
20000+
￥0.1049

有货

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型号：MMBZ18VALT1G 编号：C2931140

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.2408
200+
￥0.1883
600+
￥0.1591
3000+
￥0.1336
9000+
￥0.1184
21000+
￥0.1102

有货

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型号：AQ3530-01FTG(UMW) 编号：C19626363

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

单向二极管为可能暴露于静电放电 (ESD) 的电子设备提供高级别的保护。该组件可以安全地吸收高于 IEC 61000-4-2 国际标准（4 级，±80V 接触放电）规定的最大水平的重复 ESD 冲击，而不会导致性能下降。

10+
￥0.3141
100+
￥0.247
300+
￥0.2135
3000+
￥0.1884
6000+
￥0.1683
9000+
￥0.1582

有货

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型号：MOC3020M(UMW) 编号：C5158042

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极，该发射极通过光学方式与塑料DIP6封装中的单片硅随机相光电可控硅耦合，具有不同的引脚成型选项。凭借坚固的共面双模具结构，提供最稳定的隔离特性。

数据手册

5+
￥1.1081
50+
￥0.8774
130+
￥0.7379
520+
￥0.6145
2470+
￥0.5595
6500+
￥0.5266

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型号：LGSOT05CLT1G 编号：C5199852

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

是一款双片式电压抑制器，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受 ESD 影响。对于正瞬变，它将电压钳位在逻辑电平电源之上；对于负瞬变，将电压钳位到低于地电位一个二极管压降的位置。它还可以通过仅连接引脚 1 和 2 作为双向抑制器工作。

数据手册

50+
￥0.1152
500+
￥0.0894
3000+
￥0.0751
6000+
￥0.0665
24000+
￥0.059
51000+
￥0.055

有货

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型号：SET23A12L02-E18(UMW) 编号：C19723982

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于保护连接到数据和传输线路的组件，免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的电压浪涌影响。TVS二极管具有高浪涌能力、低工作和钳位电压以及快速响应时间的特点。

20+
￥0.1555
200+
￥0.1207
600+
￥0.1013
3000+
￥0.0897
9000+
￥0.0796
21000+
￥0.0742

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型号：MMBZ6V2ALT1G 编号：C2931137

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.1757
200+
￥0.1369
600+
￥0.1154
3000+
￥0.0947
9000+
￥0.0835
21000+
￥0.0775

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型号：CDSOD323-T03SC(UMW) 编号：C19270129

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

提供采用SOD-323封装尺寸格式的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置的电压类型选择，电压范围从3V到36V。

20+
￥0.1834
200+
￥0.1434
600+
￥0.1212
3000+
￥0.1078
9000+
￥0.0963
21000+
￥0.09

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型号：MMBZ12VALT1G 编号：C2931139

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.1906
200+
￥0.1476
600+
￥0.1237
3000+
￥0.1094
9000+
￥0.0969
21000+
￥0.0902

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型号：TPD4E1U06DCKR(UMW) 编号：C19270112

封装：SC-70-6

品牌：UMW(友台半导体)

是基于四通道单向瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管，具有超低电容。该器件的 ESD 冲击耗散值高于 IEC 61000-4-2 国际标准规定的最高水平。

20+
￥0.2043
200+
￥0.1575
600+
￥0.1315
3000+
￥0.1159
9000+
￥0.1023
21000+
￥0.095

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型号：PESD36VS2UT 编号：C3001943

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：单向两线ESD保护。 ESD保护高达30 kV。低二极管电容：Cd = 17 pF。 IEC 61000-4-2；4级（ESD）。最大峰值脉冲功率：Ppp = 160 W。 IEC 61000-4-5（浪涌）；Ipp = 2.5 A。应用：计算机及周边设备。音频和视频设备

数据手册

20+
￥0.2119
200+
￥0.1677
600+
￥0.1431
3000+
￥0.125
9000+
￥0.1122
21000+
￥0.1053

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型号：AQ3522-01LTG(UMW) 编号：C19626371

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

集成超低电容二极管，为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供保护。该强大组件能够安全吸收高于 IEC61000-4-2 国际标准（4 级，±8kV 接触放电）规定的最大水平的重复 ESD 冲击，且性能不会下降。

10+
￥0.3964
100+
￥0.3117
300+
￥0.2694
3000+
￥0.2377
6000+
￥0.2123
9000+
￥0.1996

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型号：SLVU2.8-4.TBT 编号：C2874966

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于保护低电压 CMOS 半导体免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬变影响。低电容补偿二极管集成到 TVS 中，使每条线路的典型电容降至 6pF。

数据手册

5+
￥1.6675
50+
￥1.2882
150+
￥1.1257
500+
￥0.8658
2500+
￥0.7755
5000+
￥0.7213

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型号：IRFB4310Z(UMW) 编号：C18209202

封装：TO-220

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=100V。 ID = 120A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 4.5mΩ (VGS = 10V)。改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅。无卤

1+
￥4.82
10+
￥3.87
50+
￥3.4
100+
￥2.94
500+
￥2.66
1000+
￥2.51

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型号：PESD5V0V1BL 编号：C2987695

封装：SOD-882

品牌：UMW(友台半导体)

特性：单线双向静电放电保护。极低二极管电容：Cd最大11pF。最大脉冲峰值功率：Ppp = 45W。低钳位电压：VCL = 12.5V。超低泄漏电流：IRM < 1nA。静电放电保护高达30kV，符合IEC61000-4-2；4级（静电放电）。应用：计算机及外围设备。音频和视频设备

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50+
￥0.0589
500+
￥0.0457
1500+
￥0.0384
10000+
￥0.034
20000+
￥0.0302
50000+
￥0.0281

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型号：AZC199-02S(UMW) 编号：C19626356

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

是一种包含静电放电（ESD）额定二极管阵列的设计，用于保护高速数据接口。专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件，使其免受静电放电（ESD）引起的过电压影响。

20+
￥0.1544
200+
￥0.1225
600+
￥0.1048
3000+
￥0.0942
9000+
￥0.0849
21000+
￥0.08

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型号：SM12 编号：C2833285

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌的损坏。该系列可以吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最大水平的重复性ESD冲击，而性能不会下降，并能以非常低的钳位电压安全地耗散高达24A的8/20μs感应浪涌电流（IEC-61000-4-5，第2版）。

数据手册

20+
￥0.1692
200+
￥0.1317
600+
￥0.1108
3000+
￥0.0967
9000+
￥0.0858
21000+
￥0.08

有货

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型号：MMBZ27VALT1G 编号：C2931141

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.1758
200+
￥0.1383
600+
￥0.1175
3000+
￥0.0964
9000+
￥0.0856
21000+
￥0.0798

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型号：SM24 编号：C2833284

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌的损坏。该系列可以吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最大水平的重复性ESD冲击，而性能不会下降，并能以非常低的钳位电压安全地耗散高达24A的8/20μs感应浪涌电流（IEC-61000-4-5，第2版）。

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