UMW二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMBZ12VALT1G 编号：C2931139

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.1868
200+
￥0.1444
600+
￥0.1209
3000+
￥0.1068
9000+
￥0.0946
21000+
￥0.088

有货

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型号：PSD36C-LF-T7(UMW) 编号：C19270105

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比，具有出色的钳位电压和性能。

20+
￥0.1943
200+
￥0.1508
600+
￥0.1266
3000+
￥0.1121
9000+
￥0.0995
21000+
￥0.0927

有货

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型号：TL432BIDBZR(UMW) 编号：C29780635

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

是一种可调式三端并联稳压器，在工作温度范围内具有出色的热稳定性。输出电压可通过外部电阻设置在Vref（约2.5V）至36V之间的任何值。它具有非常灵敏的开启特性，这使得它在许多应用中可以替代齐纳二极管。

10+
￥0.2809
100+
￥0.2214
300+
￥0.1917
3000+
￥0.1694
6000+
￥0.1515
9000+
￥0.1426

有货

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型号：PESD36VS2UT 编号：C3001943

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：单向两线ESD保护。 ESD保护高达30 kV。低二极管电容：Cd = 17 pF。 IEC 61000-4-2；4级（ESD）。最大峰值脉冲功率：Ppp = 160 W。 IEC 61000-4-5（浪涌）；Ipp = 2.5 A。应用：计算机及周边设备。音频和视频设备

数据手册

10+
￥0.4035
100+
￥0.3205
300+
￥0.279
3000+
￥0.2407
6000+
￥0.2158
9000+
￥0.2033

有货

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型号：PS2701-1-L 编号：C4944983

封装：SOP-4

品牌：UMW(友台半导体)

PS2701是一款小型贴片光电耦合器件，适用于表面贴装生产。PS2701是由砷化镓发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器。其体积比双列直插封装（DIP）更小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

数据手册

5+
￥0.5824
50+
￥0.4591
150+
￥0.3975
500+
￥0.3513
3000+
￥0.2836
6000+
￥0.2651

有货

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型号：SLVU2.8-4.TBT 编号：C2874966

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于保护低电压 CMOS 半导体免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬变影响。低电容补偿二极管集成到 TVS 中，使每条线路的典型电容降至 6pF。

数据手册

5+
￥1.6194
50+
￥1.2513
150+
￥1.0936
500+
￥0.8414
2500+
￥0.7537
5000+
￥0.7012

有货

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型号：PESD15VS1UB(UMW) 编号：C7436898

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装，旨在保护一条传输线或数据线免受ESD（静电放电）和其他瞬态现象造成的损坏。

20+
￥0.1369
200+
￥0.1063
600+
￥0.0893
3000+
￥0.079
9000+
￥0.0702
21000+
￥0.0654

有货

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型号：099-04AT1G 编号：C19723968

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

099 - 04AT1G是一款四通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列。每个通道由一对ESD二极管组成，可将正或负ESD电流导向正或负轨。在正负电源轨之间的阵列中集成了一个齐纳二极管

20+
￥0.1677
200+
￥0.1302
600+
￥0.1093
3000+
￥0.0968
9000+
￥0.086
21000+
￥0.0801

有货

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型号：PESD5V0L1UB(UMW) 编号：C19270144

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

低电容单向静电放电 (ESD) 保护二极管，采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态造成的损坏。

20+
￥0.1751
200+
￥0.1364
600+
￥0.1149
3000+
￥0.102
9000+
￥0.0908
21000+
￥0.0848

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型号：TPD4E1U06DCKR(UMW) 编号：C19270112

封装：SC-70-6

品牌：UMW(友台半导体)

是基于四通道单向瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管，具有超低电容。该器件的 ESD 冲击耗散值高于 IEC 61000-4-2 国际标准规定的最高水平。

20+
￥0.1887
200+
￥0.1464
600+
￥0.123
3000+
￥0.1089
9000+
￥0.0967
21000+
￥0.0901

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型号：SM05-02HTG(UMW) 编号：C7588079

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌的损坏。该系列可以吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最大水平的重复性ESD冲击，而性能不会下降，并能以非常低的钳位电压安全地耗散高达24A的8/20μs感应浪涌电流（IEC-61000-4-5，第2版）。

20+
￥0.1957
200+
￥0.1519
600+
￥0.1275
3000+
￥0.1129
9000+
￥0.1002
21000+
￥0.0934

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型号：ESDA6V8UW 编号：C19626381

封装：SOT-363

品牌：UMW(友台半导体)

是一款低电容 TVS（瞬态电压抑制器）阵列，用于保护高速数据接口。专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，免受 ESD（静电放电）引起的过应力影响。集成了四对低电容转向二极管和一个 TVS 二极管。

20+
￥0.2203
200+
￥0.171
600+
￥0.1436
3000+
￥0.1271
9000+
￥0.1129
21000+
￥0.1052

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型号：MMBZ18VALT1G 编号：C2931140

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.2233
200+
￥0.175
600+
￥0.1481
3000+
￥0.1246
9000+
￥0.1106
21000+
￥0.1031

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型号：LTV-356T-C 编号：C4944982

封装：SOP-4

品牌：UMW(友台半导体)

LTV-356T是一款小尺寸贴片式光电耦合器件，适用于表面贴装生产。LTV-356T是由砷化镓发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器。其体积比双列直插封装（DIP）更小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程逻辑控制器

数据手册

10+
￥0.3853
100+
￥0.2979
300+
￥0.2542
3000+
￥0.2096
6000+
￥0.1834
9000+
￥0.1702

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型号：FDS6676AS(UMW) 编号：C7499386

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于在同步 DC-DC 电源中替代单个 SO-8 MOSFET 和肖特基二极管。这款 30V MOSFET 旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。

5+
￥0.6351
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￥0.5565
150+
￥0.5172
500+
￥0.4877
3000+
￥0.4641
6000+
￥0.4523

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型号：4N35 编号：C3014310

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38 系列产品采用 AlGaAs 红外发光二极管作为发射极，该发射极与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，封装形式为塑料 DIP6 封装，引脚成型方式多样。

数据手册

5+
￥0.8119
50+
￥0.6399
130+
￥0.5539
520+
￥0.4894
2470+
￥0.4378
5005+
￥0.412

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型号：MOC3053SM(UMW) 编号：C22469445

封装：SOP-6

品牌：UMW(友台半导体)

将AlGaAs红外发射二极管作为发射极，与单片硅随机相光电三极管光耦合，采用塑料DIP6封装，有不同的引脚成型选项。凭借坚固的共面双模具结构，提供最稳定的隔离特性。

5+
￥1.0256
50+
￥0.8022
150+
￥0.7064
1000+
￥0.587
2000+
￥0.5338
5000+
￥0.5019

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型号：MOC3052M(UMW) 编号：C2841484

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.0508
50+
￥0.8216
130+
￥0.6922
520+
￥0.5697
2470+
￥0.5151
6500+
￥0.4824

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型号：6N138M 编号：C3001991

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极，该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管，具有不同的引脚成型选项。光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容，与传统光电晶体管光耦合器相比，速度提高了几个数量级。

数据手册

5+
￥1.6598
50+
￥1.3013
160+
￥1.1477
480+
￥0.956
2400+
￥0.8707
4800+
￥0.8194

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型号：IRFB4110(UMW) 编号：C18209200

封装：TO-220

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=100V。 ID = 120A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 4.5mΩ(VGS = 10V)。改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅，符合RoHS标准，无卤

1+
￥3.46
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￥2.78
50+
￥2.44
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￥2.11
500+
￥1.91
1000+
￥1.81

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型号：IRFB4310Z(UMW) 编号：C18209202

封装：TO-220

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=100V。 ID = 120A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 4.5mΩ (VGS = 10V)。改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅。无卤

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￥4.82
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￥3.87
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￥3.4
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￥2.94
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￥2.66
1000+
￥2.51

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型号：PSD05-LF-T7 编号：C5199859

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比，具有出色的钳位电压和性能。

数据手册

20+
￥0.1346
200+
￥0.1055
600+
￥0.0894
3000+
￥0.0765
9000+
￥0.0681
21000+
￥0.0636

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型号：UDT26A05L05UL(UMW) 编号：C19626391

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

是浪涌额定二极管阵列，旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感组件，使其免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和雷击引起的过电压影响。

20+
￥0.145
200+
￥0.1151
600+
￥0.0984
3000+
￥0.0885
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￥0.0798
21000+
￥0.0752

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型号：MMBZ27VALT1G 编号：C2931141

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.1622
200+
￥0.1271
600+
￥0.1075
3000+
￥0.0877
9000+
￥0.0775
21000+
￥0.072

有货

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型号：PESD5V0L2UM 编号：C3001942

封装：SOT-883

品牌：UMW(友台半导体)

低电容ESD保护二极管，采用三焊盘SOT883无铅超小型塑料封装，旨在保护多达两条传输线或数据线免受静电放电（ESD）损坏。

数据手册

20+
￥0.2166
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￥0.1693
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￥0.143
2000+
￥0.1272
10000+
￥0.1083
20000+
￥0.1009

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型号：CDSOD323-T03SC(UMW) 编号：C19270129

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

提供采用SOD-323封装尺寸格式的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置的电压类型选择，电压范围从3V到36V。

10+
￥0.2309
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￥0.182
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￥0.1575
3000+
￥0.1392
6000+
￥0.1245
9000+
￥0.1172

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型号：IRFR1018ETR(UMW) 编号：C18295974

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V。 ID = 47A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 8.4mΩ (VGS = 10V)。改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力

5+
￥1.756
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￥1.3617
150+
￥1.1928
500+
￥0.982
2500+
￥0.8881
5000+
￥0.8318

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型号：IRF100B201(UMW) 编号：C18209201

封装：TO-220

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=100V。 Ip=192A。 RDS(ON)<4.2mΩ(VGS=10V)。无铅，符合RoHS标准，无卤。增强型体二极管dV/dt和dI/dt能力。改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性。全特性化电容和雪崩安全工作区

1+
￥3.3
10+
￥2.65
50+
￥2.32
100+
￥2
500+
￥1.8
1000+
￥1.7

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型号：SM24 编号：C2833284

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌的损坏。该系列可以吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最大水平的重复性ESD冲击，而性能不会下降，并能以非常低的钳位电压安全地耗散高达24A的8/20μs感应浪涌电流（IEC-61000-4-5，第2版）。

数据手册

20+
￥0.1336
200+
￥0.1045
600+
￥0.0884
3000+
￥0.073
9000+
￥0.0646
21000+
￥0.06

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型号：TL431BIDR(UMW) 编号：C19725462

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

是三端可调式稳压器系列，在适用温度范围内具有保证的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在Vref和36V之间的任何值。这些器件的典型动态输出阻抗为0.27Ω，有源输出电路提供非常尖锐的导通特性，使其在许多应用中是齐纳二极管的优秀替代品。

10+
￥0.2587
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￥0.2035
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￥0.1759
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