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首页 > 热门关键词 > UMW二极管
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AP1511 是一款专为IR-Cut Removable (ICR)设计的驱动IC 用来开关红外线滤光片. AP1511 具有一个低饱和电压双向的H-bridge 驱动电路. 内建保护二极管疏通ICR 所产生的反馈电流, 以及防止ESD 的破坏. AP1511 内的双向H-bridge 驱动电路其内阻小于3Ω, 所以ICR 模块所需的电流决定于其线圈的阻抗. 以工作电源5 伏特为例, 当ICR 内部线圈流过300mA 电流时, AP1511 内的H-bridge 驱动电路会产生0.73V 的压降. AP1511A 提供单线控制与双线控制, 而AP1511B以单线控制并且提供单步操作( One-Shot )的功能.。
数据手册
  • 5+

    ¥0.61
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  • 150+

    ¥0.4109
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    ¥0.3016
  • 6000+

    ¥0.2817
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2069
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  • 有货
  • 该系列交流输入光耦合器由一个光电晶体管和两个砷化镓红外发射二极管组成,采用4引脚迷你扁平封装。
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      ¥0.6159
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      ¥0.3021
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      ¥0.2804
  • 有货
  • 双路和四路轨到轨输出、单电源放大器,具有低功耗、宽带宽和低噪声的特点。ADA4692-4 是无关断功能的四路版本。这些放大器适用于各种应用。音频、滤波器、光电二极管放大器和电荷放大器都受益于这种性能和特性的组合。这些放大器的其他应用包括低噪声和低失真的便携式消费音频播放器,可在低功耗下在音频频段提供高增益和压摆率响应。具有高阻抗传感器(如热释电和红外传感器)的工业应用受益于高阻抗和低 0.5 pA 输入偏置、低失调漂移,以及足够的带宽和低增益应用响应。
    • 5+

      ¥1.63
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    • 4000+

      ¥1.14
  • 有货
  • UwW 6N137 光耦合器由一个 850 nm 的铝镓砷(AlGaAS)发光二极管(LED)组成,该 LED 与一个带选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门进行光耦合。此输出采用集电极开路结构,因此允许进行线或输出。在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内,可保证耦合参数
    数据手册
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      ¥1.9623
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    • 2000+

      ¥0.9414
    • 5000+

      ¥0.8793
  • 有货
  • 包括采用专有硅雪崩技术制造的背对背 TVS 二极管,可为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供保护。这些坚固的二极管可以安全地吸收高达 IEC61000-4-2 国际标准规定的最大水平的重复 ESD 冲击,而不会降低性能。
    数据手册
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      ¥0.0687
    • 500+

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    • 20000+

      ¥0.0456
    • 50000+

      ¥0.044
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1332
    • 200+

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    • 9000+

      ¥0.0884
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      ¥0.0857
  • 有货
  • 特性:单向ESD保护。 低二极管电容:Cd = 25pF。 低钳位电压:VCL = 12V。 极低泄漏电流:IRM = 10nA。 ESD保护高达26kV。 IEC 61000-4-2;4级(ESD)。应用:计算机及外围设备。 音频和视频设备
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1457
    • 200+

      ¥0.1137
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      ¥0.0853
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      ¥0.0725
    • 20000+

      ¥0.0675
  • 有货
  • UwW 6N137 光耦合器由一个 850 nm 的铝镓砷(AlGaAS)发光二极管(LED)组成,该 LED 与一个带选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门进行光耦合。此输出采用集电极开路结构,因此允许进行线或输出。在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内,可保证耦合参数
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9948
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    • 4320+

      ¥0.858
  • 有货
  • 是双路和四路轨到轨输出、单电源放大器,具有低功耗、宽带宽和低噪声的特点。适用于各种应用。音频、滤波器、光电二极管放大器和电荷放大器都受益于这种性能和特性的结合。这些放大器的其他应用包括低噪声和低失真的便携式消费音频播放器,可在低功耗下在音频频段提供高增益和压摆率响应。具有高阻抗传感器(如热释电和红外传感器)的工业应用受益于高阻抗和低 0.5 pA 输入偏置、低失调漂移,以及足够的带宽和低增益应用响应。
    • 10+

      ¥0.2698
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      ¥0.1975
    • 10000+

      ¥0.1925
  • 有货
  • ULN2002D 是一款单片集成的高耐压、大电流达林顿阵列集成电路,电路内部有五个独立的达林顿驱动通道。电路内部设计有续流二极管,可用于驱动继电器和步进电机等感性负载。单个达林顿管集电极可输出 500 mA 电流,多个通道可并联以实现更高的电流输出能力
    • 5+

      ¥0.6388
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      ¥0.32
  • 有货
  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1527
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      ¥0.5567
    • 5000+

      ¥0.5199
  • 有货
  • 特性:单向ESD保护。 低二极管电容:Cd = 34 μF。 低钳位电压:VCL = 11 V。 极低泄漏电流:IRM = 100 nA。 ESD保护高达30 kV。 IEC 61000-4-2;4级(ESD)。应用:计算机及周边设备。 音频和视频设备
    数据手册
    • 50+

      ¥0.131
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      ¥0.0549
  • 有货
  • 是三端可调稳压器系列,在适用温度范围内具有保证的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在Vref和36V之间的任何值。这些器件的典型动态输出阻抗为0.27Ω,有源输出电路提供非常尖锐的导通特性,使其在许多应用中成为齐纳二极管的优秀替代品。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2843
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      ¥0.1401
    • 10000+

      ¥0.1309
  • 有货
  • 这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过电压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1876
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    • 600+

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      ¥0.091
    • 21000+

      ¥0.0847
  • 有货
  • 是一款3.3V双向ESD保护二极管,采用领先的单晶硅技术,提供快速响应时间和超低ESD钳位电压,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。采用超小型1.0x0.6x0.5mm DFN无铅封装。
    • 50+

      ¥0.0882
    • 500+

      ¥0.0699
    • 3000+

      ¥0.0592
    • 6000+

      ¥0.0531
    • 24000+

      ¥0.0479
    • 51000+

      ¥0.045
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 ID = 47A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 8.4mΩ (VGS = 10V)。 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力
    • 5+

      ¥1.8381
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      ¥1.4433
    • 150+

      ¥1.2741
    • 500+

      ¥1.063
    • 2500+

      ¥0.969
    • 5000+

      ¥0.9126
  • 有货
  • 是一款单通道 ESD TVS 二极管,采用小型 0402 封装,适用于空间受限的应用,也有行业标准 SOD-523 封装。该 TVS 保护产品提供 ±30 kV 接触 ESD、±30 kV IEC 气隙保护,并有一个带背对背 TVS 二极管的 ESD 钳位电路,支持双极或双向信号。该 ESD 保护二极管的 12 pF 线路电容适用于支持高达 400 Mbps 数据速率的广泛应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.099
    • 500+

      ¥0.0774
    • 1500+

      ¥0.0654
    • 10000+

      ¥0.0545
    • 20000+

      ¥0.0483
    • 50000+

      ¥0.0449
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.184
    • 200+

      ¥0.1443
    • 600+

      ¥0.1223
    • 3000+

      ¥0.0999
    • 9000+

      ¥0.0885
    • 21000+

      ¥0.0823
  • 有货
  • 超低电容单向静电放电(ESD)保护二极管,采用小型表面贴装器件(SMD)塑料封装,旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态损坏。
    • 20+

      ¥0.2039
    • 200+

      ¥0.1586
    • 600+

      ¥0.1334
    • 3000+

      ¥0.1153
    • 9000+

      ¥0.1022
    • 21000+

      ¥0.0952
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2238
    • 200+

      ¥0.174
    • 600+

      ¥0.1464
    • 3000+

      ¥0.116
    • 9000+

      ¥0.1016
    • 21000+

      ¥0.0939
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 RDS(ON)<15.8mΩ(VGS=10V)。 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩SOA。 增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    • 5+

      ¥0.9367
    • 50+

      ¥0.8181
    • 150+

      ¥0.7672
    • 500+

      ¥0.7037
    • 2500+

      ¥0.6755
    • 5000+

      ¥0.6585
  • 有货
  • 这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过电压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1324
    • 500+

      ¥0.1006
    • 3000+

      ¥0.0799
    • 6000+

      ¥0.0693
    • 24000+

      ¥0.0601
    • 51000+

      ¥0.0551
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1546
    • 200+

      ¥0.121
    • 600+

      ¥0.1023
    • 3000+

      ¥0.0847
    • 9000+

      ¥0.075
    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • 是用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品静电放电保护的瞬态电压抑制器阵列。与多层压敏电阻等其他技术相比,这些硅基二极管具有出色的钳位电压和性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1753
    • 200+

      ¥0.1396
    • 600+

      ¥0.1198
    • 3000+

      ¥0.0899
    • 9000+

      ¥0.0796
    • 21000+

      ¥0.0741
  • 有货
  • 是一款单线瞬态抑制二极管,专为保护便携式设备和小型电子设备中的集成电路免受静电放电 (ESD) 和电气过应力 (EOS) 瞬态过电压的影响而设计。
    • 20+

      ¥0.2019
    • 200+

      ¥0.1564
    • 600+

      ¥0.131
    • 3000+

      ¥0.1158
    • 9000+

      ¥0.1027
    • 21000+

      ¥0.0956
  • 有货
  • 特性:采用非常小的SOD323表面贴装器件(SMD)塑料封装。 对一条汽车LIN总线线路进行ESD保护。 非对称二极管配置,确保对LIN电子控制单元(ECU)的电磁干扰(EMI)进行优化保护。 最大峰值脉冲功率:在tp = 8 / 20μs时,PPP = 160 W。 低钳位电压:在IPP = 1 A时,VCL = 40 V。 超低泄漏电流:IRM < 1 nA。应用:LIN总线保护。 汽车应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2345
    • 200+

      ¥0.1796
    • 600+

      ¥0.1491
    • 3000+

      ¥0.1195
    • 9000+

      ¥0.1036
    • 21000+

      ¥0.095
  • 有货
  • 是三端可调稳压器系列,在适用温度范围内具有保证的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在Vref和36V之间的任何值。这些器件的典型动态输出阻抗为0.27Ω,有源输出电路提供非常尖锐的导通特性,使其在许多应用中成为齐纳二极管的优秀替代品。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2514
    • 200+

      ¥0.1899
    • 600+

      ¥0.1557
    • 3000+

      ¥0.1338
    • 9000+

      ¥0.116
    • 21000+

      ¥0.1064
  • 有货
  • 是单电源轨到轨输入/输出放大器,具有250 mA输出驱动电流。高输出电流使其适合驱动阻性或容性负载。交流性能良好,带宽为3 MHz,压摆率为5 V/μs,失真低。保证能在3 V单电源和5 V电源下工作。极低的输入偏置电流使其可用于积分器、二极管放大等需要低输入偏置电流的应用。每个放大器在5 V时的电源电流仅为750 μA,允许低电流应用控制高电流负载。应用包括计算机、声卡和机顶盒的音频放大。该系列非常稳定,能够驱动LCD等重容性负载。能够在输入和输出端实现轨到轨摆动,使设计人员能够在单电源系统中缓冲CMOS DAC、ASIC或其他宽输出摆幅设备。
    • 5+

      ¥0.7926
    • 50+

      ¥0.6921
    • 150+

      ¥0.6491
    • 500+

      ¥0.5954
    • 2500+

      ¥0.5715
    • 5000+

      ¥0.5572
  • 有货
  • 是单电源放大器,具有 250 mA 输出驱动电流,高输出电流使其适合驱动电阻或电容负载。AC 性能良好,带宽为 3 MHz,压摆率为 5V/μs,失真低。保证在 3V 单电源和 5V 电源下工作。极低的输入偏置电流使其可用于积分器、二极管放大等需要低输入偏置电流的应用。每放大器在 5V 时的电源电流仅为 750 μA,允许低电流应用控制高电流负载。应用包括计算机、声卡和机顶盒的音频放大,能够驱动 LCD 等重容性负载。能够在输入和输出端实现轨到轨摆动,使设计人员能够在单电源系统中缓冲 CMOS DAC、ASIC 或其他宽输出摆幅设备。
    • 5+

      ¥1.306
    • 50+

      ¥1.139
    • 150+

      ¥1.0674
    • 500+

      ¥0.9781
    • 2500+

      ¥0.9384
    • 4000+

      ¥0.9145
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