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首页 > 热门关键词 > UMW二极管
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瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
数据手册
  • 20+

    ¥0.1817
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    ¥0.143
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    ¥0.1215
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    ¥0.0824
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  • 特性:单向ESD保护。 低二极管电容:Cd = 25pF。 低钳位电压:VCL = 12V。 极低泄漏电流:IRM = 10nA。 ESD保护高达26kV。 IEC 61000-4-2;4级(ESD)。应用:计算机及外围设备。 音频和视频设备
    数据手册
    • 20+

      ¥0.185
    • 200+

      ¥0.1436
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      ¥0.1206
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      ¥0.1068
    • 10000+

      ¥0.0902
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      ¥0.0838
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
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      ¥0.1936
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      ¥0.1472
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      ¥0.0882
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      ¥0.081
  • 有货
  • 特性:采用非常小的SOD323表面贴装器件(SMD)塑料封装。 对一条汽车LIN总线线路进行ESD保护。 非对称二极管配置,确保对LIN电子控制单元(ECU)的电磁干扰(EMI)进行优化保护。 最大峰值脉冲功率:在tp = 8 / 20μs时,PPP = 160 W。 低钳位电压:在IPP = 1 A时,VCL = 40 V。 超低泄漏电流:IRM < 1 nA。应用:LIN总线保护。 汽车应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2301
    • 200+

      ¥0.1769
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      ¥0.1474
    • 3000+

      ¥0.1187
    • 9000+

      ¥0.1033
    • 21000+

      ¥0.095
  • 有货
  • 该系列交流输入光耦合器由一个光电晶体管和两个砷化镓红外发射二极管组成,采用4引脚迷你扁平封装。
    • 5+

      ¥0.5468
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      ¥0.4203
    • 150+

      ¥0.357
    • 500+

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    • 3000+

      ¥0.2716
    • 6000+

      ¥0.2526
  • 有货
  • 是双路和四路轨到轨输出、单电源放大器,具有低功耗、宽带宽和低噪声的特点。适用于各种应用。音频、滤波器、光电二极管放大器和电荷放大器都受益于这种性能和特性的结合。这些放大器的其他应用包括低噪声和低失真的便携式消费音频播放器,可在低功耗下在音频频段提供高增益和压摆率响应。具有高阻抗传感器(如热释电和红外传感器)的工业应用受益于高阻抗和低 0.5 pA 输入偏置、低失调漂移,以及足够的带宽和低增益应用响应。
    • 5+

      ¥1.2243
    • 50+

      ¥0.9614
    • 150+

      ¥0.8487
    • 500+

      ¥0.7081
    • 2500+

      ¥0.6454
    • 5000+

      ¥0.6079
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2129
    • 200+

      ¥0.1654
    • 600+

      ¥0.139
    • 3000+

      ¥0.1132
    • 9000+

      ¥0.0994
    • 21000+

      ¥0.092
  • 有货
  • ULN2002D 是一款单片集成的高耐压、大电流达林顿阵列集成电路,电路内部有五个独立的达林顿驱动通道。电路内部设计有续流二极管,可用于驱动继电器和步进电机等感性负载。单个达林顿管集电极可输出 500 mA 电流,多个通道可并联以实现更高的电流输出能力
    • 5+

      ¥0.7037
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      ¥0.5537
    • 150+

      ¥0.4787
    • 500+

      ¥0.4225
    • 2500+

      ¥0.3775
    • 5000+

      ¥0.355
  • 有货
  • 是用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品静电放电保护的瞬态电压抑制器阵列。与多层压敏电阻等其他技术相比,这些硅基二极管具有出色的钳位电压和性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1684
    • 200+

      ¥0.1342
    • 600+

      ¥0.1152
    • 3000+

      ¥0.0866
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      ¥0.0767
    • 21000+

      ¥0.0714
  • 有货
  • 由砷化镓红外发光二极管和单晶硅芯片随机相光电双向晶闸管组成的光耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0933
    • 50+

      ¥0.851
    • 150+

      ¥0.7471
    • 1000+

      ¥0.5832
    • 2000+

      ¥0.5255
    • 5000+

      ¥0.4909
  • 有货
  • 双路和四路轨到轨输出、单电源放大器,具有低功耗、宽带宽和低噪声的特点。ADA4692-4 是无关断功能的四路版本。这些放大器适用于各种应用。音频、滤波器、光电二极管放大器和电荷放大器都受益于这种性能和特性的组合。这些放大器的其他应用包括低噪声和低失真的便携式消费音频播放器,可在低功耗下在音频频段提供高增益和压摆率响应。具有高阻抗传感器(如热释电和红外传感器)的工业应用受益于高阻抗和低 0.5 pA 输入偏置、低失调漂移,以及足够的带宽和低增益应用响应。
    • 5+

      ¥2.34
    • 50+

      ¥1.83
    • 150+

      ¥1.62
    • 500+

      ¥1.35
    • 2500+

      ¥1.23
    • 4000+

      ¥1.15
  • 有货
  • 这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过电压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1316
    • 500+

      ¥0.1001
    • 3000+

      ¥0.0796
    • 6000+

      ¥0.0691
    • 24000+

      ¥0.06
    • 51000+

      ¥0.0551
  • 有货
  • 是三端可调稳压器系列,在适用温度范围内具有保证的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在Vref和36V之间的任何值。这些器件的典型动态输出阻抗为0.27Ω,有源输出电路提供非常尖锐的导通特性,使其在许多应用中成为齐纳二极管的优秀替代品。
    • 20+

      ¥0.1568
    • 200+

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    • 600+

      ¥0.0991
    • 3000+

      ¥0.0867
    • 9000+

      ¥0.076
    • 21000+

      ¥0.0702
  • 有货
  • UwW 6N137 光耦合器由一个 850 nm 的铝镓砷(AlGaAS)发光二极管(LED)组成,该 LED 与一个带选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门进行光耦合。此输出采用集电极开路结构,因此允许进行线或输出。在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内,可保证耦合参数
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7214
    • 50+

      ¥1.3111
    • 135+

      ¥1.1352
    • 495+

      ¥0.9158
    • 2880+

      ¥0.8181
    • 4320+

      ¥0.7594
  • 有货
  • 单向二极管为可能暴露于静电放电 (ESD) 的电子设备提供高级别的保护。该组件可以安全地吸收高于 IEC 61000-4-2 国际标准(4 级,±80V 接触放电)规定的最大水平的重复 ESD 冲击,而不会导致性能下降。
    • 10+

      ¥0.2204
    • 100+

      ¥0.1935
    • 300+

      ¥0.1801
    • 3000+

      ¥0.17
    • 6000+

      ¥0.1619
    • 9000+

      ¥0.1579
  • 有货
  • 是光耦合隔离器,包含一个砷化镓发光二极管和一个 NPN 硅光电晶体管。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5898
    • 50+

      ¥0.466
    • 200+

      ¥0.3494
    • 500+

      ¥0.303
    • 2500+

      ¥0.2658
    • 5000+

      ¥0.2473
  • 有货
  • 这是一款轨到轨输入、输出的电压反馈型低功耗运算放大器。它具有较宽的输入共模电压和输出摆幅,最低工作电压可达2.1V,最高工作电压建议为5.5V。可作为各类袖珍或便携式立体声录音机的功率放大器。能提供1MHz的增益带宽积,具有极低的输入偏置电流(约10pA典型值),可用于积分、光电二极管放大器和压电传感器。轨到轨输入和输出缓冲器也用于单电源系统中的特定IC设计。
    • 5+

      ¥0.6896
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      ¥0.5436
    • 150+

      ¥0.4705
    • 500+

      ¥0.4157
    • 2500+

      ¥0.3719
    • 4000+

      ¥0.35
  • 有货
  • 是三端可调稳压器系列,在适用温度范围内具有保证的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在Vref和36V之间的任何值。这些器件的典型动态输出阻抗为0.27Ω,有源输出电路提供非常尖锐的导通特性,使其在许多应用中成为齐纳二极管的优秀替代品。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2514
    • 200+

      ¥0.1899
    • 600+

      ¥0.1557
    • 3000+

      ¥0.1338
    • 9000+

      ¥0.116
    • 21000+

      ¥0.1064
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.178
    • 200+

      ¥0.1385
    • 600+

      ¥0.1166
    • 3000+

      ¥0.0965
    • 9000+

      ¥0.0852
    • 21000+

      ¥0.079
  • 有货
  • UwW 6N137 光耦合器由一个 850 nm 的铝镓砷(AlGaAS)发光二极管(LED)组成,该 LED 与一个带选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门进行光耦合。此输出采用集电极开路结构,因此允许进行线或输出。在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内,可保证耦合参数
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7374
    • 50+

      ¥1.3542
    • 150+

      ¥1.1899
    • 1000+

      ¥0.9297
    • 2000+

      ¥0.8384
    • 5000+

      ¥0.7837
  • 有货
  • 是三端可调稳压器系列,在适用温度范围内具有保证的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在Vref和36V之间的任何值。这些器件的典型动态输出阻抗为0.27Ω,有源输出电路提供非常尖锐的导通特性,使其在许多应用中成为齐纳二极管的优秀替代品。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2478
    • 100+

      ¥0.1944
    • 300+

      ¥0.1676
    • 2000+

      ¥0.1389
    • 4000+

      ¥0.1229
    • 10000+

      ¥0.1149
  • 有货
  • 单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装,旨在保护一条传输线或数据线免受ESD(静电放电)和其他瞬态现象造成的损坏。
    • 50+

      ¥0.1063
    • 500+

      ¥0.0822
    • 3000+

      ¥0.0689
    • 6000+

      ¥0.0608
    • 24000+

      ¥0.0539
    • 51000+

      ¥0.0501
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1763
    • 200+

      ¥0.1381
    • 600+

      ¥0.1169
    • 3000+

      ¥0.0969
    • 9000+

      ¥0.0859
    • 21000+

      ¥0.08
  • 有货
  • 是一款单线瞬态抑制二极管,专为保护便携式设备和小型电子设备中的集成电路免受静电放电 (ESD) 和电气过应力 (EOS) 瞬态过电压的影响而设计。
    • 20+

      ¥0.197
    • 200+

      ¥0.1535
    • 600+

      ¥0.1293
    • 3000+

      ¥0.1148
    • 9000+

      ¥0.1022
    • 21000+

      ¥0.0954
  • 有货
  • 具有超低电容的轨到轨二极管,通过专有的硅雪崩技术制造了一个额外的齐纳二极管,以保护每个I/O引脚,为可能遭受破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供高级别的保护。
    • 10+

      ¥0.2463
    • 100+

      ¥0.1947
    • 300+

      ¥0.1689
    • 3000+

      ¥0.1496
    • 6000+

      ¥0.1341
    • 9000+

      ¥0.1264
  • 有货
  • TLV521 350 nA 微功耗运算放大器在德州仪器(TI)的微功耗运算放大器系列中提供了最优的性价比。TLV521 采用精心设计的 CMOS 输入级,可实现低至 1 pA 的偏置电流(Ibias),从而减少偏置电流(IBIAS)和失调电流(IOS)误差,这些误差可能会对诸如兆欧级电阻、高阻抗光电二极管和电荷感应等敏感应用产生影响。此外,内置的电磁干扰(EMI)保护功能降低了对手机和射频识别(RFID)阅读器等设备产生的有害射频信号的敏感度
    • 5+

      ¥0.7897
    • 50+

      ¥0.6874
    • 150+

      ¥0.6436
    • 500+

      ¥0.589
    • 3000+

      ¥0.5647
    • 6000+

      ¥0.5501
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 RDS(ON)<15.8mΩ(VGS=10V)。 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩SOA。 增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    • 5+

      ¥0.9284
    • 50+

      ¥0.8097
    • 150+

      ¥0.7588
    • 500+

      ¥0.6954
    • 2500+

      ¥0.6671
    • 5000+

      ¥0.6501
  • 有货
  • 单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装,旨在保护一条传输线或数据线免受ESD(静电放电)和其他瞬态现象造成的损坏。
    • 20+

      ¥0.1276
    • 200+

      ¥0.0986
    • 600+

      ¥0.0826
    • 3000+

      ¥0.0729
    • 9000+

      ¥0.0645
    • 21000+

      ¥0.06
  • 有货
  • 是单电源轨到轨输入/输出放大器,具有250 mA输出驱动电流。高输出电流使其适合驱动阻性或容性负载。交流性能良好,带宽为3 MHz,压摆率为5 V/μs,失真低。保证能在3 V单电源和5 V电源下工作。极低的输入偏置电流使其可用于积分器、二极管放大等需要低输入偏置电流的应用。每个放大器在5 V时的电源电流仅为750 μA,允许低电流应用控制高电流负载。应用包括计算机、声卡和机顶盒的音频放大。该系列非常稳定,能够驱动LCD等重容性负载。能够在输入和输出端实现轨到轨摆动,使设计人员能够在单电源系统中缓冲CMOS DAC、ASIC或其他宽输出摆幅设备。
    • 5+

      ¥0.7855
    • 50+

      ¥0.6851
    • 150+

      ¥0.642
    • 500+

      ¥0.5883
    • 2500+

      ¥0.5644
    • 5000+

      ¥0.5501
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V 。 ID = 12A(VGS = 10V) 。 RDS(ON)<104mΩ(VGS=5V)。 电源转换器。 功率电机控制。 桥式电路。 更严格的VSD规格。 更低的二极管反向恢复时间。 更低的反向恢复存储电荷。 更低的RDS(ON)。 更低的VDS(ON)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9033
    • 50+

      ¥0.7919
    • 150+

      ¥0.7441
    • 500+

      ¥0.6846
    • 2500+

      ¥0.6262
    • 5000+

      ¥0.6103
  • 有货
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