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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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    ¥0.8469
  • 有货
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      ¥1.26
    • 30+

      ¥1.24
  • 有货
    • 1+

      ¥1.3005 ¥2.55
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      ¥1.1628 ¥2.28
    • 30+

      ¥1.0965 ¥2.15
    • 100+

      ¥1.0251 ¥2.01
    • 500+

      ¥0.9843 ¥1.93
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      ¥0.9639 ¥1.89
  • 有货
  • TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成,采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压(5000 Vrms)和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。与标准DIP封装相比,TLP383的封装小巧轻薄,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    • 5+

      ¥1.5803
    • 50+

      ¥1.3913
    • 150+

      ¥1.3103
    • 500+

      ¥1.2092
  • 有货
  • TC75S51F/TC75S51FU是一款集成了相位补偿电路的CMOS单运算放大器。它采用低电压、低电流电源供电,这使其有别于通用双极性运算放大器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6123
    • 50+

      ¥1.2796
    • 150+

      ¥1.1371
    • 500+

      ¥0.9592
  • 有货
    • 5+

      ¥1.6919
    • 50+

      ¥1.3139
    • 150+

      ¥1.1519
    • 500+

      ¥0.9498
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥1.76
    • 10+

      ¥1.55
    • 30+

      ¥1.46
    • 100+

      ¥1.35
    • 500+

      ¥1.3
    • 1000+

      ¥1.27
  • 有货
  • 是一种低输入型光电晶体管耦合器,由一个光电晶体管与一个红外 LED 光耦合组成,采用 SO6 封装。保证高隔离电压(3750 Vrms)和宽工作温度范围(-55℃至 125℃),比 DIP 封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8138
    • 50+

      ¥1.4096
    • 150+

      ¥1.2363
    • 500+

      ¥1.0202
  • 有货
  • 是交流输入型光耦合器,由与两个红外 LED 光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的 SO6 封装,具有高抗噪性和高隔离电压。由于比 DIP 封装小,适用于混合 IC 等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.92
    • 10+

      ¥1.66
    • 30+

      ¥1.55
    • 100+

      ¥1.42
    • 500+

      ¥1.36
    • 1000+

      ¥1.32
  • 有货
  • TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器,采用SO4封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥1.94
    • 10+

      ¥1.71
    • 30+

      ¥1.61
    • 100+

      ¥1.48
    • 500+

      ¥1.43
    • 1000+

      ¥1.39
  • 有货
  • TC4051B、TC4052B和TC4053B是具备模拟信号和数字信号选择与混合功能的多路复用器。TC4051B为8通道配置,TC4052B为4通道×2配置,TC4053B为2通道×3配置。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.94
    • 10+

      ¥1.89
    • 30+

      ¥1.86
    • 100+

      ¥1.82
  • 有货
  • 低电压八进制总线缓冲器(反相),具有 5V 容限输入和输出。是一款高性能 CMOS 八进制总线缓冲器,专为 3.3V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3V)VCC 应用而设计,但可用于输入和输出的 5V 电源环境接口。是一个反相三态缓冲器,有两个低电平有效的输出使能端。当 OE1 或 OE2 为高电平时,终端输出处于高阻抗状态。该器件设计用于三态内存地址驱动器等。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.192 ¥10.96
    • 10+

      ¥2.146 ¥10.73
    • 30+

      ¥2.116 ¥10.58
    • 100+

      ¥2.084 ¥10.42
  • 有货
  • TC4081B 四 2 输入与门 TC4081B 是分别具有两个输入的正逻辑与门。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.29
    • 10+

      ¥1.78
    • 30+

      ¥1.57
    • 100+

      ¥1.3
  • 有货
  • 先进高速CMOS八进制总线缓冲器采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作,同时保持了CMOS的低功耗。适用于三态内存地址驱动器等。输入保护电路确保0至5.5V可应用于输入引脚,而无需考虑电源电压。该器件可用于5V至3V系统和双电源系统(如电池备份)的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。
    • 5+

      ¥2.3228
    • 50+

      ¥1.844
    • 150+

      ¥1.6388
  • 有货
  • 是超高速9位施密特缓冲器/反相器,采用硅栅CMOS技术制造,结合了CMOS的低功耗和肖特基TTL的速度。输出分为同相和反相类型,所有输入在正负阈值之间具有滞后特性,能够对缓慢变化的输入信号进行整形,并提高抗噪能力。此外,所有输入都有新开发的保护电路,即使电源关闭,输入也能承受高达5V的电压。输入掉电保护功能使其适用于多种应用场景。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.73
    • 10+

      ¥2.13
    • 30+

      ¥1.87
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.8Ω(典型值)。 低泄漏电流:ILSS = 10μA(最大值)(VDS = 640V)。 增强模式:Vth = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.4mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.23
    • 10+

      ¥2.51
    • 50+

      ¥2.2
    • 100+

      ¥1.82
  • 有货
  • TLP293是一款低输入、高隔离型光耦合器,采用SO4封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C,因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.33
    • 10+

      ¥2.62
    • 30+

      ¥2.32
    • 100+

      ¥1.94
    • 500+

      ¥1.69
  • 有货
  • 特性:1.2V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 61mΩ(最大值)@VGS = -1.2V。RDS(ON) = 30mΩ(最大值)@VGS = -1.5V。RDS(ON) = 21mΩ(最大值)@VGS = -1.8V。RDS(ON) = 16mΩ(最大值)@VGS = -2.5V。RDS(ON) = 12mΩ(最大值)@VGS = -4.5V。应用:电源管理开关
    • 1+

      ¥4.04
    • 10+

      ¥3.22
    • 30+

      ¥2.81
    • 100+

      ¥2.4
  • 有货
  • 由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成,采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求,因此在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。具有内部法拉第屏蔽,保证了 ±35kV/μs 的共模瞬态抗扰度。特别是具有轨到轨输出,可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.97
    • 10+

      ¥4.45
    • 30+

      ¥4.19
    • 100+

      ¥3.94
    • 500+

      ¥3.61
    • 1500+

      ¥3.53
  • 有货
  • 由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合而成,采用 SO6L 封装。该产品可安装在与东芝 SDIP6 封装相同的焊盘图案上。此外,SO6L 封装的最大高度为 2.3mm,比传统 SDIP6 封装薄约 45%。其低矮的封装有助于减小系统尺寸,并且可以放置在对高度有限制的位置,如电路板背面。此外,由于该产品保证了 5kVrms(最小值)的高隔离电压,因此符合国际安全标准的加强绝缘等级。
    • 1+

      ¥5.35
    • 10+

      ¥4.27
    • 30+

      ¥3.73
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.45Ω(典型值)。高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0S(典型值)。低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 500V)。增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关调节器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥5.7171 ¥11.21
    • 10+

      ¥4.8858 ¥9.58
    • 50+

      ¥4.3656 ¥8.56
    • 100+

      ¥3.8352 ¥7.52
    • 500+

      ¥3.5955 ¥7.05
    • 1000+

      ¥3.4884 ¥6.84
  • 有货
  • 由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成,采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%,满足国际安全标准的加强绝缘等级要求,可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出,可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.62
    • 10+

      ¥5.54
    • 30+

      ¥4.95
    • 100+

      ¥4.28
    • 500+

      ¥3.98
    • 1500+

      ¥3.84
  • 有货
    • 1+

      ¥6.804 ¥8.1
    • 10+

      ¥5.8608 ¥7.92
    • 30+

      ¥4.9856 ¥7.79
    • 90+

      ¥4.9088 ¥7.67
  • 有货
    • 1+

      ¥6.82
    • 10+

      ¥5.56
    • 30+

      ¥4.93
    • 100+

      ¥4.3
    • 500+

      ¥3.93
  • 有货
  • 5-Mbps低功耗光电耦合器,采用小型SO6L封装,厚度最大为2.3mm。保证隔离电压为5kVrms,符合加强绝缘的国际安全标准。在-40至125℃的整个工作温度范围内,最大电源电流仅为0.3mA,可在低至2.7V的电源电压下工作,有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA,允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±25kV/μs。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.32
    • 10+

      ¥6.01
    • 30+

      ¥5.29
    • 100+

      ¥4.47
    • 500+

      ¥4.11
  • 有货
    • 1+

      ¥8.71
    • 10+

      ¥7.27
    • 30+

      ¥6.48
  • 有货
  • 特性:快速反向恢复时间:trr = 110 ns(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.15Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:VCu = 3至4.5V,VDS = 10V,ID = 1mA。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥9.44
    • 10+

      ¥7.94
    • 50+

      ¥7
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.54Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 8.5S(典型值)。 低漏电流:IDSS = 100μA(最大值)(VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0至4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关稳压器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥11.0538 ¥20.47
    • 10+

      ¥9.5364 ¥17.66
    • 50+

      ¥8.6292 ¥15.98
    • 100+

      ¥7.7166 ¥14.29
    • 500+

      ¥7.2954 ¥13.51
    • 1000+

      ¥7.1064 ¥13.16
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 小尺寸、薄封装。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.65 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:汽车。 电机驱动器
    • 1+

      ¥11.46
    • 10+

      ¥9.65
    • 30+

      ¥8.52
  • 有货
  • TLP3450是一款超小外形、无引脚的光电继电器,适用于表面贴装。TLP3450由一个红外LED和一个光电MOSFET光耦合而成,采用VSON 4引脚封装。TLP3450的特点是输出电容CoFF低,因此能够快速开关高频信号,非常适合高速测试仪中的开关应用
    数据手册
    • 1+

      ¥29.51
    • 10+

      ¥25.01
    • 30+

      ¥22.33
  • 有货
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