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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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特性:小封装。 低导通电阻:RDS(ON) = 4.0Ω(最大值,VGS = 4V);RDS(ON) = 7.0Ω(最大值,VGS = 2.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
  • 5+

    ¥1.0937
  • 50+

    ¥0.9467
  • 150+

    ¥0.8837
  • 500+

    ¥0.805
  • 有货
  • 是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS施密特反相器。它实现了与等效LSTTL相似的高速运行,同时保持了CMOS的低功耗。引脚配置和功能与74HC04D相同,但输入具有25% VCC的滞后特性,凭借其施密特触发器功能,可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    • 5+

      ¥1.1868
    • 50+

      ¥1.0293
    • 150+

      ¥0.9618
    • 500+

      ¥0.8775
  • 有货
  • 低电压/低电容CMOS双位总线开关。具有低导通电阻和快速响应时间。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.251448 ¥1.4221
    • 50+

      ¥0.975936 ¥1.2512
    • 150+

      ¥0.800972 ¥1.1779
    • 500+

      ¥0.73882 ¥1.0865
    • 3000+

      ¥0.711144 ¥1.0458
    • 6000+

      ¥0.694552 ¥1.0214
  • 有货
  • TC7WH14是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它在保持CMOS低功耗的同时,能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC7SH14相同,但输入具有迟滞特性
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2818
    • 50+

      ¥0.9697
    • 150+

      ¥0.8359
    • 500+

      ¥0.669
  • 有货
  • 特性:4.0V驱动。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 225 mΩ(最大值)(@VGS = -4V);RDS(ON) = 117 mΩ(最大值)(@VGS = -10V)。应用:DC-DC转换器。 高速开关
    • 5+

      ¥1.2986
    • 50+

      ¥1.1243
    • 150+

      ¥1.0496
    • 500+

      ¥0.9564
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 400 至 1000(IC = 0.3 A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 0.14 V(最大值)。 高速开关:tf = 120 ns(典型值)。应用:高速开关应用。 DC-DC 转换器应用
    • 5+

      ¥1.3243
    • 50+

      ¥1.1634
    • 150+

      ¥1.0944
    • 500+

      ¥1.0083
  • 有货
  • 74VHC245FT是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它能实现与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。
    • 5+

      ¥1.369
    • 50+

      ¥1.0666
    • 150+

      ¥0.937
    • 500+

      ¥0.7753
    • 2500+

      ¥0.7033
    • 5000+

      ¥0.66
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 1.5-V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:ΔRDS(ON) = 99.6 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V);RDS(ON) = 67.8 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V);RDS(ON) = 51.4 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V);RDS(ON) = 42.7 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。应用:电源管理开关
    • 5+

      ¥1.3884
    • 50+

      ¥1.0963
    • 150+

      ¥0.9712
    • 500+

      ¥0.815
  • 有货
  • CMOS 工艺单输出电压调节器,具有开/关控制输入,特点是超低静态偏置电流和低压降电压。这些电压调节器提供 0.8 V 至 5.0 V 之间的固定输出电压,能够驱动高达 300 mA 的电流。它们具有过流保护、热关断功能和自动放电选项。采用通用封装 SMV(2.9 mm x 2.8 mm;厚度 1.1 mm(典型值)),在 3.3 V 输出、输出电流为 300 mA 时,具有 206 mV 的低压降电压。由于可以使用 1 μF 的小型陶瓷输入和输出电容器,这些器件非常适合需要高密度电路板组装的便携式应用,如手机、物联网设备和可穿戴设备。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4006
    • 50+

      ¥1.1113
    • 150+

      ¥0.9874
    • 500+

      ¥0.8327
  • 有货
  • 低电压六施密特反相器,具有 5V 容限输入和输出。适用于 3.3V 系统,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3V)VCC 应用而设计,但也可用于与 5V 电源环境的输入接口。引脚配置和功能与 74LCX04FT 相同,但输入具有滞后特性,带有施密特触发功能,可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    • 5+

      ¥1.4047
    • 50+

      ¥1.2367
    • 150+

      ¥1.1647
    • 500+

      ¥1.0748
  • 有货
  • 四2输入或门 74VHC32FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入或门。
    • 5+

      ¥1.5394
    • 50+

      ¥1.2288
    • 150+

      ¥1.0957
    • 500+

      ¥0.9297
  • 有货
  • 特性:高电压:VCEO = 120V。 高过渡频率:fr = 120MHz(典型值)。 小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0W(安装在陶瓷基板上)。 与2SA1201互补。应用:电压放大器应用。 功率放大器应用
    • 5+

      ¥1.5426
    • 50+

      ¥1.2402
    • 150+

      ¥1.1106
    • 1000+

      ¥0.9489
  • 有货
  • 特性:出色的开关时间:ton = 14 ns(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 100 mS(最小值),aID =-50 mA。 低导通电阻:RDS(ON) = 1.3 Ω(典型值),aID =-50 mA。 增强模式。 与2SK1062互补。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 1+

      ¥1.73
    • 10+

      ¥1.5
    • 30+

      ¥1.4
    • 100+

      ¥1.28
    • 500+

      ¥1.23
    • 1000+

      ¥1.19
  • 有货
  • 低电压四通道 2 输入与门,具有 5V 容限输入和输出。专为 3.3V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压 (3.3V) VCC 应用而设计,但可用于与 5V 电源环境的输入接口。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    • 5+

      ¥1.7558
    • 50+

      ¥1.3762
    • 150+

      ¥1.1683
    • 500+

      ¥0.9654
  • 有货
  • 特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 54 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V)。 -RDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V)。 -RDS(ON) = 22.5 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。应用:电源管理开关
    • 1+

      ¥1.9
    • 10+

      ¥1.64
    • 30+

      ¥1.54
    • 100+

      ¥1.4
    • 500+

      ¥1.34
    • 1000+

      ¥1.3
  • 有货
  • 八进制总线缓冲器 74VHC240FT:反相三态输出 74VHC244FT:同相三态输出 74VHC240FT 和 74VHC244FT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.16
    • 10+

      ¥1.88
    • 30+

      ¥1.76
    • 100+

      ¥1.52
    • 500+

      ¥1.46
    • 1000+

      ¥1.41
  • 有货
  • 特性:小而薄的封装,占用空间小。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 38 mΩ(典型值)(VGS =-4.5V)。 低泄漏电流:IDSS =-10 μA(最大值)(VDS =-20 V)。 增强模式:Vth =-0.5 至-1.2V(VDS =-10 V, ID =-0.2 mA)。应用:锂离子电池应用。 电源管理开关应用
    数据手册
    • 1+

      ¥2.64
    • 10+

      ¥1.99
    • 30+

      ¥1.67
    • 100+

      ¥1.35
    • 500+

      ¥1.15
    • 1000+

      ¥1.05
  • 有货
  • TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成,采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压(5000 Vrms)和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。与标准DIP封装相比,TLP383的封装小巧轻薄,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    • 1+

      ¥2.68
    • 10+

      ¥2.38
    • 30+

      ¥2.24
    • 100+

      ¥2.08
    • 500+

      ¥2.01
    • 1000+

      ¥1.96
  • 有货
  • TC74VHC138 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 3 线 - 8 线解码器。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗特性。
    • 1+

      ¥2.69
    • 10+

      ¥2.06
    • 30+

      ¥1.67
    • 100+

      ¥1.27
    • 500+

      ¥1.08
    • 1000+

      ¥1
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 10.6 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 50 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.2 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)。 增强模式:VTH = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用:高效DC-DC转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.39
    • 10+

      ¥3
    • 30+

      ¥2.8
    • 100+

      ¥2.6
    • 500+

      ¥2.48
  • 有货
  • TLP188由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP188采用非常小巧纤薄的SO6(4引脚)封装,可保证在高温环境下工作(最高环境温度Ta = 110 °C)。集电极 - 发射极间具有高击穿电压(VCEO = 350 V),TLP188适用于可编程逻辑控制器(PLC)和家用电器,包括空调
    • 1+

      ¥3.53
    • 10+

      ¥2.82
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥2.12
    • 500+

      ¥1.91
    • 1000+

      ¥1.8
  • 有货
  • 特性:高集电极电压:VCEO = 160V(最小值)。 与TTA004B互补。 小集电极输出电容:Cob = 12pF(典型值)。 高过渡频率:fT = 100MHz(典型值)。应用:音频放大器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.94
    • 10+

      ¥3.15
    • 30+

      ¥2.75
    • 250+

      ¥2.36
    • 500+

      ¥2.13
  • 有货
  • 由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成,采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求,因此在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。具有内部法拉第屏蔽,保证了 ±35kV/μs 的共模瞬态抗扰度。特别是具有轨到轨输出,可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.48
    • 10+

      ¥3.66
    • 30+

      ¥3.25
    • 100+

      ¥2.84
    • 500+

      ¥2.6
  • 有货
  • 新产品,超小体积,ULN2003升级品,场效应管作输出管,管压降更低,芯片发热更少,驱动性能更佳。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.87
    • 10+

      ¥3.88
    • 30+

      ¥3.38
    • 100+

      ¥2.89
    • 500+

      ¥2.59
    • 1000+

      ¥2.44
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.7Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 4.5S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 650V)。 增强模式:Vth = 2.0 ± 0.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    • 1+

      ¥4.96
    • 10+

      ¥4.22
    • 50+

      ¥3.61
    • 100+

      ¥3.25
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(Ω) = 1.2Ω (典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 2.6S (典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 650V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥5.0138 ¥9.46
    • 10+

      ¥3.4013 ¥7.91
    • 30+

      ¥2.3298 ¥7.06
    • 100+

      ¥2.013 ¥6.1
    • 500+

      ¥1.8711 ¥5.67
    • 1000+

      ¥1.8084 ¥5.48
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:使用超结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.265Ω(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.7至3.7V(VDS = 10V,ID = 0.6mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.14
    • 10+

      ¥4.61
    • 50+

      ¥4.32
    • 100+

      ¥3.99
    • 500+

      ¥3.84
  • 有货
  • 由非过零光控可控硅与红外LED光耦合组成,采用DIP6封装,保证绝缘厚度为0.4mm(最小值),因此,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    • 1+

      ¥5.97
    • 10+

      ¥4.89
    • 30+

      ¥4.35
    • 100+

      ¥3.82
    • 500+

      ¥3.5
    • 1500+

      ¥3.33
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 7.9 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。 增强模式:VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.99
    • 10+

      ¥4.88
    • 50+

      ¥4.33
    • 100+

      ¥2.9106 ¥3.78
    • 500+

      ¥2.6565 ¥3.45
    • 1000+

      ¥2.5256 ¥3.28
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.24Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 7.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 500V)。 增强模式:Vth = 2.0-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关调节器应用
    • 1+

      ¥6.25
    • 10+

      ¥5.6
    • 50+

      ¥5.25
    • 100+

      ¥4.84
    • 500+

      ¥4.66
    • 1000+

      ¥4.58
  • 有货
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