东芝二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SSM6J512NU,LF 编号：C7320745

封装：UDFNB-6(2x2)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 24.0 mΩ（典型值） (@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 18.3 mΩ（典型值） (@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 14.3 mΩ（典型值） (@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

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￥0.8716

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型号：74VHCT244AFT(BE) 编号：C7421307

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进的高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器，具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器，也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备用、热板插入等）而导致的器件损坏。

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型号：74VHC373FT 编号：C20247070

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC373FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制锁存器，具有三态输出。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。

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型号：74VHC174FT(TB,BJ) 编号：C22457412

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是先进的高速CMOS HEX D型触发器，采用硅栅CMOS技术制造。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS低功耗。施加到D输入的信息信号在时钟脉冲的正沿传输到Q输出。当CLR输入保持低电平时，Q输出处于低逻辑电平，与其他输入无关。输入保护电路确保可在不考虑电源电压的情况下向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于连接5V至3V系统和双电源系统，如备用电池。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。

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￥1.76
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型号：74VHCT245AFT(BJ) 编号：C7421309

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT245AFT是一个高速CMOS八位总线收发器，用于双向异步通信。支持3.3V到5V系统间的电平转换。

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型号：2SA2097(TE16L1,NQ) 编号：C2762673

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高 DC 电流增益：hFE = 200 至 500 (IC =-0.5A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) =-0.27V (max)。高速开关：tf = 55 ns (typ.)。重量：0.36 g (typ.)。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

数据手册

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￥1.3764
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￥1.1366

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型号：TC74VHC14FK(EL,K) 编号：C146346

封装：VSSOP-14-0.5mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74VHC14是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

数据手册

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型号：TC74VHC86F(EL,K,F) 编号：C26449373

封装：SOP14-P-300-1.27A

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS四异或门。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速运行。内部电路包括一个输出缓冲器，可提供高抗噪性和稳定的输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，0至5.5V的电压可施加到输入引脚。该器件可用于5V至3V系统的接口以及双电源系统，如电池备份。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

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￥1.82
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￥1.7
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型号：74VHCT574AFT(BE) 编号：C7421311

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制 D 型触发器，具有三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制触发器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时，八个输出处于高阻抗状态。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3V 至 5.5V 系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保 0 至 5.5V 可应用于输入和输出引脚，而无需考虑电源电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如备用电池、热插拔等）而导致的设备损坏

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￥2.3
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￥2.02
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型号：74HC574D(BJ,K) 编号：C435813

封装：SOIC-20-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74HC574D是一款高速CMOS八进制触发器，采用硅栅C2MOS技术制造，具备三态输出。它能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。这些8位D型触发器由时钟输入（CK）和输出使能输入（OE(上划线)）控制

数据手册

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型号：TC7WU04FU(TE12L,F) 编号：C22413222

封装：SSOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL相似的高速运行。由于内部电路由单级反相器组成，可用于晶体振荡。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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型号：TC4013BF(EL,N,F) 编号：C2847420

封装：SOP-14-208mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

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数据手册

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￥2.56
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型号：TC74HC02AF(EL,F) 编号：C5381645

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74HC02A 是采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 2 输入或非门。它在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效 LSTTL 类似的高速运行

数据手册

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￥2.85
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型号：TLP187(V4-TPL,E 编号：C2987974

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP187是一款光电耦合器，由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用

数据手册

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型号：TK110P10PL,RQ(S2 编号：C695267

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 9.3 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 32 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 8.9 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 100 V)。增强模式：V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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型号：TK750A60F,S4X(S 编号：C396043

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：易于控制栅极开关。低漏源导通电阻：RD(ON) = 0.62Ω（典型值）。增强模式：VHA = 2 至 4V（VDS = 10V，ID = 1mA）。应用：开关电源

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￥3.56
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￥2.91
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￥2.58
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￥2.26
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￥2.07
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￥1.97

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型号：TPH1R403NL,L1Q(M 编号：C2940403

封装：DFN-8(5x6)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 10.6 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.7 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

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￥2.2
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￥1.76
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￥1.64

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型号：TK5A90E,S4X(S 编号：C5360505

封装：TO-220SIS-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.5Ω（典型值）。低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）（VRS = 720V）。增强模式：Vth = 2.5 至 4.0V（VDS = 10V，ID = 0.45mA）。应用：开关稳压器

数据手册

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￥4.13
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￥3.29
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￥2.87
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￥2.45

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型号：TPH5900CNH,L1Q(M 编号：C5349389

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 2.6 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 50 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 150 V)。增强模式：VTM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥4.15
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￥3.65
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￥3.4
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￥3.16
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￥3.01
1000+
￥2.93

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型号：TPN1600ANH,L1Q 编号：C7401649

封装：TSON-8(3.1x3.1)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小尺寸、薄封装。高速开关。小栅极电荷：QSW = 7.4 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 13 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V，ID = 0.2 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥4.25
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￥2.96
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￥2.53
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￥2.27
1000+
￥2.14

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型号：TK10A60D(STA4,X,S) 编号：C2848495

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

数据手册

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￥4.25
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￥3.4
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￥2.86
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￥2.44
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￥2.19
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￥2.06

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型号：TK12A50D(STA4,X,S) 编号：C4153802

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥4.68
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￥3.7
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￥3.21
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￥2.72
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￥2.43
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￥2.28

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型号：TPH4R50ANH1,LQ(MW 编号：C31837493

封装：SOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小型薄封装。高速开关。小栅极电荷：QSW = 22 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥5.35
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￥4.27
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￥3.73
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￥3.19
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￥2.87
1000+
￥2.7

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型号：TPH4R50ANH1,LQ 编号：C6718996

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 22 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 79 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.7 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_HSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 100 V)。增强模式：V_th = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥3.75
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￥3.22
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￥2.9
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￥2.73

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型号：TC74VHC14F(EL,K,F) 编号：C5350393

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC74VHC04相同，但输入具有迟滞特性，凭借其施密特触发器功能，可作为接收缓慢输入信号的线路接收器。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可承受0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如备用电池）的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

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