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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 8.1 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 20.2 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.0 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)。 增强模式:Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
  • 1+

    ¥4.24
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    ¥3.37
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    ¥2.94
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    ¥2.51
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    ¥2.26
  • 1000+

    ¥2.12
  • 有货
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      ¥4.84
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      ¥2.67
  • 有货
  • 由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成,采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%,满足国际安全标准的加强绝缘等级要求,因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出,可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.87
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      ¥2.89
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      ¥2.44
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 23 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 85.4 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.7 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)。 增强模式:Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥5.91
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      ¥4.73
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    • 500+

      ¥3.2
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.0Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 4.5S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 100μA(VDS = 720V)。 增强模式:Vth = 2.0-4.0V(VDS = 10V,ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥6.44
    • 10+

      ¥5.08
    • 50+

      ¥4.4
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      ¥3.73
    • 500+

      ¥3.33
    • 1000+

      ¥3.12
  • 有货
  • 适用于功率放大器应用,与2SC5200互补,推荐用于100W高保真音频放大器输出级。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.18
    • 10+

      ¥8.38
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      ¥7.39
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      ¥6.05
    • 500+

      ¥5.56
  • 有货
  • 高侧电源开关阵列(8通道)适用于电机、电磁阀和灯驱动器TPD2005F 是一种用于垂直功率MOSFET输出的8通道高侧开关阵列。作为单片功率IC,它可以由CMOS或TTL逻辑电路(如MPU)直接驱动功率负载。它提供过流和过温保护功能。该高侧开关阵列集成了N沟道功率MOSFET(最大1.2 Ω)和8通道电荷泵。可以直接从微处理器驱动功率负载。内置过温和过流保护。8通道访问设计有助于节省空间。高工作电源电压:40 V。低导通电阻:最大1.2 Ω (VDD = 12 V, IO = 0.5 A(每通道))。支持并行操作。低电源电流:最大5 mA (VDD = 40 V, VIN = 0 V)。采用SSOP-24封装(300 mil),带压纹带包装。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.62
    • 10+

      ¥13.15
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      ¥11.6
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      ¥10.02
    • 500+

      ¥9.31
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2401至RN2406互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.3054
    • 50+

      ¥0.2654
    • 150+

      ¥0.2454
    • 500+

      ¥0.2303
    • 3000+

      ¥0.2183
    • 6000+

      ¥0.2123
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = -50V。 高集电极电流:IC = -150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 70至400。 出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (典型值)。 低噪声:NF = 1dB (典型值),10dB (最大值)。应用:低频放大器。 音频通用放大器应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3529
    • 100+

      ¥0.313
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      ¥0.293
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      ¥0.2334
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      ¥0.2215
  • 有货
  • 74VHC573FT 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的、具有三态输出的先进高速 CMOS 八进制锁存器。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗特性。
    • 5+

      ¥1.0934
    • 50+

      ¥0.9674
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      ¥0.9134
    • 500+

      ¥0.846
    • 2500+

      ¥0.816
  • 有货
  • 适用于开关、逆变器电路、接口电路和驱动电路应用。
    • 5+

      ¥1.2439
    • 50+

      ¥0.9667
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      ¥0.6997
  • 有货
  • 2-输入与门
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2835
    • 50+

      ¥1.006
    • 150+

      ¥0.8871
    • 500+

      ¥0.7057
  • 有货
  • 12 级纹波进位二进制计数器。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 12 级二进制计数器/分频器。它能实现与等效双极肖特基 TTL 相似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗特性。将 CLR 设置为高电平可将计数器复位为低电平。CK 输入的负跳变会使计数器加 1。该计数器提供所有分频输出级,在 Q12 处将输出 1/4096 的分频频率。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可施加 0 至 5.5V 的电压。该器件可用于 5V 至 3V 系统以及双电源系统(如电池备份)的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。
    • 5+

      ¥1.3373
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      ¥1.1587
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      ¥1.0821
    • 500+

      ¥0.9866
    • 2500+

      ¥0.9441
  • 有货
  • 双路三态输出总线缓冲器
    数据手册
    • 5+

      ¥2.25
    • 50+

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      ¥1.53
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      ¥1.26
    • 3000+

      ¥1.14
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 8.6 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)。 低漏电流:ILS = -10 μA(最大值)(VDS = -60 V)。 增强模式:VDM = -2.0 至 -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)。应用:汽车。 电机驱动器
    • 1+

      ¥7.16
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    • 1000+

      ¥3.83
  • 有货
  • 适用于功率放大器应用,适用于70W高保真音频放大器的输出级。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.18
    • 10+

      ¥5.99
    • 25+

      ¥4.77
    • 100+

      ¥4.03
    • 500+

      ¥3.7
  • 有货
    • 1+

      ¥8.24
    • 10+

      ¥6.77
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      ¥5.95
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    • 500+

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    • 1000+

      ¥4.45
  • 有货
  • TCKE8xx系列是18V高输入电压的单输入单输出eFuse集成电路。它可用作可重复使用的保险丝,具备多种保护功能,如通过外部电阻实现可调过流限制、短路保护、过压钳位、通过外部电容实现可调压摆率控制、欠压保护、热关断以及通过外部MOSFET控制电路实现反向电流阻断。导通电阻仅为28mΩ(典型值),高输出电流可达5.0A,宽输入电压工作特性使该系列非常适合用于电源管理应用,如硬盘驱动器的电源电路和电池充电应用。该系列采用0.5mm间距的小型封装WSON10B(3.0mm×3.0mm,厚度:0.7mm(典型值))。因此,该系列非常适合各种需要高密度焊接的应用,如便携式电子产品。
    • 1+

      ¥9.41
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      ¥7.72
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      ¥6.79
    • 100+

      ¥5.74
    • 500+

      ¥5.27
    • 1000+

      ¥5.06
  • 有货
  • TLP3545A和TLP3545AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它采用6引脚DIP封装。TLP3545A和TLP3545AF的低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用
    数据手册
    • 1+

      ¥26.77
    • 10+

      ¥22.74
    • 30+

      ¥20.35
    • 100+

      ¥17.93
    • 500+

      ¥16.81
  • 有货
    • 10+

      ¥0.1951
    • 100+

      ¥0.1725
    • 300+

      ¥0.1612
    • 3000+

      ¥0.1323
    • 6000+

      ¥0.1255
    • 9000+

      ¥0.1222
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101 合格。 高电压:VCEO = 120V。 出色的 hFE 线性度:hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95(典型值)。 高 hFE:hFE = 200 至 700。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。 与 2SA1587 互补。应用:音频通用放大器应用
    • 10+

      ¥0.2317
    • 100+

      ¥0.2017
    • 300+

      ¥0.1867
    • 3000+

      ¥0.1755
    • 6000+

      ¥0.1665
    • 9000+

      ¥0.162
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN1401至RN1406互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 10+

      ¥0.4182
    • 100+

      ¥0.329
    • 300+

      ¥0.2844
    • 3000+

      ¥0.251
  • 有货
  • 磁性传感器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4779
    • 50+

      ¥0.3727
    • 150+

      ¥0.3201
    • 500+

      ¥0.2807
    • 3000+

      ¥0.2491
    • 6000+

      ¥0.2334
  • 有货
  • 双2输入与门
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9163
    • 50+

      ¥0.7942
    • 150+

      ¥0.7419
    • 500+

      ¥0.6766
    • 3000+

      ¥0.6475
  • 有货
  • 八进制 D 型触发器,带三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制触发器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,可将 0 至 5.5V 电压施加到输入引脚。该器件可用于 5V 至 3V 系统以及双电源系统(如备用电池)的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9516
    • 50+

      ¥0.8246
    • 150+

      ¥0.7701
    • 500+

      ¥0.7021
    • 2500+

      ¥0.6719
  • 有货
  • 特性:高正向传输导纳:|Yfs| = 15 mS(典型值),VDS = 10 V,VGS = 0。 高击穿电压:VGD_S =-30 V。 低噪声:NF = 1.0 dB(典型值),VDS = 10 V,ID = 0.5 mA,f = 1 kHz,RG = 1 kΩ。 高输入阻抗:IGSS =-1 nA(最大值),VGS =-30 V。 小封装。应用:音频频率低噪声放大器应用
    • 5+

      ¥1.2771
    • 50+

      ¥1.1089
    • 150+

      ¥1.0367
    • 500+

      ¥0.9467
    • 3000+

      ¥0.9067
    • 6000+

      ¥0.8826
  • 有货
  • CMOS 工艺单输出电压调节器,具有开/关控制输入,特点是超低静态偏置电流和低压降电压。这些电压调节器提供 0.8 V 至 5.0 V 之间的固定输出电压,能够驱动高达 300 mA 的电流。它们具有过流保护、热关断功能和自动放电选项。采用通用封装 SMV(2.9 mm x 2.8 mm;厚度 1.1 mm(典型值)),在 3.3 V 输出、输出电流为 300 mA 时,具有 206 mV 的低压降电压。由于可以使用 1 μF 的小型陶瓷输入和输出电容器,这些器件非常适合需要高密度电路板组装的便携式应用,如手机、物联网设备和可穿戴设备。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3648
    • 50+

      ¥1.0756
    • 150+

      ¥0.9516
    • 500+

      ¥0.797
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 3.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值) (VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关调节器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥1.4335 ¥3.05
    • 10+

      ¥1.2925 ¥2.75
    • 50+

      ¥1.2267 ¥2.61
    • 100+

      ¥1.1562 ¥2.46
    • 500+

      ¥1.1139 ¥2.37
    • 1000+

      ¥1.0904 ¥2.32
  • 有货
  • 是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS双路双向开关。它由四个独立的高速开关组成,能够控制数字或模拟信号,同时保持CMOS低功耗特性。提供控制输入(C)来控制开关,C输入为高电平时开关导通,为低电平时开关关断。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5047
    • 50+

      ¥1.171
    • 150+

      ¥1.028
    • 500+

      ¥0.8496
    • 3000+

      ¥0.7701
    • 6000+

      ¥0.7225
  • 有货
  • 是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS反相器。它在保持CMOS低功耗的同时,实现了与等效LSTTL相似的高速运行。由于内部电路由单级反相器组成,可用于晶体振荡。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    • 5+

      ¥1.6887
    • 50+

      ¥1.3107
    • 150+

      ¥1.1487
    • 500+

      ¥0.9466
  • 有货
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