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首页 > 热门关键词 > 华晶二极管
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该产品系列提供了先进的性能,专为需要高效率和高可靠性的高频应用而设计。
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    ¥1.9272 ¥2.19
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  • 特性:金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
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      ¥0.3421
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  • 特性:金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
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      ¥0.3539
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      ¥0.2819
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      ¥0.2459
  • 有货
  • 特性:金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功率损耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    • 10+

      ¥0.3657
    • 100+

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      ¥0.2262
  • 有货
  • 特性:金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
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      ¥0.2623
  • 有货
  • 特性:650V 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 用单极整流器替代双极整流器。应用:开关电源 (SMPS)。 功率因数校正
    • 5+

      ¥2.240195 ¥2.3581
    • 50+

      ¥1.770895 ¥1.8641
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      ¥1.569875 ¥1.6525
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      ¥1.31898 ¥1.3884
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      ¥1.20726 ¥1.2708
    • 5000+

      ¥1.14019 ¥1.2002
  • 有货
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      ¥2.9392 ¥3.34
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      ¥2.8248 ¥3.21
    • 100+

      ¥2.7808 ¥3.16
  • 有货
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      ¥13.376 ¥14.08
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      ¥11.3715 ¥11.97
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      ¥10.1175 ¥10.65
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      ¥8.835 ¥9.3
    • 500+

      ¥8.2555 ¥8.69
    • 1000+

      ¥7.999 ¥8.42
  • 有货
  • 特性:1200V 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 用单极整流器替代双极整流器。应用:开关电源 (SMPS)。 功率因数校正
    • 1+

      ¥14.9055 ¥15.69
    • 10+

      ¥12.673 ¥13.34
    • 50+

      ¥11.2765 ¥11.87
    • 100+

      ¥9.842 ¥10.36
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      ¥9.196 ¥9.68
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  • 有货
  • 电压:100V 电流:3A
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  • 硅N沟道增强型VDMOSFET,通过自对准平面技术获得,可降低传导损耗,改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO-252,符合RoHS标准。
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      ¥1.3977
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  • CS100N03 B4是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252,符合RoHS标准
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    • 1+

      ¥1.9881
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      ¥1.3977
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  • 电压:150V 电流:5A
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  • 电压:45V 电流:5A
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      ¥1.3296
  • 有货
  • CS5N20 A4是一款采用硅材料的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),它运用自对准平面技术制造,能够降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可应用于各种功率开关电路,有助于实现系统小型化和提高效率。其封装形式为TO - 252,符合RoHS标准
    数据手册
    • 1+

      ¥1.9053
    • 10+

      ¥1.5021
    • 30+

      ¥1.3293
  • 有货
  • CS55N06 A4是采用硅材料的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),它运用高密度沟槽技术,降低了导通损耗,改善了开关性能,并增强了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高的效率。其封装形式为TO - 252,符合RoHS标准
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2063
    • 50+

      ¥1.7477
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    • 2500+

      ¥1.1967
    • 5000+

      ¥1.1312
  • 订货
  • CS4N70F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F,符合RoHS标准
    数据手册
    • 1+

      ¥2.57
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      ¥2.03
    • 50+

      ¥1.8
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    • 50+

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  • N沟道,700V,10A,880mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

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    • 10+

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    • 50+

      ¥2.67
  • 有货
  • 3DD13003 E1D 是硅NPN型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺,分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
    数据手册
    • 5+

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    • 50+

      ¥0.404
    • 150+

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    • 1000+

      ¥0.3116
    • 2000+

      ¥0.2799
    • 5000+

      ¥0.264
  • 订货
  • 3DD13003 E6D 是硅NPN型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺,分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5096
    • 50+

      ¥0.404
    • 150+

      ¥0.3512
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      ¥0.3116
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    • 4800+

      ¥0.264
  • 订货
  • 电压:200V 电流:10A
    数据手册
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    • 50+

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    • 150+

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  • 有货
  • 电压:150V 电流:10A
    数据手册
    • 5+

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    • 50+

      ¥1.8196
    • 150+

      ¥1.6092
  • 有货
  • 特性:长使用寿命。 低功耗。 宽视角。 低电压直流运行。 符合RoHS标准。应用:背光。 装饰照明
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    • 600+

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    • 3000+

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    • 9000+

      ¥0.0697
    • 21000+

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  • 订货
  • 电压:40V 电流:5A
    数据手册
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    • 2500+

      ¥0.445
    • 5000+

      ¥0.4198
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  • A10
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    • 50+

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    • 2000+

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