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首页 > 热门关键词 > 华晶二极管
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  • 电压:45V 电流:5A
    数据手册
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    • 10+

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    • 50+

      ¥1.1932
  • 有货
  • N沟道,600V,4A,1.8Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥1.9529
    • 10+

      ¥1.5396
    • 50+

      ¥1.3625
  • 有货
  • N沟道 650V 7A
    数据手册
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      ¥2.5
    • 10+

      ¥1.94
    • 50+

      ¥1.71
  • 有货
  • CS4N80 A3HD - G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 251,符合RoHS标准
    数据手册
    • 1+

      ¥3.45
    • 10+

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    • 30+

      ¥2.4
  • 有货
  • CS740 A8H是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),采用自对准平面技术制造,该技术可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220AB,符合RoHS标准
    数据手册
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.22
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      ¥2.83
  • 有货
  • 发光二极管 led5mm绿发黄绿光
    数据手册
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  • 订货
  • 特性:长使用寿命。 低功耗。 宽视角。 低电压直流操作。 符合RoHS标准。应用:背光。 装饰照明
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1741
    • 200+

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  • A8
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  • A14
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    • 150+

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    • 500+

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    • 2000+

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  • 有货
  • A18
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  • A24
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    • 1000+

      ¥0.8108
  • 有货
  • CS7N65F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F,符合RoHS标准
    数据手册
    • 1+

      ¥3.33
    • 10+

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      ¥2.33
  • 有货
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    • 10000+

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  • 订货
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    • 500+

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    • 5000+

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  • 订货
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      ¥0.089
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  • 订货
  • 特性:RoHS合规。 长使用寿命。 适用于背光和指示灯。 提供多种颜色和亮度。 湿度敏感度等级:3。应用:背光。 装饰照明
    数据手册
    • 10+

      ¥0.168
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      ¥0.1623
    • 1000+

      ¥0.16
  • 订货
  • 特性:长使用寿命。 低功耗。 宽视角。 低电压直流供电。 符合RoHS标准。应用:背光。 装饰照明
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2933
    • 100+

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    • 300+

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    • 1000+

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    • 4000+

      ¥0.1524
    • 8000+

      ¥0.143
  • 订货
  • 特性:长使用寿命。 低功耗。 宽视角。 低电压直流操作。 符合RoHS标准。 湿度敏感度等级:3。应用:背光。 装饰照明
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    • 10+

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    • 6000+

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      ¥0.165
  • 订货
  • 特性:RoHS合规。 长使用寿命。 适用于背光和指示灯。 有多种颜色亮度可供选择。 湿度敏感度等级:3。应用:背光。 装饰照明
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    • 10+

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    • 3000+

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    • 6000+

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    • 9000+

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    • 2500+

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  • CS1N60 A4H是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252,符合RoHS标准
    数据手册
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  • 订货
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    • 500+

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    • 2500+

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    • 6000+

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  • 订货
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