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  • 3DD13003 F1D是硅NPN型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺,分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
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  • CS6N80 ARR-G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 262,符合RoHS标准
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