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首页 > 热门关键词 > 华晶二极管
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电压:45V 电流:5A
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  • 1+

    ¥1.8912
  • 10+

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  • 50+

    ¥1.3296
  • 有货
  • CS5N20 A4是一款采用硅材料的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),它运用自对准平面技术制造,能够降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可应用于各种功率开关电路,有助于实现系统小型化和提高效率。其封装形式为TO - 252,符合RoHS标准
    数据手册
    • 1+

      ¥1.9053
    • 10+

      ¥1.5021
    • 30+

      ¥1.3293
  • 有货
  • N沟道 650V 7A
    数据手册
    • 1+

      ¥3.1
    • 10+

      ¥2.45
    • 50+

      ¥2.16
  • 有货
  • N沟道 600V 8A
    数据手册
    • 1+

      ¥3.58
    • 10+

      ¥2.89
    • 50+

      ¥2.55
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0877
    • 500+

      ¥0.0688
    • 2500+

      ¥0.0583
    • 5000+

      ¥0.052
    • 25000+

      ¥0.0465
    • 50000+

      ¥0.0436
  • 订货
  • 特性:长使用寿命。 低功耗。 宽视角。 低电压直流操作。 符合RoHS标准。 湿度敏感度等级:3。应用:背光。 装饰照明
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1333
    • 200+

      ¥0.1036
    • 600+

      ¥0.0871
    • 3000+

      ¥0.0749
    • 9000+

      ¥0.0663
    • 21000+

      ¥0.0617
  • 订货
  • 3DD13003 E6D 是硅NPN型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺,分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5096
    • 50+

      ¥0.404
    • 150+

      ¥0.3512
    • 400+

      ¥0.3116
    • 2400+

      ¥0.2799
    • 4800+

      ¥0.264
  • 订货
  • 3DD13003 E1D 是硅NPN型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺,分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5096
    • 50+

      ¥0.404
    • 150+

      ¥0.3512
    • 1000+

      ¥0.3116
    • 2000+

      ¥0.2799
    • 5000+

      ¥0.264
  • 订货
  • 电压:40V 电流:5A
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8102
    • 50+

      ¥0.6423
    • 150+

      ¥0.5583
    • 1250+

      ¥0.4954
    • 2500+

      ¥0.445
    • 5000+

      ¥0.4198
  • 订货
  • N沟道,600V,4A,1.8Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥1.9529
    • 10+

      ¥1.5396
    • 50+

      ¥1.3625
  • 有货
  • N沟道 650V 7A
    数据手册
    • 1+

      ¥2.5
    • 10+

      ¥1.94
    • 50+

      ¥1.71
  • 有货
  • 特性:RoHS 合规。长使用寿命。适用于背光和指示灯。有多种颜色和亮度可供选择。湿度敏感度等级:3。应用:背光。装饰照明
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2272
    • 200+

      ¥0.177
    • 600+

      ¥0.1491
    • 3000+

      ¥0.1284
    • 9000+

      ¥0.1139
    • 21000+

      ¥0.1061
  • 订货
  • A9
    • 5+

      ¥0.8847
    • 50+

      ¥0.7047
    • 150+

      ¥0.6147
    • 500+

      ¥0.5472
    • 2000+

      ¥0.4932
  • 有货
  • 电压:100V 电流:5A
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6492
    • 50+

      ¥1.2987
    • 150+

      ¥1.1485
  • 有货
  • 电压:45V 电流:5A
    数据手册
    • 1+

      ¥1.6972
    • 10+

      ¥1.3444
    • 50+

      ¥1.1932
  • 有货
  • CS4N70F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F,符合RoHS标准
    数据手册
    • 1+

      ¥2.57
    • 10+

      ¥2.03
    • 50+

      ¥1.8
  • 有货
  • 电压:100V 电流:15A
    数据手册
    • 1+

      ¥3.09
    • 10+

      ¥2.43
    • 50+

      ¥2.15
  • 有货
  • CS4N80 A3HD - G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 251,符合RoHS标准
    数据手册
    • 1+

      ¥3.45
    • 10+

      ¥2.71
    • 30+

      ¥2.4
  • 有货
  • CS740 A8H是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),采用自对准平面技术制造,该技术可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220AB,符合RoHS标准
    数据手册
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.22
    • 30+

      ¥2.83
  • 有货
  • 特性:低齐纳阻抗。功率耗散500mW。高稳定性和高可靠性
    • 50+

      ¥0.0446
    • 500+

      ¥0.0436
    • 3000+

      ¥0.043
    • 6000+

      ¥0.0423
  • 订货
  • A8
    • 5+

      ¥0.8021
    • 50+

      ¥0.6389
    • 150+

      ¥0.5573
    • 500+

      ¥0.4961
    • 2000+

      ¥0.4471
  • 有货
  • A14
    • 5+

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    • 50+

      ¥0.6577
    • 150+

      ¥0.5737
    • 500+

      ¥0.5107
    • 2000+

      ¥0.4603
  • 有货
  • A10
    • 5+

      ¥0.8611
    • 50+

      ¥0.6859
    • 150+

      ¥0.5983
    • 500+

      ¥0.5326
    • 2000+

      ¥0.48
  • 有货
  • A18
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      ¥1.3093
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      ¥1.0371
    • 150+

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    • 1000+

      ¥0.7749
  • 有货
  • A24
    • 5+

      ¥1.3699
    • 50+

      ¥1.0851
    • 150+

      ¥0.9631
    • 1000+

      ¥0.8108
  • 有货
  • CS7N65F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F,符合RoHS标准
    数据手册
    • 1+

      ¥3.33
    • 10+

      ¥2.63
    • 50+

      ¥2.33
  • 有货
  • 特性:长使用寿命。 低功耗。 低电压直流供电。 符合RoHS标准。应用:状态指示灯。 工业控制面板
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1779
    • 200+

      ¥0.1392
    • 1000+

      ¥0.115
    • 2000+

      ¥0.1021
    • 10000+

      ¥0.0909
    • 20000+

      ¥0.0849
  • 订货
    • 1000+

      ¥1.332
    • 2000+

      ¥1.32
    • 3000+

      ¥1.296
    特性:塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。采用金属硅结,多数载流子传导。内置应变消除功能。适用于表面贴装应用。低功耗、高效率、高浪涌能力。高电流能力、低正向压降。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。保证高温焊接:端子在260℃下可承受10秒。符合RoHS 2015/863和WEEE 2012/19/EU标准
    • 20+

      ¥0.2053
    • 200+

      ¥0.161
    • 600+

      ¥0.1364
    • 3000+

      ¥0.1217
    • 9000+

      ¥0.1089
    • 21000+

      ¥0.102
  • 订货
  • 特性:长使用寿命。低功耗。宽视角。低电压直流操作。符合RoHS标准。应用:背光。装饰照明
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3445
    • 100+

      ¥0.2725
    • 300+

      ¥0.2365
    • 3000+

      ¥0.1933
    • 6000+

      ¥0.1717
    • 9000+

      ¥0.1609
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