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特性:平面芯片结构。 200mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.0-75V
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      ¥0.0983
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  • 特性:平面芯片结构。 200mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.0-75V
    • 20+

      ¥0.0983
    • 200+

      ¥0.0962
    • 600+

      ¥0.0947
  • 有货
  • 采用DFN1006-2L表面贴装封装,功率耗散为500mW。旨在提供电压调节保护,特别适用于空间有限的情况。
    • 20+

      ¥0.1114
    • 200+

      ¥0.109
    • 600+

      ¥0.1073
  • 有货
  • 特性:金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    • 20+

      ¥0.1245
    • 200+

      ¥0.1218
    • 600+

      ¥0.12
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1277
    • 200+

      ¥0.1002
    • 600+

      ¥0.0849
    • 5000+

      ¥0.0757
  • 有货
    • 20+

      ¥0.2003
    • 200+

      ¥0.1571
    • 600+

      ¥0.1331
    • 5000+

      ¥0.1187
  • 有货
  • 特性:650V 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 用单极整流器替代双极整流器。应用:开关电源 (SMPS)。 功率因数校正
    • 5+

      ¥1.2027 ¥1.266
    • 50+

      ¥1.17591 ¥1.2378
    • 150+

      ¥1.15805 ¥1.219
    • 500+

      ¥1.14019 ¥1.2002
  • 有货
  • 电压:45V 电流:15A
    数据手册
    • 1+

      ¥1.279476 ¥2.3694
    • 10+

      ¥0.825836 ¥1.8769
    • 30+

      ¥0.566372 ¥1.6658
    • 100+

      ¥0.476816 ¥1.4024
    • 500+

      ¥0.436968 ¥1.2852
    • 1000+

      ¥0.413032 ¥1.2148
  • 有货
  • CS55N06 A4是采用硅材料的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),它运用高密度沟槽技术,降低了导通损耗,改善了开关性能,并增强了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高的效率。其封装形式为TO - 252,符合RoHS标准
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2063
    • 50+

      ¥1.7477
    • 150+

      ¥1.5511
    • 500+

      ¥1.3059
    • 2500+

      ¥1.1967
    • 5000+

      ¥1.1312
  • 订货
  • 特性:650V肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 用单极整流器替代双极整流器。应用:开关电源(SMPS)。 功率因数校正
    • 1+

      ¥2.8595 ¥3.01
    • 10+

      ¥2.261 ¥2.38
    • 50+

      ¥2.0045 ¥2.11
    • 100+

      ¥1.691 ¥1.78
    • 500+

      ¥1.5485 ¥1.63
    • 1000+

      ¥1.463 ¥1.54
  • 有货
  • N沟道,700V,10A,880mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

      ¥3.04
    • 50+

      ¥2.67
  • 有货
  • 特性:1200V肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频运行。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 用单极整流器替代双极整流器。应用:开关模式电源(SMPS)。 功率因数校正
    • 1+

      ¥7.5
    • 10+

      ¥7.33
    • 50+

      ¥7.21
  • 有货
  • 特性:650V 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用:开关电源 (SMPS)。 功率因数校正
    • 1+

      ¥7.6 ¥8
    • 10+

      ¥7.429 ¥7.82
    • 50+

      ¥7.315 ¥7.7
    • 100+

      ¥7.201 ¥7.58
  • 有货
    • 1+

      ¥8.89
    • 10+

      ¥8.69
    • 25+

      ¥8.56
  • 有货
  • 特性:1200V 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 用单极整流器替代双极整流器。应用:开关电源 (SMPS)。 功率因数校正
    • 1+

      ¥9.91
    • 10+

      ¥9.68
    • 50+

      ¥9.53
  • 有货
    • 100+

      ¥0.0171
    • 1000+

      ¥0.0167
    • 3000+

      ¥0.0165
  • 有货
    • 100+

      ¥0.0204
    • 1000+

      ¥0.0199
    • 5000+

      ¥0.0196
  • 有货
    • 100+

      ¥0.021
    • 1000+

      ¥0.0206
    • 3000+

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  • 有货
    • 100+

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    • 1000+

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    • 3000+

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  • 有货
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      ¥0.0354
  • 有货
    • 50+

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    • 500+

      ¥0.0398
    • 3000+

      ¥0.0392
  • 有货
  • 特性:金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    • 20+

      ¥0.1049
    • 200+

      ¥0.1026
    • 600+

      ¥0.101
  • 有货
  • 特性:金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    • 20+

      ¥0.1114
    • 200+

      ¥0.109
    • 600+

      ¥0.1073
  • 有货
  • 特性:金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    • 20+

      ¥0.1114
    • 200+

      ¥0.109
    • 600+

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