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首页 > 热门关键词 > 捷捷微二极管
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  • 有货
  • 特性:超低RDS(ON)。 低栅极电荷。 高电流能力。 100% UIS测试。 100% Rg测试。应用:电信、工业自动化、消费电子的电源管理。 电动工具、电动车、机器人的电机驱动
    数据手册
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    • 1000+

      ¥1.81
  • 有货
  • N沟道增强型功率MOSFET旨在保护对电压敏感的组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。
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      ¥0.54
  • 有货
  • 特性:60V, 5A。 RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 47mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用:负载开关。 PWM应用
    • 5+

      ¥0.9621
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      ¥0.7555
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    • 500+

      ¥0.5564
    • 2500+

      ¥0.5072
  • 有货
  • 特性:超低导通电阻。 低栅极电荷。 高电流能力。 100%进行UIS测试。 100%进行Rg测试。应用:计算、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理。 DC/DC和AC/DC(同步整流)子系统中的电流切换
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6327
    • 50+

      ¥1.3051
    • 150+

      ¥1.1647
    • 500+

      ¥0.9895
  • 有货
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    • 50+

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    • 150+

      ¥1.1386
    • 500+

      ¥0.95
  • 有货
  • 特性:超低导通电阻。 高电流能力。 ESD增强至HBM额定值高达1.5kV。 100% UIS测试,100% Rg测试。应用:计算、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理。 DC/DC和AC/DC子系统中的电流切换
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6426
    • 50+

      ¥1.315
    • 150+

      ¥1.1746
    • 500+

      ¥0.9072
  • 有货
    • 5+

      ¥1.8625
    • 50+

      ¥1.5097
    • 150+

      ¥1.3585
    • 500+

      ¥1.1699
  • 有货
  • 特性:超低导通电阻。 低栅极电荷。 高电流能力。 100% UIS测试。 100% Rg测试。应用:电信、工业自动化、消费电子中的电源管理。 DC/DC和AC/DC子系统中的电流切换
    数据手册
    • 1+

      ¥1.87
    • 10+

      ¥1.64
    • 30+

      ¥1.54
    • 100+

      ¥1.41
    • 500+

      ¥1.25
    • 1000+

      ¥1.22
  • 有货
  • 特性:20V,-85A。RDS(ON) < 2.7mΩ @ VGS = -4.5V。RDS(ON) < 3.8mΩ @ VGS = -2.5V。RDS(ON) < 5.7mΩ @ VGS = -1.8V。先进的沟槽技术。提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:负载开关。PWM应用
    数据手册
    • 1+

      ¥2.49
    • 10+

      ¥2.19
    • 30+

      ¥2.06
    • 100+

      ¥1.9
    • 500+

      ¥1.62
    • 1000+

      ¥1.58
  • 有货
    • 1+

      ¥6.45
    • 10+

      ¥5.3
    • 30+

      ¥4.67
    • 100+

      ¥3.95
  • 有货
  • 中压MOSFET
    • 1+

      ¥9.84
    • 10+

      ¥8.16
    • 30+

      ¥7.23
    • 100+

      ¥6.19
  • 有货
  • 特性:VDS = 60V,ID = 0.25A,RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V,RDS(ON) < 2.87Ω @ VGS = 5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。 ESD保护:2KV。应用:电池供电系统。 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0857
    • 500+

      ¥0.0668
    • 3000+

      ¥0.0542
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.2A
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2569
    • 100+

      ¥0.2071
    • 300+

      ¥0.1822
    • 3000+

      ¥0.1556
  • 有货
  • 特性:-20V,-7A,RDS(ON)<24.5mΩ @ VGS = -4.5V。RDS(ON)<32mΩ @ VGS = -2.5V。先进的沟槽技术。提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。获得无铅产品认证。应用:负载开关。PWM应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4699
    • 50+

      ¥0.3704
    • 150+

      ¥0.3206
    • 500+

      ¥0.2833
    • 3000+

      ¥0.241
  • 有货
  • 门极灵敏四象限可控硅,可直接连接微控制器、逻辑IC以及低功耗触发电路
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8251
    • 50+

      ¥0.6523
    • 150+

      ¥0.5658
    • 500+

      ¥0.501
  • 有货
  • 特性:30V, 60A。 RDS(ON) < 4.7mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 7.9mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用:负载开关。 PWM应用
    • 5+

      ¥0.9016
    • 50+

      ¥0.7798
    • 150+

      ¥0.7276
    • 500+

      ¥0.6625
    • 2500+

      ¥0.6335
  • 有货
    • 5+

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    • 50+

      ¥0.9964
    • 150+

      ¥0.8889
    • 500+

      ¥0.7548
    • 2500+

      ¥0.6156
  • 有货
  • JST24系列三端双向可控硅具有很强的承受大电流冲击负载的能力,能提供高dv/dt速率,且抗电磁干扰能力强。其换向性能良好,特别推荐3象限产品用于感性负载。JST24A的额定绝缘电压为2500V RMS,JST24F的额定绝缘电压为2000V RMS,三个端子与外部散热片之间的绝缘均符合UL标准(文件编号:E252906)
    • 1+

      ¥3.56
    • 10+

      ¥2.89
    • 30+

      ¥2.56
    • 100+

      ¥2.22
    • 500+

      ¥2.03
  • 有货
  • 特性:结钝化优化设计,采用钝化各向异性整流技术。 Tj = 175℃,适用于高可靠性和汽车要求。 提供双向极性。 低泄漏电流。 低正向压降。 高浪涌能力。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击引起的电压瞬变。 特别适用于汽车负载突降保护应用
    数据手册
    • 1+

      ¥8.54
    • 10+

      ¥7.11
    • 30+

      ¥6.32
    • 100+

      ¥5.42
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V,ID = -10A。 RDS(ON) < 23mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 34mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6332
    • 50+

      ¥0.5108
    • 150+

      ¥0.4496
    • 500+

      ¥0.4036
    • 2500+

      ¥0.3253
  • 有货
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      ¥1.132
    • 50+

      ¥0.8941
    • 150+

      ¥0.7922
    • 500+

      ¥0.665
  • 有货
    • 5+

      ¥1.6076
    • 50+

      ¥1.4039
    • 150+

      ¥1.3166
    • 500+

      ¥1.2077
  • 有货
    • 10+

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    • 100+

      ¥0.2642
    • 300+

      ¥0.233
  • 有货
  • 特性:20V, 6.8A。 RDS(ON) < 21mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 2.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用:负载开关。 PWM应用
    • 10+

      ¥0.3416
    • 100+

      ¥0.27
    • 300+

      ¥0.2343
    • 3000+

      ¥0.2074
  • 有货
    • 5+

      ¥0.8778
    • 50+

      ¥0.7002
    • 150+

      ¥0.6114
    • 500+

      ¥0.5448
  • 有货
  • 特性:30V, 30A。 RDS(ON) < 8.6mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 12.9mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用:负载开关。 PWM应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9469
    • 50+

      ¥0.7353
    • 150+

      ¥0.6445
    • 500+

      ¥0.5314
  • 有货
  • 双N沟道增强型功率MOSFET
    • 5+

      ¥1.0447
    • 50+

      ¥0.8088
    • 150+

      ¥0.7077
    • 500+

      ¥0.5816
  • 有货
  • 特性:超低RDS(ON)。 低栅极电荷。 100% UIS测试,100% Rg测试。 无铅镀层。 无卤且符合Refs标准。应用:电信、工业自动化、消费电子中的电源管理。 DC/DC和AC/DC(SR)子系统中的电流切换
    • 1+

      ¥5.18
    • 10+

      ¥4.67
    • 50+

      ¥4.4
    • 100+

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