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首页 > 热门关键词 > 捷捷微二极管
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描述
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N沟道 耐压:60V 电流:0.25A
型号：JMTL2N7002KS 编号：C2890419
封装：SOT-23
品牌：JJW(捷捷微)
特性：VDS = 60V，ID = 0.25A，RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V，RDS(ON) < 2.87Ω @ VGS = 5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。 ESD保护：2KV。应用：电池供电系统。 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
数据手册

  • 50+

    ￥0.0733

  • 500+

    ￥0.0571

  • 3000+

    ￥0.0463
  • 有货
    • 立即购买
    800V 30mA
    型号：JST136K-800E 编号：C111752
    封装：TO-252
    品牌：JJW(捷捷微)
    门极灵敏四象限可控硅，可直接连接微控制器、逻辑IC以及低功耗触发电路
    数据手册

    • 5+

      ￥0.863

    • 50+

      ￥0.6901

    • 150+

      ￥0.6037

    • 500+

      ￥0.5388
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:55A
    型号：JMTQ55P02A 编号：C2890429
    封装：PDFN3.3x3.3-8L
    品牌：JJW(捷捷微)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8652

    • 50+

      ￥0.6856

    • 150+

      ￥0.5959

    • 500+

      ￥0.5286
  • 有货
    • 立即购买
    150V 9.0mΩ N沟道功率MOSFET
    型号：JMSH1509AC-U 编号：C7436866
    封装：TO-220-3L
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：超低RDS(ON)。 低栅极电荷。 100% UIS测试，100% Rg测试。 无铅镀层。 无卤且符合Refs标准。应用：电信、工业自动化、消费电子中的电源管理。 DC/DC和AC/DC（SR）子系统中的电流切换

    • 1+

      ￥5.18

    • 10+

      ￥4.67

    • 50+

      ￥4.4

    • 100+

      ￥4.09
  • 有货
    • 立即购买
    双N沟道增强型功率MOSFET
    型号：JMTP3010D 编号：C7436863
    封装：SOP-8
    品牌：JJW(捷捷微)
    双N沟道增强型功率MOSFET

    • 5+

      ￥0.7221

    • 50+

      ￥0.6239

    • 150+

      ￥0.5817

    • 500+

      ￥0.5292

    • 2500+

      ￥0.5058
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:35A
    型号：JMTQ35N06A 编号：C2890411
    封装：PDFN3.3x3.3-8L
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：60V,35A。 RDS(ON) <18mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) <27mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9603

    • 50+

      ￥0.7523

    • 150+

      ￥0.6632

    • 500+

      ￥0.552
  • 有货
    • 立即购买
    双P沟道增强型功率MOSFET
    型号：JMTP160P03D 编号：C7464713
    封装：SOP-8
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：- 漏源电压（VDS）：-30V。连续漏极电流（ID）：-11A。导通电阻（RDS(ON)）：VGS = -10V时小于17mΩ；VGS = -4.5V时小于27mΩ。先进的沟槽技术。出色的导通电阻和低栅极电荷。无铅产品。应用：- PWM应用。负载开关

    • 5+

      ￥1.413

    • 50+

      ￥1.0953

    • 150+

      ￥0.9591

    • 500+

      ￥0.7892
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:30V 电流:145A
    型号：JMSL0302AU 编号：C2890409
    封装：PDFN-8(3x3.2)
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：超低导通电阻。 高电流能力。 ESD增强至HBM额定值高达1.5kV。 100% UIS测试，100% Rg测试。应用：计算、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理。 DC/DC和AC/DC子系统中的电流切换
    数据手册

    • 5+

      ￥1.5688

    • 50+

      ￥1.2412

    • 150+

      ￥1.1008
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：JMTG4004A 编号：C5444518
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：JJW(捷捷微)

    • 5+

      ￥1.6076

    • 50+

      ￥1.4039

    • 150+

      ￥1.3166

    • 500+

      ￥1.2077
  • 有货
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    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：JMTK3002B 编号：C5444495
    封装：TO-252
    品牌：JJW(捷捷微)
    数据手册

    • 5+

      ￥1.9389

    • 50+

      ￥1.5055

    • 150+

      ￥1.3197

    • 500+

      ￥1.088
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:145A
    型号：JMSL0302AU-13 编号：C2938488
    封装：PDFN-8(3x3.2)
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：超低导通电阻。 高电流能力。 ESD增强至人体模型（HBM）额定值高达1.5kV。 100%进行UIS测试和Rg测试。应用：计算、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理。 直流/直流和交流/直流子系统中的电流切换
    数据手册

    • 5+

      ￥2.1107

    • 50+

      ￥1.6683

    • 150+

      ￥1.4787

    • 500+

      ￥1.0991
  • 有货
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    N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：JMTL3400A 编号：C2890442
    封装：SOT-23
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：30V, 5.8A。 RDS(ON) < 26mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 32mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 50mΩ @ VGS = 2.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2066

    • 200+

      ￥0.1622

    • 600+

      ￥0.1375
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：JMTL3407A 编号：C2890415
    封装：SOT-23
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：VDS = -30V, ID = -4.1A。 RDS(ON) < 55mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 85mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。应用：PWM应用。 负载开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2297

    • 200+

      ￥0.1781

    • 600+

      ￥0.1493
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：JMTL2310A 编号：C7464717
    封装：SOT-23
    品牌：JJW(捷捷微)

    • 20+

      ￥0.2305

    • 200+

      ￥0.1819

    • 600+

      ￥0.1549
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：JMTL3406A 编号：C2890443
    封装：SOT-23
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：30V, 4A。RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 10V。RDS(ON) < 65mΩ @ VGS = 4.5V。先进的沟槽技术。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。获得无铅产品。应用：负载开关。PWM应用

    • 20+

      ￥0.2443

    • 200+

      ￥0.1903

    • 600+

      ￥0.1603
  • 有货
    • 立即购买
    双向 4.5V截止
    型号：JEB4V5D3U 编号：C5200729
    封装：SOD-323
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：每线2000瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 保护一条双向I/O线。 低钳位电压。 工作电压：4.5V。 低泄漏电流。 符合RoHS标准。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备

    • 10+

      ￥0.2746

    • 100+

      ￥0.217

    • 300+

      ￥0.1882
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：JMTK4006A 编号：C7436810
    封装：TO-252
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：40V, 70A。 RDS(ON) < 5.9mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 8.6mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用：负载开关。 PWM应用

    • 5+

      ￥0.9135

    • 50+

      ￥0.7978

    • 150+

      ￥0.7482

    • 500+

      ￥0.6863
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:100V 电流:35A
    型号：JMGK540P10A 编号：C2890456
    封装：TO-252-4R
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：-100V，-35A。 RDS(ON) < 52mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 62mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的分裂栅沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 1+

      ￥2.53

    • 10+

      ￥2

    • 30+

      ￥1.78

    • 100+

      ￥1.49
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:180A
    型号：JMTE035N06D 编号：C2890439
    封装：TO-263-3
    品牌：JJW(捷捷微)
    数据手册

    • 1+

      ￥3.6

    • 10+

      ￥2.93

    • 30+

      ￥2.6

    • 100+

      ￥2.27

    • 500+

      ￥1.94
  • 有货
    • 立即购买
    800V 75mA
    型号：JST24E-800BW 编号：C22466520
    封装：TO-263
    品牌：JJW(捷捷微)
    JST24系列三端双向可控硅具有很强的承受大电流冲击负载的能力，能提供高dv/dt速率，且抗电磁干扰能力强。其换向性能良好，特别推荐3象限产品用于感性负载。JST24A的额定绝缘电压为2500V RMS，JST24F的额定绝缘电压为2000V RMS，三个端子与外部散热片之间的绝缘均符合UL标准（文件编号：E252906）

    • 1+

      ￥4.01

    • 10+

      ￥3.26

    • 30+

      ￥2.88

    • 100+

      ￥2.51
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:20V
    型号：JMTL2301C 编号：C3031549
    封装：SOT-23
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：低导通电阻：VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 70mΩ；VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 100mΩ。 先进的沟槽技术。 优秀的导通电阻和低栅极电荷。 无铅产品。应用：PWM应用。 负载开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2122

    • 200+

      ￥0.1661

    • 600+

      ￥0.1404
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
    型号：JMTL3N10A 编号：C2890430
    封装：SOT-23
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：100V, 3A。 RDS(ON) = 180mΩ (Typ.) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 210mΩ (Typ.) @ VGS = 4.5V。 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。 具备完整的雪崩电压和电流特性。 出色的封装，利于散热。应用：不间断电源(UPS)。 硬开关和高频电路
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2867

    • 100+

      ￥0.2315

    • 300+

      ￥0.2039
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：JMTL400N04A 编号：C7527415
    封装：SOT-23
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：40V，5A。 RDS(ON) < 39mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 52mΩ @ VGS = 2.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用：负载开关。 PWM应用

    • 10+

      ￥0.2994

    • 100+

      ￥0.237

    • 300+

      ￥0.2058
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：135A@8/20us
    型号：JEB05D3U 编号：C2936493
    封装：SOD-323
    品牌：JJW(捷捷微)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3097

    • 100+

      ￥0.2473

    • 300+

      ￥0.2161
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型功率MOSFET
    型号：JMTJ210P02A 编号：C5119913
    封装：SOT-23-3L
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：-20V，-7A，RDS(ON)<24.5mΩ @ VGS = -4.5V。RDS(ON)<32mΩ @ VGS = -2.5V。先进的沟槽技术。提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。获得无铅产品认证。应用：负载开关。PWM应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3467

    • 100+

      ￥0.2795

    • 300+

      ￥0.2459
  • 有货
    • 立即购买
    通用交流开关用三端双向可控硅
    型号：JST131V-800D 编号：C19268957
    封装：SOT-223
    品牌：JJW(捷捷微)
    JST131V - 800D 三端双向可控硅开关元件适用于通用交流开关。它可在诸如加热调节、感应电动机启动电路等应用中用作开关功能，也可在调光器、电机速度控制器中用于相位控制操作。SOT - 223 封装符合 RoHS 标准

    • 5+

      ￥0.5557

    • 50+

      ￥0.4453

    • 150+

      ￥0.3901

    • 500+

      ￥0.3487
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道MOSFET
    型号：JMTK3005L 编号：C7527413
    封装：TO-252
    品牌：JJW(捷捷微)

    • 5+

      ￥0.8618

    • 50+

      ￥0.7526

    • 150+

      ￥0.7058

    • 500+

      ￥0.6474
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：JMTQ3008A 编号：C5361733
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：30V, 30A。 RDS(ON) < 8.6mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 12.9mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9469

    • 50+

      ￥0.7353

    • 150+

      ￥0.6445

    • 500+

      ￥0.5314
  • 有货
    • 立即购买
    40V, 70A, N沟道功率MOSFET
    型号：JMSL0406AG 编号：C2890432
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：超低导通电阻。 低栅极电荷。 高电流能力。 100%进行UIS测试。 100%进行Rg测试。应用：计算、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理。 DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流切换
    数据手册

    • 5+

      ￥1.5521

    • 50+

      ￥1.2245

    • 150+

      ￥1.0841
  • 有货
    • 立即购买
    30V、1.7mΩ N沟道功率MOSFET
    型号：JMSL0303AG-13 编号：C5854719
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：JJW(捷捷微)
    特性：超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 100%进行UIS测试，100%进行Rg测试。 无铅镀铅。 无卤且符合ReflS标准。应用：计算机、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理。 DC/DC和AC/DC子系统中的电流切换

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