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特性:30V, 5.8A。 RDS(ON) < 26.7mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 28.6mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 35.2mΩ @ VGS = 2.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:负载开关。 PWM应用
  • 10+

    ¥0.2785
  • 100+

    ¥0.2202
  • 300+

    ¥0.191
  • 有货
  • N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 适用于负载开关、PWM 应用和电源管理。
    • 5+

      ¥0.7836
    • 50+

      ¥0.6108
    • 150+

      ¥0.5244
    • 500+

      ¥0.4596
  • 有货
  • JST12A - 800CW 三端双向可控硅开关元件适用于通用交流开关。它可在加热调节、感应电机启动电路等应用中用作开关功能,也可在调光器、电机速度控制器中用于相位控制操作。特别推荐 JST12A - 800CW 无缓冲三端双向可控硅开关元件用于感性负载
    • 1+

      ¥3.3
    • 10+

      ¥2.6
    • 50+

      ¥2.31
    • 100+

      ¥1.93
  • 有货
  • 特性:超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 100% UIS测试,100% R₃测试。 无铅镀铅。 符合RoHS和无卤要求。应用:电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理。 DC/DC和AC/DC(同步整流)子系统中的电流切换
    数据手册
    • 1+

      ¥4.09
    • 10+

      ¥3.26
    • 30+

      ¥2.84
  • 有货
  • 特性:小尺寸外形:0.063英寸×0.032英寸(1.6×0.8mm)。 保护一条双向I/O线。 低钳位电压。 工作电压:3.3V。 低泄漏电流。 符合RoHS标准。应用:手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册
    • 5000+

      ¥0.069305
    • 15000+

      ¥0.066417
    • 45000+

      ¥0.064684
    • 60000+

      ¥0.063529
    特性:VDS=-20V, ID=-4A。 RDS(ON)=38mΩ (Typ.) @ VGS = -4.5V。 RDS(ON)=48mΩ (Typ.) @ VGS = -2.5V。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。应用:PWM 应用。 负载开关
    数据手册
    • 100+

      ¥0.16875
    • 1000+

      ¥0.1625
    • 3000+

      ¥0.15625
    • 6000+

      ¥0.14375
    • 10000+

      ¥0.14
    特性:60V, 3A。 RDS(ON) < 92mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 119mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。应用:负载开关。 PWM应用
    数据手册
    • 100+

      ¥0.1485
    • 1000+

      ¥0.143
    • 3000+

      ¥0.1375
    • 6000+

      ¥0.1265
    • 10000+

      ¥0.1232
    N沟道增强型功率MOSFET,适用于负载开关、PWM应用和电源管理。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3833
    • 50+

      ¥0.3739
    • 150+

      ¥0.3677
  • 有货
  • 97A8 三端双向可控硅开关元件保持电流和闩锁电流较低,特别推荐用于中小电阻型功率负载。TO - 92 封装符合 RoHS 标准(2011/65/EU)。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5157
    • 50+

      ¥0.4053
    • 150+

      ¥0.3501
    • 500+

      ¥0.3087
  • 有货
    • 5+

      ¥0.6484
    • 50+

      ¥0.5126
    • 150+

      ¥0.4446
    • 500+

      ¥0.3937
  • 有货
  • N-channel Enhancement Mode Power MOSFET旨在保护对电压敏感的组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2543
    • 50+

      ¥0.9932
    • 150+

      ¥0.8813
  • 有货
    • 50+

      ¥1.215
    • 500+

      ¥1.125
    • 1000+

      ¥1.08
    • 5000+

      ¥1.035
    • 10000+

      ¥0.99
    N沟道增强型功率MOSFET,提供出色的导通电阻和低栅极电荷,为无铅产品。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.6487
    • 10+

      ¥1.306
    • 30+

      ¥1.1591
  • 有货
  • JX075F 可控硅整流器(SCR)具备高 dV/dt 速率,且对电磁干扰有很强的抵抗力。特别推荐用于剩余电流断路器、直发器、点火器等设备。从所有三个端子到外部散热器,JX075F 的额定绝缘电压为 2000 VRMS,符合 UL 标准(文件编号:E252906)
    • 5+

      ¥1.9946
    • 50+

      ¥1.5662
    • 150+

      ¥1.3826
  • 有货
  • 低压MOSFET
    • 1+

      ¥2.74
    • 10+

      ¥2.15
    • 30+

      ¥1.9
    • 100+

      ¥1.59
  • 有货
    • 1+

      ¥2.8
    • 10+

      ¥2.21
    • 30+

      ¥1.95
    • 100+

      ¥1.47
  • 有货
    • 1+

      ¥2.99
    • 10+

      ¥2.37
    • 50+

      ¥2.1
    • 100+

      ¥1.77
    • 500+

      ¥1.62
  • 有货
  • 双向16A,600V,同BTA16-600
    数据手册
    • 1+

      ¥3.38
    • 10+

      ¥2.67
    • 50+

      ¥2.29
  • 有货
  • 特性:超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 100%进行UIS测试,100%进行Rg测试。 无铅镀铅。 无卤且符合RefSI标准。应用:电信、工业自动化、消费电子中的电源管理。 DC/DC(降压)和AC/DC(同步整流、反相)中的电流切换
    • 1+

      ¥3.91
    • 10+

      ¥3.15
    • 50+

      ¥2.77
  • 有货
  • 特性:VDS = -20V,ID = -4.1A。 RDS(ON) < 40mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 56mΩ @ VGS = -2.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用:PWM应用。 负载开关
    数据手册
    • 100+

      ¥0.162
    • 1000+

      ¥0.156
    • 3000+

      ¥0.15
    • 6000+

      ¥0.138
    • 10000+

      ¥0.1344
    P6KE系列大电流瞬态抑制器专为交流线路保护和高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件可提供6.8V至600V的单向/双向端口保护。它们提供的钳位电压低于雪崩电压。因此,因电流传导增加而导致的任何电压上升都被控制在最低限度,从而提供尽可能高的保护水平。它们还可以串联和/或并联连接,以创建高容量的保护解决方案。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4395
    • 100+

      ¥0.3497
    • 300+

      ¥0.3047
  • 有货
  • 特性:N沟道:30V,9A。 RDS(ON) < 21mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 4.5V。 P沟道:-30V,-7A。 RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 54mΩ @ VGS = -4.5V。应用:电池保护。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9918
    • 50+

      ¥0.7801
    • 150+

      ¥0.6894
  • 有货
  • 特性:N-Channel: 40V, 14A。 RDS(ON) < 22mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 28mΩ @ VGS = -4.5V。 P-Channel: -40V, -14A。 RDS(ON) < 50mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 70mΩ @ VGS = -4.5V。应用:电池保护。 负载开关
    • 5+

      ¥1.2489
    • 50+

      ¥0.9784
    • 150+

      ¥0.8625
  • 有货
  • P-channel Enhancement Mode Power MOSFET旨在为特定电路提供高效的功率控制和开关功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9545
    • 50+

      ¥1.5312
    • 150+

      ¥1.3497
  • 有货
  • JST30A - 800CW 三端双向可控硅开关元件适用于通用交流开关。它可在加热调节、感应电机启动电路等应用中用作开关功能,也可在调光器、电机速度控制器中用于相位控制操作。特别推荐将 JST30A - 800CW 无缓冲三端双向可控硅开关元件用于感性负载
    • 1+

      ¥3.34
    • 10+

      ¥2.69
    • 50+

      ¥2.37
  • 有货
  • 特性:85V,130A。 RDS(ON) < 5.2mΩ @ VGS = 10V。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。应用:负载开关。 PWM应用
    数据手册
    • 1+

      ¥3.6
    • 10+

      ¥2.9
    • 30+

      ¥2.55
  • 有货
    • 1+

      ¥5.99
    • 10+

      ¥4.91
    • 30+

      ¥4.37
    • 100+

      ¥3.83
  • 有货
  • 特性:超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 高电流能力。 100% UIS测试,100% Rg测试。应用:电信、工业自动化、消费电子中的电源管理。 电动工具、电动车、机器人中的电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥6.53
    • 10+

      ¥5.29
    • 50+

      ¥4.2
    • 100+

      ¥3.59
  • 有货
  • 特性:N-Channel:40V,10A。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 27mΩ @ VGS = -4.5V。 P-Channel:-40V,-10A。 RDS(ON) < 44mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 62mΩ @ VGS = -4.5V。应用:电池保护。 负载开关
    数据手册
    • 50+

      ¥0.8505
    • 500+

      ¥0.7875
    • 1000+

      ¥0.756
    • 5000+

      ¥0.7245
    • 10000+

      ¥0.693
    特性:超低导通电阻 RDS(ON)。 低栅极电荷。 高电流能力。 100%进行UIS测试,100%进行Rg测试。应用:计算机、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理。 DC/DC和AC/DC(同步整流)子系统中的电流切换
    数据手册
    • 50+

      ¥0.945
    • 500+

      ¥0.875
    • 1000+

      ¥0.84
    • 5000+

      ¥0.805
    • 10000+

      ¥0.77
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