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首页 > 热门关键词 > 捷捷微二极管
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特性:超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 100% UIS测试,100% Rg测试。 无铅镀层。 无卤且符合RoHS标准。应用:电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理。 DC/DC和AC/DC(SR)子系统中的电流切换
  • 1+

    ¥3.03
  • 10+

    ¥2.38
  • 30+

    ¥2.09
  • 100+

    ¥1.74
  • 500+

    ¥1.59
  • 1000+

    ¥1.5
  • 有货
  • 特性:超低导通电阻,RDS(ON)。 低栅极电荷,Qg。 100% UIS和Rg测试。 无铅引脚镀层。 无卤且符合RoHS标准。 通过AEC-Q101汽车应用认证
    • 1+

      ¥3.45
    • 10+

      ¥2.75
    • 30+

      ¥2.44
    • 100+

      ¥2.07
    • 500+

      ¥1.9
    • 1000+

      ¥1.8
  • 有货
    • 1+

      ¥3.87
    • 10+

      ¥3.15
    • 30+

      ¥2.8
    • 100+

      ¥2.44
    • 500+

      ¥1.99
    • 1000+

      ¥1.89
  • 有货
  • 特性:超低导通电阻,RDS(ON)。 低栅极电荷,Qg。 100% UIS和Rg测试。 无铅镀铅。 无卤且符合RoHS标准。 通过AEC-Q101汽车应用认证
    • 1+

      ¥6.07
    • 10+

      ¥4.88
    • 30+

      ¥4.29
    • 100+

      ¥3.7
    • 500+

      ¥3.35
    • 1000+

      ¥3.17
  • 有货
  • JEB05VCDF是一款超低电容瞬态电压抑制器阵列,旨在保护计算应用免受静电放电和电快速瞬变的破坏影响。
    • 20+

      ¥0.1691
    • 200+

      ¥0.1313
    • 600+

      ¥0.1103
    • 2000+

      ¥0.0977
    • 10000+

      ¥0.0867
  • 有货
  • 特性:40V, 75A。 RDS(ON) < 4.9mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 7.5mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用:负载开关。 PWM应用
    • 5+

      ¥1.2596
    • 50+

      ¥1.1
    • 150+

      ¥1.0316
    • 500+

      ¥0.9462
    • 2500+

      ¥0.9082
  • 有货
  • 建议将栅极和阴极之间带有并联电阻的JR0405可控硅整流器(SCR)系列特别用于直发器、点火器、负离子发生器等。上述所有封装均符合RoHS标准(2011/65/EU)。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2762
    • 50+

      ¥1.1145
    • 250+

      ¥1.0452
    • 500+

      ¥0.9587
    • 2500+

      ¥0.9202
  • 有货
  • 特性:超低导通电阻,RDS(ON)。 低栅极电荷,Qg。 100% UIS和Rg测试。 无铅镀铅。 无卤且符合RoHS标准。 通过AEC-Q101汽车应用认证
    • 1+

      ¥2.54
    • 10+

      ¥1.98
    • 30+

      ¥1.74
    • 100+

      ¥1.45
    • 500+

      ¥1.32
    • 1000+

      ¥1.24
  • 有货
  • 中压MOSFET
    • 1+

      ¥9.75
    • 10+

      ¥8.06
    • 30+

      ¥7.14
    • 100+

      ¥6.09
    • 500+

      ¥5.63
    • 1000+

      ¥5.42
  • 有货
  • 特性:60V, 5A。 RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 47mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用:负载开关。 PWM应用
    • 5+

      ¥0.9662
    • 50+

      ¥0.7596
    • 150+

      ¥0.671
    • 500+

      ¥0.5605
    • 2500+

      ¥0.5113
    • 4000+

      ¥0.4818
  • 有货
    • 5+

      ¥1.6166
    • 50+

      ¥1.299
    • 150+

      ¥1.163
    • 500+

      ¥0.9932
  • 有货
  • 特性:超低导通电阻,RDS(ON)。 低栅极电荷,Qg。 100% UIS和Rg测试。 无铅镀铅。 无卤且符合RoHS标准。 通过AEC-Q101汽车应用认证
    • 1+

      ¥6.17
    • 10+

      ¥4.98
    • 30+

      ¥4.39
    • 100+

      ¥3.8
    • 500+

      ¥3.44
    • 1000+

      ¥3.26
  • 有货
  • N沟道增强型功率MOSFET旨在保护对电压敏感的组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。
    • 5+

      ¥0.8287
    • 50+

      ¥0.7237
    • 150+

      ¥0.6787
    • 500+

      ¥0.6225
    • 2500+

      ¥0.5975
  • 有货
  • 低触发电流,四象限双向可控硅8A/800V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1809
    • 50+

      ¥0.9289
    • 150+

      ¥0.8209
    • 500+

      ¥0.6862
    • 2500+

      ¥0.5711
  • 有货
    • 5+

      ¥1.7148
    • 50+

      ¥1.362
    • 150+

      ¥1.2108
    • 500+

      ¥1.0221
  • 有货
  • 特性:20V,-85A。RDS(ON) < 2.7mΩ @ VGS = -4.5V。RDS(ON) < 3.8mΩ @ VGS = -2.5V。RDS(ON) < 5.7mΩ @ VGS = -1.8V。先进的沟槽技术。提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:负载开关。PWM应用
    数据手册
    • 1+

      ¥2.57
    • 10+

      ¥2.27
    • 30+

      ¥2.14
    • 100+

      ¥1.98
    • 500+

      ¥1.7
    • 1000+

      ¥1.66
  • 有货
  • 特性:超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 100% UIS测试,100% Rg测试。 无铅镀铅。 无卤且符合RoHS标准。应用:计算、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理。 电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动
    • 1+

      ¥4.56
    • 10+

      ¥3.65
    • 50+

      ¥3.2
    • 100+

      ¥2.75
    • 500+

      ¥2.48
    • 1000+

      ¥2.34
  • 有货
  • 特性:结钝化优化设计,采用钝化各向异性整流技术。 Tj = 175℃,适用于高可靠性和汽车要求。 提供双向极性。 低泄漏电流。 低正向压降。 高浪涌能力。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击引起的电压瞬变。 特别适用于汽车负载突降保护应用
    数据手册
    • 1+

      ¥8.11
    • 10+

      ¥6.75
    • 30+

      ¥6
    • 100+

      ¥5.15
  • 有货
  • 特性:超低导通电阻(RDS(ON))。 低栅极电荷。 高电流能力。 100%进行UIS测试。 100%进行Rg测试。应用:电信、工业自动化、消费电子中的电源管理。 DC/DC和AC/DC(SR)子系统中的电流切换
    数据手册
    • 1+

      ¥3.52
    • 10+

      ¥2.79
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥2.08
    • 500+

      ¥1.7
    • 800+

      ¥1.59
  • 有货
    • 1+

      ¥0.2249
    • 10+

      ¥0.1798
    • 30+

      ¥0.1572
  • 有货
  • 特性:VDS = -40V,ID = -12A。 RDS(ON) < 14.3mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 22mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。应用:PWM应用。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4228
    • 50+

      ¥1.1204
    • 150+

      ¥0.9908
    • 500+

      ¥0.8291
  • 有货
  • 可控硅整流器 JCT151K - 800R 具备强大的承受大电流冲击负载的能力,能提供高 dv/dt 速率,且抗电磁干扰能力强。特别推荐用于固态继电器、摩托车、充电器、电动工具等领域。TO - 252 - 4R 封装符合 RoHS 标准
    • 5+

      ¥1.46
    • 50+

      ¥1.1828
    • 150+

      ¥1.064
    • 500+

      ¥0.9158
  • 有货
  • 特性:超低导通电阻。 低栅极电荷。 高电流能力。 100% UIS测试。 100% Rg测试。应用:电信、工业自动化、消费电子中的电源管理。 DC/DC和AC/DC子系统中的电流切换
    数据手册
    • 1+

      ¥1.93
    • 10+

      ¥1.7
    • 30+

      ¥1.6
    • 100+

      ¥1.48
    • 500+

      ¥1.31
    • 1000+

      ¥1.28
  • 有货
    • 5+

      ¥2.1578
    • 50+

      ¥1.7093
    • 150+

      ¥1.517
    • 500+

      ¥1.2772
    • 2500+

      ¥1.1704
    • 5000+

      ¥1.1063
  • 有货
    • 1+

      ¥2.49
    • 10+

      ¥2.21
    • 30+

      ¥2.07
    • 100+

      ¥1.94
    • 500+

      ¥1.85
    • 1000+

      ¥1.81
  • 有货
  • 40A,1200V,双向可控硅
    数据手册
    • 1+

      ¥8.11
    • 10+

      ¥6.67
    • 30+

      ¥5.88
    • 90+

      ¥4.99
  • 有货
  • 特性:保护一条双向I/O线。 低钳位电压。 低工作电压:5.0V。 符合RoHS标准。 IEC61000-4-2 (ESD) 防护能力:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。 IEC61000-4-4 (EFT) 防护能力:40A (5/50ns)。应用:手机及配件。 个人数字助理 (PDA)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0591
    • 500+

      ¥0.0473
    • 1500+

      ¥0.0407
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.2A
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2149
    • 200+

      ¥0.1706
    • 600+

      ¥0.146
    • 3000+

      ¥0.125
  • 有货
    • 5+

      ¥1.0873
    • 50+

      ¥0.8494
    • 150+

      ¥0.7475
    • 500+

      ¥0.6203
  • 有货
  • 特性:结钝化优化设计,采用钝化各向异性整流技术。 最高工作温度可达175℃,适用于高可靠性和汽车应用。 仅提供单向极性。 低漏电流。 低正向压降。 高浪涌能力。应用:用于保护敏感电子设备免受感性负载开关和雷电引起的电压瞬变影响。 特别适用于汽车负载突降保护应用
    数据手册
    • 1+

      ¥6.13
    • 10+

      ¥4.92
    • 30+

      ¥4.31
    • 100+

      ¥3.72
  • 有货
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