美台二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：AZ23C27-7-F 编号：C397927

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

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5+
￥0.5405
50+
￥0.4368
150+
￥0.385

有货

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型号：BZT585B6V2T-7 编号：C460802

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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100+
￥0.19548
1000+
￥0.18824
3000+
￥0.181
6000+
￥0.16652
10000+
￥0.162176

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型号：BAV99HDW-13 编号：C2960350

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。高反向击穿电压。低漏电流。低电容。一个封装内有两个“BAV99”电路。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

5+
￥0.5906
50+
￥0.4773
150+
￥0.4207

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型号：AZ23C39-7-F 编号：C5126675

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

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5+
￥0.5921
50+
￥0.4781
150+
￥0.4211

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型号：B160S1F-7 编号：C7218214

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

单价：
￥0.391616 / 个

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型号：MMBD4148W-7-F 编号：C460226

封装：SOT-323-3

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。超小表面贴装封装。用于通用开关应用。高电导率。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。本产品符合 JEDEC 高可靠性标准

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5+
￥0.6687
50+
￥0.5454
150+
￥0.4837

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型号：SD103BWS-7-F 编号：C165468

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒器件专为满足汽车应用的严格要求而设计。这些器件非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

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单价：
￥0.28995 / 个

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型号：BZT52C12LP-7 编号：C2916512

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

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5+
￥0.68
50+
￥0.6653
150+
￥0.6555

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型号：BAS21TMQ-13 编号：C17287296

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度：最大50ns。连续反向电压：最大200V。重复峰值反向电压：最大250V。重复峰值正向电流：最大1A。小型表面贴装封装。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的型号可供选择

5+
￥0.6899
50+
￥0.6723
150+
￥0.6605

有货

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型号：MMSZ5232BQ-7-F 编号：C460917

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW 功率耗散。通用、中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

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单价：
￥0.21437 / 个

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型号：B2150A 编号：C388246

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：适用于表面贴装应用。带保护环的金属-半导体结。外延结构。极低的正向压降。高电流能力。塑料材料具有UL可燃性等级94V-0。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

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单价：
￥0.541423 / 个

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型号：BZX84C6V8W-7-F 编号：C5248746

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-39V。超小型表面贴装封装。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

5+
￥0.7959
50+
￥0.6402
150+
￥0.5623

有货

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型号：D5V0L1B2LP3-7 编号：C282418

封装：X3-DFN0603-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小、薄型无铅表面贴装封装（0.6mm x 0.3mm x 0.3mm）。符合IEC 61000-4-2标准提供ESD保护：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。单通道ESD保护。低通道输入电容。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：手机。便携式电子产品

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5+
￥0.8488
50+
￥0.8329
150+
￥0.8223

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型号：SD103ATW-7-F 编号：C500778

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。快速开关。低泄漏电流。三个完全隔离的肖特基二极管。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9146
50+
￥0.732
150+
￥0.6407
500+
￥0.5722

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型号：DFLZ33-7 编号：C2987008

封装：PowerDI123

品牌：DIODES(美台)

特性：1W功率耗散（FR-4 PCB）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中所引用），具有高可靠性。有符合汽车标准的产品（单独的数据手册）

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3000+
￥0.529805
9000+
￥0.515984

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型号：B1100Q-13-F 编号：C5244332

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。无铅涂层，符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：极性保护二极管。续流二极管

单价：
￥0.447979 / 个

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型号：MSB15MH 编号：C388250

封装：SMD-4P

品牌：DIODES(美台)

适用于开关电源、LED照明、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的交流到直流桥式全波整流。

数据手册

5+
￥0.9871
50+
￥0.7855
150+
￥0.6991
500+
￥0.5913
2500+
￥0.541
5000+
￥0.5122

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型号：BZT52C8V2LP-7 编号：C5248678

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小无铅表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

5+
￥1.0015
50+
￥0.8137
150+
￥0.7198

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型号：RS2A-13-F 编号：C460927

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达50A峰值。非常适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。绿色模塑化合物（无卤素和锑）

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5+
￥1.0465
50+
￥0.8308
150+
￥0.7384

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型号：FES1JE 编号：C5245055

封装：DO-219AA

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关，高效能。适用于表面贴装应用。玻璃钝化芯片。低反向漏电流。低正向压降。高电流能力。符合 AEC-Q101 Rev_C 标准。无铅涂层，符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥1.0754
50+
￥1.0517
150+
￥1.0359

有货

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型号：DFLZ15Q-7 编号：C780818

封装：PowerDI123

品牌：DIODES(美台)

特性：1W功率耗散（FR-4 PCB）。大型外露焊盘和散热片，具备卓越的热性能。专利联锁夹设计，具备高浪涌能力，美国专利号 #7,095,113。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具备高可靠性。可提供生产件批准程序（PPAP）文件

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5+
￥1.0863
50+
￥1.0661
150+
￥1.0527

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型号：SDMP0340LCT-7-F 编号：C526768

封装：SOT-523-3

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环芯片结构。适用于低逻辑电平应用。低电容。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥1.102
50+
￥0.8888
150+
￥0.7974

有货

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型号：1SMB5933B-13 编号：C3009958

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

1+
￥1.1579
10+
￥0.9108
30+
￥0.8049

有货

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型号：SB3100-T 编号：C780890

封装：DO-201AD

品牌：DIODES(美台)

特性：肖特基势垒芯片。用于瞬态保护的保护环芯片结构。低功耗、高效率。高浪涌能力。高电流能力和低正向压降。浪涌过载额定值达80A峰值。无铅表面处理；符合RoHS标准

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5+
￥1.1597
50+
￥0.9263
150+
￥0.8264

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型号：BAS40DW-05-7-F 编号：C134365

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

2对共阴极

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单价：
￥0.84649 / 个

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型号：1SMB5934B-13 编号：C3009957

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥1.2009
50+
￥0.9605
150+
￥0.8575

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型号：B320AQ-13-F 编号：C5244345

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

适用于低压高频逆变器、续流、直流-直流转换器和极性保护应用。

5+
￥1.2201
50+
￥0.9575
150+
￥0.845

有货

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型号：MMSZ5252B 编号：C5244960

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW 功率耗散。通用、中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

5+
￥1.3337
50+
￥1.0767
150+
￥0.9665

有货

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型号：B350B-13-F 编号：C134455

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。浪涌过载额定值达125A峰值。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥1.3731
50+
￥1.1098
150+
￥0.9969

有货

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型号：BAS16VV-7 编号：C459830

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

数据手册

5+
￥1.6275
50+
￥1.301
150+
￥1.1611

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