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  • 128Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器,内部配置为四bankDRAM,具有同步接口。每个x4的33,554,432位bank组织为4096行x2048列x4位。每个x8的33,554,432位bank组织为4096行x1024列x8位。每个x16的33,554,432位bank组织为4096行x512列x16位。
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    DDR3L SDRAM (1.35V) 是 DDR3 (1.5V) SDRAM 的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) 数据手册规格。
    数据手册
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    • 100+

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      ¥45.83
  • 订货
  • MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F 是一款8Gb多芯片堆叠NAND Flash存储器,支持x8和x16数据宽度,具有300μs的页编程时间和2ms的块擦除时间,数据保留时间为10年。
    数据手册
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    • 100+

      ¥50.25
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    • 100+

      ¥57.22
  • 订货
  • 特性:超低电压核心和I/O电源:VDD1 = 1.70-1.95V,标称值1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V,标称值1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V,标称值0.60V或VDDQ = 1.06-1.17V,标称值1.10V。频率范围:2133-4266 MHz(每引脚数据速率范围)
    数据手册
    • 1+

      ¥91.76
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  • 128M x 8
    数据手册
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      ¥79.68
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      ¥73.34
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  • Micron e.MMC 是一种包括多媒体卡 (MMC) 接口、NAND 闪存组件和控制器的高级 12 信号总线的通信和大容量数据存储设备。其每比特成本低、封装尺寸小、可靠性高,适用于汽车应用,包括信息娱乐、导航工具、高级驾驶辅助系统等。
    数据手册
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      ¥74.99
  • 订货
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      ¥39.1
    • 1000+

      ¥38.43
  • 订货
  • 特性:超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V;标称值 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V;标称值 1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V;标称值 0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V;标称值 1.10V。 频率范围:2133-4266 MHz(每引脚数据速率范围)
    数据手册
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    • 30+

      ¥86.01
    • 100+

      ¥79.02
  • 订货
  • 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装: 78-FBGA(7.5x11)
    数据手册
    • 1+

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      ¥103.06
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      ¥98.52
    • 500+

      ¥97.47
    • 1000+

      ¥96.99
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    • 10+

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    • 30+

      ¥96.09
    • 100+

      ¥88.28
  • 订货
  • MT29F8G01ADAFD12-AAT:F 是一款8Gb x8/x16 多路复用NAND闪存。它支持多种命令集,包括页面读取、随机数据读取、编程和擦除等。每个块包含64个页面,每页2,112字节(2,048 + 64字节)。读取性能为25μs随机读取和30ns顺序读取(仅限3V x8)。写入性能为300μs页面编程和2ms块擦除。数据保留时间为10年。
    数据手册
    • 1+

      ¥117.48
    • 10+

      ¥111.97
    • 30+

      ¥102.41
    • 100+

      ¥94.08
  • 订货
  • 特性:MultiMediaCard (MMC) 控制器和 NAND 闪存,符合 JEDEC/MMC 标准版本 5.1(JEDEC 标准号 JESD84-B51)。VCC:2.7-3.6V。VCCQ:1.70-1.95V。存储温度范围:WT:从 -40°C 到 +85°C。IT:从 -40°C 到 +95°C。先进的 12 信号接口
    • 1+

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      ¥113.37
    • 30+

      ¥103.72
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