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首页 > 热门关键词 > 镁光二极管
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特性:SPI总线兼容串行接口。 2Mb闪存。 最高75 MHz时钟频率。 2.3V至3.6V单电源电压
数据手册
  • 10+

    ¥3.3561
  • 100+

    ¥3.2318
  • 200+

    ¥2.9832
  • 1000+

    ¥2.8589
  • 2000+

    ¥2.7346
特性:SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率(STR/DTR)。 时钟频率:STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。 双/四I/O命令,吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议:扩展I/O协议
数据手册
  • 1+

    ¥7.38
  • 10+

    ¥7.22
  • 30+

    ¥7.11
  • 100+

    ¥6.15
  • 订货
  • 特性:MultiMediaCard (MMC) 控制器和 NAND 闪存。 153 引脚 FBGA(符合 RoHS 标准,“绿色封装”)。 VCC:2.7-3.6V。 VCCQ(双电压):1.7-1.95V;2.7-3.6V。 工业温度范围: -工作温度:-40℃ 至 +85℃。 -储存温度:-40℃ 至 +85℃
    • 单价:

      ¥341.712 / 个
    e.MMC是一种通信和大容量数据存储设备,它在先进的11信号总线上集成了多媒体卡(MMC)接口、NAND闪存组件和控制器,符合MMC系统规范。其单位比特成本低、封装尺寸小且可靠性高,使其成为基础设施和网络设备、个人电脑和服务器等工业应用以及其他各种工业产品的理想选择。非易失性e.MMC在保存存储数据时无需耗电,能在较宽的工作温度范围内实现高性能,并且能抵抗冲击和振动干扰
    数据手册
    • 1+

      ¥264.5
    • 10+

      ¥253
    • 50+

      ¥248.4
    Micron e.MMC 是一种包含 MultiMediaCard (MMC) 接口、NAND Flash 组件和控制器的高级 12 信号总线的通信和大容量数据存储设备。它符合 MMC 系统规范,适用于汽车应用,包括信息娱乐、导航工具、高级驾驶辅助系统等。
    • 1+

      ¥206.79
    • 10+

      ¥203.4
    • 50+

      ¥194.925
    • 100+

      ¥186.45
    • 200+

      ¥183.06
    特性:SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率(STR/DTR)。 时钟频率:STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。 双/四I/O命令,吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议:扩展I/O协议
    数据手册
    • 1+

      ¥9.34
    • 10+

      ¥9.11
    • 30+

      ¥8.96
    • 100+

      ¥8.81
  • 订货
  • 特性:SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议为133 MHz (MAX)。DTR中所有协议为90 MHz (MAX)。双/四I/O命令,吞吐量高达90 MB/s。支持协议:扩展、双和四I/O,包括STR和DTR
    数据手册
    • 1+

      ¥24.0125
    • 20+

      ¥23.052
    • 100+

      ¥22.0915
    • 200+

      ¥21.5152
    • 500+

      ¥21.131
    M25P64 是一款 64 Mbit(8M×8)的串行闪存,通过高速 SPI 兼容总线访问,时钟频率最高可达 75 MHz。使用页编程指令,每次可对 1 至 256 字节进行编程。此外,还提供增强型快速编程/擦除模式
    数据手册
    • 5+

      ¥32.214
    • 50+

      ¥28.497
    • 100+

      ¥27.258
    • 1000+

      ¥26.5146
    Micron e·MMC是一种包含MultiMediaCard (MMC)控制器和NAND Flash的通信和数据存储设备。其成本低、体积小、闪存技术独立、数据吞吐量高,适用于嵌入式应用,如机顶盒、数字相机/摄像机、数字电视等。
    • 1+

      ¥96.502
    • 10+

      ¥94.92
    • 50+

      ¥90.965
    • 100+

      ¥87.01
    • 200+

      ¥85.428
    1-Mbitt(1M x 1bit),SPI接口,工作电压:2.7V to 3.6V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.301
    • 50+

      ¥2.0355
    • 500+

      ¥1.9824
    • 2000+

      ¥1.8939
    特性:SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥33.9
    • 10+

      ¥29.16
    • 30+

      ¥26.34
    • 100+

      ¥23.49
    • 500+

      ¥22.18
    • 1000+

      ¥21.58
  • 订货
  • 4Gb x16 Automotive DDR3L SDRAM,支持DDR3L设备在1.5V应用中向后兼容。工作温度范围为-40°C至+125°C。
    数据手册
    • 1+

      ¥43.13
    • 10+

      ¥37.44
    • 30+

      ¥33.97
    • 100+

      ¥26.64
  • 订货
    • 1+

      ¥11.11
    • 10+

      ¥9.42
    • 30+

      ¥8.36
    • 100+

      ¥7.28
    • 500+

      ¥6.79
    • 1000+

      ¥6.58
  • 订货
    • 1+

      ¥13.25
    • 10+

      ¥11.39
    • 30+

      ¥10.22
    • 100+

      ¥9.03
    • 500+

      ¥8.49
    • 1000+

      ¥8.25
  • 订货
    • 1+

      ¥24.74022
    • 20+

      ¥23.73452
    • 100+

      ¥23.1311
    • 200+

      ¥22.1254
    • 500+

      ¥21.72312
    特性:单级单元(SLC)工艺技术。 密度:256Mb。 电源电压:VCC(overline) = 2.7-3.6V(编程、擦除、读取);VCCQ(overline) = 1.65-VCC(I/O缓冲器)。 异步随机/页面读取。 页面大小:16字或32字节。 页面访问:20ns
    数据手册
    • 1+

      ¥89.03
    • 10+

      ¥85.44
    • 30+

      ¥79.23
    • 100+

      ¥73.82
  • 订货
  • 特性:超低电压核心和 I/O 电源。 VDD1 = 1.70-1.95V;标称值 1.80V。 VDD2 = 1.06-1.17V;标称值 1.10V。 VDDQ = 1.06-1.17V;标称值 1.10V 或 LowVDDQ = 0.57-0.65V;标称值 0.60V
    数据手册
    • 1+

      ¥215.07
    • 30+

      ¥205.74
  • 订货
    • 1+

      ¥253
    • 10+

      ¥242
    • 50+

      ¥237.6
    • 1+

      ¥7.35
    • 200+

      ¥2.94
    • 500+

      ¥2.84
    • 1000+

      ¥2.79
  • 订货
    • 1+

      ¥30.99
    • 10+

      ¥26.37
    • 30+

      ¥23.56
    • 100+

      ¥21.2
  • 订货
    • 1+

      ¥55.6452
    • 20+

      ¥53.3832
    • 100+

      ¥52.026
    • 200+

      ¥49.764
    • 500+

      ¥48.8592
    特性:VDD / VDDQ = 1.7–1.95V。 完全同步;所有信号在系统时钟的正沿寄存。 内部流水线操作;列地址可以在每个时钟周期更改。 四个内部存储体用于并发操作。 可编程突发长度:1、2、4、8和连续。 自动预充电,包括并发自动预充电。 自动刷新和自刷新模式。 LVTTL兼容输入和输出。 片上温度传感器以控制自刷新速率。 部分阵列自刷新(PASR)。 深度掉电(DPD)。 可选输出驱动强度(DS)。 64ms刷新周期;汽车温度下为32ms
    数据手册
    • 1+

      ¥45.55
    • 10+

      ¥38.4
    • 30+

      ¥34.04
    • 100+

      ¥30.38
  • 订货
  • 128Mb SDRAM,4兆 x 32位,4个bank,支持PC100标准,完全同步,所有信号在系统时钟的上升沿注册。具有内部流水线操作,可编程突发长度为1、2、4、8或全页,支持自动预充电和自刷新模式。工作温度范围包括商业级(0°C至70°C)、工业级(-40°C至85°C)和汽车级(-40°C至105°C)。
    数据手册
    • 1+

      ¥49.65
    • 10+

      ¥42.7
    • 30+

      ¥38.47
    • 100+

      ¥34.92
  • 订货
    • 1+

      ¥56.88
    • 10+

      ¥54.92
  • 订货
    • 1+

      ¥57.33
    • 10+

      ¥55.33
  • 订货
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