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首页 > 热门关键词 > 平晶微二极管
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描述
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操作
NPN 电流:2A 电压:50V
型号：2SC2873SQ-Y 编号：C2917200
封装：SOT-89
品牌：PJSEMI(平晶微)
特性：低饱和电压。 高速开关时间。 推荐作为 PNP 晶体管 2SA1213SQ 的互补类型
数据手册

  • 10+

    ￥0.3895

  • 100+

    ￥0.3079

  • 300+

    ￥0.2671

  • 1000+

    ￥0.2365

  • 5000+

    ￥0.212

  • 10000+

    ￥0.1998
  • 有货
    • 立即购买
    1.24V~18V 并联
    型号：TL432 编号：C411754
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    Vref:1.24V 1% , IKA(MIN): 80uA
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4063

    • 100+

      ￥0.3223

    • 300+

      ￥0.2803

    • 3000+

      ￥0.2234

    • 6000+

      ￥0.1982

    • 9000+

      ￥0.1855
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：MMBTSC3875Y 编号：C411773
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和音频放大器应用。 推荐作为PNP晶体管MMBTSA1504的互补类型
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0963

    • 500+

      ￥0.0752

    • 3000+

      ￥0.0574

    • 6000+

      ￥0.0504

    • 24000+

      ￥0.0443

    • 51000+

      ￥0.041
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:25V
    型号：MMBT8050D 编号：C411762
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和放大器应用。推荐作为 PNP 晶体管 MMBT8550 的互补类型。SOT-23 (TO-236) 封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1069

    • 500+

      ￥0.0831

    • 3000+

      ￥0.0652

    • 6000+

      ￥0.0573

    • 24000+

      ￥0.0504

    • 51000+

      ￥0.0467
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
    型号：PJM2301PSA-S 编号：C411716
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：VDS = -20V，ID = -2A。 RDS(ON) = 120mΩ（典型值）@VGS = 2.5V。 RDS(ON) = 88mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。 高功率和电流处理能力。 无卤和无锑。 表面贴装封装。应用：电池保护。 负载开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1665

    • 200+

      ￥0.1314

    • 600+

      ￥0.1119

    • 3000+

      ￥0.0879
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
    型号：PJM7002KNDC 编号：C2981471
    封装：DFN-3L(1x0.6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：快速开关。 低栅极电荷和低导通电阻。 低反向传输电容。 VDS = 60V，Id = 0.3A，在VGS = 10V时，RDS(ON) < 3Ω。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1714

    • 200+

      ￥0.1336

    • 600+

      ￥0.1126

    • 2000+

      ￥0.1

    • 10000+

      ￥0.0794

    • 20000+

      ￥0.0735
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
    型号：PJM01N20KDC 编号：C2981470
    封装：DFN-3L(1x0.6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：低栅极电荷和低导通电阻RDS(ON)。 ESD保护（HBM）高达2KV。 VDS = 20V，Id = 0.8A。 RDS(ON) < 310mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1778

    • 200+

      ￥0.1373

    • 600+

      ￥0.1148

    • 2000+

      ￥0.1013

    • 10000+

      ￥0.0851

    • 20000+

      ￥0.0788
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:5.5A
    型号：PJM2300NSA-L 编号：C2856841
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：优秀的导通电阻和低栅极电荷。 RDS(on) < 28 mΩ @ VGS = 4.5 V。 SOT-23封装。应用：DC/DC转换器。 便携式设备的负载开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2941

    • 100+

      ￥0.2336

    • 300+

      ￥0.2034

    • 3000+

      ￥0.1608

    • 6000+

      ￥0.1427

    • 9000+

      ￥0.1336
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：PJM3400NSA 编号：C411712
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：VDS = 30V，ID = 5.8A。 RDS(ON) < 59mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 41mΩ @ VGS = 10V。 高功率和电流处理能力。应用：负载开关和PWM应用。 电源管理
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2965

    • 100+

      ￥0.2388

    • 300+

      ￥0.21

    • 3000+

      ￥0.1694

    • 6000+

      ￥0.1521

    • 9000+

      ￥0.1434
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:300mA 电压:400V
    型号：MMBTA94 编号：C411780
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于高压开关和放大器应用。晶体管根据直流电流增益分为一组
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3373

    • 100+

      ￥0.2677

    • 300+

      ￥0.2329

    • 3000+

      ￥0.1851

    • 6000+

      ￥0.1642

    • 9000+

      ￥0.1537
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:2A
    型号：PJM02N60SA 编号：C2856840
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：RDS(ON) < 85mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 120mΩ @ VGS = 4.5V。 VDS = 60V, ID = 2A。 高功率和电流处理能力。应用：DC/DC转换器。 电池开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3491

    • 100+

      ￥0.2771

    • 300+

      ￥0.2411

    • 3000+

      ￥0.1926

    • 6000+

      ￥0.171

    • 9000+

      ￥0.1602
  • 有货
    • 立即购买
    3V 6.5V
    型号：PJ9193M30SE 编号：C686643
    封装：SOT-23-5
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    是高度精确、低噪声的正电压LDO稳压器，采用CMOS工艺制造。性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间。在关断模式下功耗小于1μA，开启时间小于50μs。其他特点包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3617

    • 100+

      ￥0.2897

    • 300+

      ￥0.2537

    • 3000+

      ￥0.1973

    • 6000+

      ￥0.1757

    • 9000+

      ￥0.1649
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型功率MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:3A
    型号：PJM10H03NSC 编号：C2891566
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：VDS = 100V，ID = 3A。 RDS(ON) < 160mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 170mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V。 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。 出色的封装，利于散热。应用：电源开关应用。 不间断电源
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3778

    • 100+

      ￥0.2914

    • 300+

      ￥0.2482

    • 3000+

      ￥0.2319

    • 6000+

      ￥0.2059

    • 9000+

      ￥0.193
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:7A
    型号：PJM07P20SA 编号：C2856842
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：SOT-23。 低栅极电荷。 高密度单元设计，实现超低导通电阻RDS(ON)。 VDS = -20V，ID = -7A，RDS(ON) < 28mΩ @ VGS = -10V。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4239

    • 100+

      ￥0.3351

    • 300+

      ￥0.2907

    • 3000+

      ￥0.2574
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
    型号：PJM20N60TE 编号：C36493746
    封装：TO-252
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    1个N沟道，VDS=60V ID=20A ,PD:27.7W RDS(ON)<33mΩ@Vgs=10V

    • 5+

      ￥0.7529

    • 50+

      ￥0.6511

    • 150+

      ￥0.6074

    • 500+

      ￥0.5529
  • 有货
    • 立即购买
    1.2V~37V 1.5A 40V
    型号：LM317ST 编号：C23376665
    封装：SOT-223
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    三端稳压IC,可调输出，输出电压范围：1.2V~37V，IOUT(MAX):1.5A

    • 5+

      ￥1.0912

    • 50+

      ￥0.8568

    • 150+

      ￥0.7564

    • 500+

      ￥0.6311

    • 2500+

      ￥0.5753

    • 4000+

      ￥0.5418
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:100V 电流:13A
    型号：PJMG10H13PSQ 编号：C42388542
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    SGT屏蔽栅沟槽型,P沟道，VDS=-100V ID=-13A ,PD:1.35W RDS(ON)<150mΩ@Vgs=-10V,

    • 5+

      ￥1.1733

    • 50+

      ￥0.9213

    • 150+

      ￥0.8133

    • 1000+

      ￥0.6786
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:40V 电流:40A
    型号：PJM40P40TE 编号：C36493747
    封装：TO-252
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    1个P沟道，VDS=40V ID=40A ,PD:40W RDS(ON)<12mΩ@Vgs=10V

    • 5+

      ￥1.2927

    • 50+

      ￥1.1289

    • 150+

      ￥1.0587

    • 500+

      ￥0.9711
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:900V 电流:9A
    型号：PJM90H09NTF 编号：C510724
    封装：TO-220F
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：TO-220F。 快速开关。 低反向传输电容。 VDS = 900V，ID = 9A。 RDS(on) < 1.4Ω @ VGS = 10V。应用：适配器和充电器的电源开关电路
    数据手册

    • 1+

      ￥4.33

    • 10+

      ￥3.84

    • 50+

      ￥3.6

    • 100+

      ￥3.36

    • 500+

      ￥3.21

    • 1000+

      ￥3.14
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：MMBT8050D(1.5A) 编号：C411764
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和放大器应用。 特别适用于音频驱动级和低功率输出级
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1114

    • 500+

      ￥0.0872

    • 3000+

      ￥0.0675
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMDT3904SG 编号：C3000397
    封装：SOT-23-6
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和放大器应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1679

    • 200+

      ￥0.1312

    • 600+

      ￥0.1108

    • 3000+

      ￥0.0968

    • 9000+

      ￥0.0862

    • 21000+

      ￥0.0805
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
    型号：PJM2302NSA-S 编号：C411710
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：快速开关。 低栅极电荷和RDS(on)。 高功率和电流处理能力。应用：电池保护。 负载开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.173

    • 200+

      ￥0.1379

    • 600+

      ￥0.1184

    • 3000+

      ￥0.0925

    • 9000+

      ￥0.0824

    • 21000+

      ￥0.0769
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
    型号：PJM123NSA 编号：C2838028
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：表面贴装封装。 低RDS(ON)。 ESD保护（HBM）高达2KV。应用：开关应用。 小型伺服电机控制
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1915

    • 200+

      ￥0.1526

    • 600+

      ￥0.131

    • 3000+

      ￥0.1025

    • 9000+

      ￥0.0913

    • 21000+

      ￥0.0852
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：PJM138NSA 编号：C411713
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：SOT-23封装。 坚固可靠。 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)。 ESD保护（HBM）高达2KV。 VDS = 50V，Id = 0.22A，RDS(on) < 3.5Ω @ VGS = 10V。应用：固态继电器。 电池供电系统
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2319

    • 200+

      ￥0.1811

    • 600+

      ￥0.153

    • 3000+

      ￥0.1212

    • 9000+

      ￥0.1066

    • 21000+

      ￥0.0987
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
    型号：PJM3400JNSC 编号：C41348046
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道，VDS=30V ID=5A ,PD:1.1W RDS(ON)<35mΩ@Vgs=10V

    • 10+

      ￥0.2635

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    37V 并联
    型号：TL431 编号：C411752
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：可编程输出电压至36V。 低动态输出阻抗。 灌电流能力为0.5至100mA。 低输出噪声电压。 快速开启响应。应用：并联稳压器。 串联稳压器
    数据手册

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    PNP 电流:2A 电压:50V
    型号：2SA1213SQ-Y 编号：C2915260
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：低饱和电压。 高速开关时间。 作为NPN晶体管2SC2873SQ的互补类型
    数据手册

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    单节锂离子/聚合物电池保护集成电路
    型号：DW01 编号：C686633
    封装：SOT-23-6
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    DW01电池保护IC旨在保护锂离子/聚合物电池，避免因单节锂离子/聚合物电池供电系统（如手机）中的过充电、过放电和/或过电流而损坏或缩短使用寿命。超小封装和较少的外部元件需求，使其非常适合集成到电池组的有限空间中。精确的±50mV过充电检测电压确保了安全且充分的充电利用
    数据手册

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    LMV721SE
    型号：LMV721SE 编号：C53222318
    封装：SOT-23-5
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    增益带宽积达10MHz，压摆率为 8.5V/μs，能快速响应高频信号，满足高速信号处理需求，输入失调电压VOS(MAX.)：±0.5mV，输入偏置电流: ±1pA，输入失调电流： ±1pA，减少信号源负载影响.轨到轨输入输出，工作电压范围： 2.1V~5.5V或双电源±1.05V~±2.75V 供电，适配电池供电设备等低电压场景，工作温度：- 40℃~+125℃

    • 10+

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    • 100+

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    2个N沟道 耐压:20V 电流:3.6A
    型号：PJM03DN20DFA 编号：C30187476
    封装：DFN2x2A-6L
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    两个N沟道，VDS=20V ID=3.6A ,PD:1W RDS(ON)<45mΩ@Vgs=10V

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      ￥0.5729

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