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首页 > 热门关键词 > 平晶微二极管
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P沟道,电流:4A,耐压:60V
型号：PJM2309PSC 编号：C2683747
封装：SOT-23
品牌：PJSEMI(平晶微)
特性：VDS =-60V，ID =-4A。 RDS(ON) = 180mΩ (最大值) @-10V。 无卤和无锑。应用：负载开关和PWM应用。 电源管理
数据手册

  • 10+

    ￥0.4015

  • 100+

    ￥0.3175

  • 300+

    ￥0.2755

  • 3000+

    ￥0.2254

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    ￥0.2002

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    ￥0.1876
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    单节锂离子/聚合物电池保护集成电路
    型号：DW01 编号：C686633
    封装：SOT-23-6
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    DW01电池保护IC旨在保护锂离子/聚合物电池，避免因单节锂离子/聚合物电池供电系统（如手机）中的过充电、过放电和/或过电流而损坏或缩短使用寿命。超小封装和较少的外部元件需求，使其非常适合集成到电池组的有限空间中。精确的±50mV过充电检测电压确保了安全且充分的充电利用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4042

    • 100+

      ￥0.3226

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      ￥0.2818

    • 3000+

      ￥0.2238

    • 6000+

      ￥0.1993

    • 9000+

      ￥0.187
  • 有货
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    双向TVS 24V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：ESDB24VADB 编号：C22470311
    封装：DFN1x0.6-2L
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    ESDB24VADB是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）影响。它特别适用于手机、便携式媒体播放器（PMP）、移动互联网设备（MID）、个人数字助理（PDA）、数码相机和其他电子设备。ESDB24VADB采用DFN1x0.6-2L封装。标准产品无铅且无卤。

    • 20+

      ￥0.154

    • 200+

      ￥0.1199

    • 600+

      ￥0.101

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      ￥0.0897

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      ￥0.0799
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    双硅PNP数字晶体管
    型号：MMDTA143Z 编号：C41413538
    封装：SOT-23-6
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    两个PNP,R1:4.7K R2:47K, 功率(Pd)：200mW 输出电流(-Io)：100mA 集射极击穿电压(-Vceo)：50V

    • 10+

      ￥0.2635

    • 100+

      ￥0.2083

    • 300+

      ￥0.1807

    • 3000+

      ￥0.16
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    NPN 30V 500mA
    型号：BCV27 编号：C5119701
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：高集电极电流。 高电流增益
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3137

    • 100+

      ￥0.2513

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      ￥0.2201

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      ￥0.1809

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      ￥0.1622

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      ￥0.1528
  • 有货
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    PNP 电流:300mA 电压:400V
    型号：MMBTA94 编号：C411780
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于高压开关和放大器应用。晶体管根据直流电流增益分为一组
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3373

    • 100+

      ￥0.2677

    • 300+

      ￥0.2329

    • 3000+

      ￥0.1851

    • 6000+

      ￥0.1642

    • 9000+

      ￥0.1537
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:7A
    型号：PJM07P20SA 编号：C2856842
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：SOT-23。 低栅极电荷。 高密度单元设计，实现超低导通电阻RDS(ON)。 VDS = -20V，ID = -7A，RDS(ON) < 28mΩ @ VGS = -10V。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4239

    • 100+

      ￥0.3351

    • 300+

      ￥0.2907

    • 3000+

      ￥0.2574
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
    型号：PJM10H10NSC 编号：C41348044
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道，VDS=100V ID=10A ,PD:1.2W RDS(ON)<110mΩ@Vgs=10V

    • 5+

      ￥0.4619

    • 50+

      ￥0.3611

    • 150+

      ￥0.3107

    • 500+

      ￥0.2729
  • 有货
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    P沟道 耐压:40V 电流:8A
    型号：PJM08P40PA 编号：C22438605
    封装：SOP-8
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    1个P沟道，VDS=-40V,ID=-8A,Trench工艺，超低内阻 RDS(ON) <35mΩ@Vgs=-10V, RDS(ON) <45mΩ@Vgs=-4.5V,PD(MAX):1.8W

    • 5+

      ￥0.8107

    • 50+

      ￥0.6331

    • 150+

      ￥0.5443

    • 500+

      ￥0.4777

    • 2500+

      ￥0.4244
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
    型号：PJM15N30DF 编号：C30187481
    封装：DFN2x2-6L
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道，VDS=30V ID=15A ,PD:3W RDS(ON)<12mΩ@Vgs=10V

    • 5+

      ￥0.8935

    • 50+

      ￥0.7063

    • 150+

      ￥0.6127

    • 500+

      ￥0.5425

    • 3000+

      ￥0.4864
  • 有货
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    24V 500mA 35V
    型号：PJ78M24TE 编号：C36493735
    封装：TO-252
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    VIN(MAX):35V VOUT:24V ,IOUT(MAX):0.5A ,PD:1.25W

    • 5+

      ￥1.0257

    • 50+

      ￥0.7989

    • 150+

      ￥0.7017

    • 500+

      ￥0.5804
  • 有货
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    1.2V~37V 1.5A 40V
    型号：LM317ST 编号：C23376665
    封装：SOT-223
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    三端稳压IC,可调输出，输出电压范围：1.2V~37V，IOUT(MAX):1.5A

    • 5+

      ￥1.0912

    • 50+

      ￥0.8568

    • 150+

      ￥0.7564

    • 500+

      ￥0.6311

    • 2500+

      ￥0.5753

    • 4000+

      ￥0.5418
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:5A
    型号：PJM20H05NTE 编号：C36493743
    封装：TO-252
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    1个N沟道，VDS=200V ID=5A ,PD:40W RDS(ON)<3Ω@Vgs=4.5V，开关速度快，低的Qg，反向传输电容小

    • 5+

      ￥1.2906

    • 50+

      ￥1.0134

    • 150+

      ￥0.8946

    • 500+

      ￥0.7464
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:900V 电流:9A
    型号：PJM90H09NTF 编号：C510724
    封装：TO-220F
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：TO-220F。 快速开关。 低反向传输电容。 VDS = 900V，ID = 9A。 RDS(on) < 1.4Ω @ VGS = 10V。应用：适配器和充电器的电源开关电路
    数据手册

    • 1+

      ￥4.33

    • 10+

      ￥3.84

    • 50+

      ￥3.6

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      ￥3.36

    • 500+

      ￥3.21

    • 1000+

      ￥3.14
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906 编号：C411757
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和音频放大器应用。 采用硅外延芯片。 SOT-23 (TO-236)封装。 标记：3E
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0691

    • 500+

      ￥0.0545

    • 3000+

      ￥0.0433
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:50V
    型号：MMBTSC1623-L5 编号：C411768
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：高直流电流增益。 高电压
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0839

    • 500+

      ￥0.066

    • 3000+

      ￥0.0529

    • 6000+

      ￥0.047

    • 24000+

      ￥0.0419

    • 51000+

      ￥0.0391
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904DC 编号：C22470319
    封装：DFN-3L(1x0.6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和音频放大器应用。 无卤和无锑。 防潮等级1级

    • 50+

      ￥0.0929

    • 500+

      ￥0.0724

    • 1500+

      ￥0.061
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：MMBTSC3875Y 编号：C411773
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和音频放大器应用。 推荐作为PNP晶体管MMBTSA1504的互补类型
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0963

    • 500+

      ￥0.0752

    • 3000+

      ￥0.0574

    • 6000+

      ￥0.0504

    • 24000+

      ￥0.0443

    • 51000+

      ￥0.041
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：MMBT8050D(1.5A) 编号：C411764
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和放大器应用。 特别适用于音频驱动级和低功率输出级
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1117

    • 500+

      ￥0.0874

    • 3000+

      ￥0.0677
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:600mA 电压:25V
    型号：MMBT8550D 编号：C411763
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和放大器应用。 推荐作为NPN晶体管MMBT8050的互补类型。 SOT-23 (TO-236)封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1145

    • 500+

      ￥0.0907

    • 3000+

      ￥0.0706
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
    型号：PJM2301PSA-S 编号：C411716
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：VDS = -20V，ID = -2A。 RDS(ON) = 120mΩ（典型值）@VGS = 2.5V。 RDS(ON) = 88mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。 高功率和电流处理能力。 无卤和无锑。 表面贴装封装。应用：电池保护。 负载开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1626

    • 200+

      ￥0.1275

    • 600+

      ￥0.108

    • 3000+

      ￥0.0839
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
    型号：PJM7002KNDC 编号：C2981471
    封装：DFN-3L(1x0.6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：快速开关。 低栅极电荷和低导通电阻。 低反向传输电容。 VDS = 60V，Id = 0.3A，在VGS = 10V时，RDS(ON) < 3Ω。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1714

    • 200+

      ￥0.1336

    • 600+

      ￥0.1126

    • 2000+

      ￥0.1

    • 10000+

      ￥0.0794

    • 20000+

      ￥0.0735
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
    型号：PJM84PSA 编号：C411722
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：SOT-23封装。 节能。 低阈值电压。 高速开关。 ESD保护（HBM）高达2KV。 微型表面贴装封装节省电路板空间。应用：PWM应用。 负载开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1729

    • 200+

      ￥0.1378

    • 600+

      ￥0.1183

    • 3000+

      ￥0.0925

    • 9000+

      ￥0.0824

    • 21000+

      ￥0.0769
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
    型号：PJM01N20KDC 编号：C2981470
    封装：DFN-3L(1x0.6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：低栅极电荷和低导通电阻RDS(ON)。 ESD保护（HBM）高达2KV。 VDS = 20V，Id = 0.8A。 RDS(ON) < 310mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1778

    • 200+

      ￥0.1373

    • 600+

      ￥0.1148

    • 2000+

      ￥0.1013

    • 10000+

      ￥0.0851

    • 20000+

      ￥0.0788
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
    型号：PJM123NSA 编号：C2838028
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：表面贴装封装。 低RDS(ON)。 ESD保护（HBM）高达2KV。应用：开关应用。 小型伺服电机控制
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1915

    • 200+

      ￥0.1526

    • 600+

      ￥0.131

    • 3000+

      ￥0.1025

    • 9000+

      ￥0.0913

    • 21000+

      ￥0.0852
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:160V
    型号：MMDT5551SG 编号：C41413541
    封装：SOT-23-6
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    2个NPN,VCEO=160V IC=600mA,PD:1W ,放大倍数：30~250，Vce(sat）:0.2V(Max.)

    • 20+

      ￥0.2248

    • 200+

      ￥0.1751

    • 600+

      ￥0.1475
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.34A
    型号：PJM7002KNSI 编号：C3000400
    封装：SOT-323
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 高饱和电流能力。 静电放电（HBM）防护高达2.5KV。 漏源电压为60V，漏极电流为0.34A，栅源电压为10V时，导通电阻小于5Ω。应用：DC/DC转换器。 便携式设备负载开关
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    P沟道,电流:4.5A,耐压:30V
    型号：PJM3401PSC 编号：C2683748
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：VDS = -30V，ID = -4.5A。 RDS(ON) = 60mΩ (max) @ -10V。 无卤和无锑。应用：负载开关。 PWM应用
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    N沟道增强型功率MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:3A
    型号：PJM10H03NSC 编号：C2891566
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：VDS = 100V，ID = 3A。 RDS(ON) < 160mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 170mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V。 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。 出色的封装，利于散热。应用：电源开关应用。 不间断电源
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    耐压:600V 电流:0.03A
    型号：PJM60H12MNSA 编号：C22396741
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    耗尽型MOSFET,1个N沟道，600V 30mA ,0.5W,RDS(ON)<700Ω@Vgs=0v,RDS(ON)<800Ω@Vgs=10v,

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