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首页 > 热门关键词 > 平晶微二极管
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NPN型数字晶体管
型号：DTC123JDC 编号：C3000405
封装：DFN-3L(1x0.6)
品牌：PJSEMI(平晶微)
特性：内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺
数据手册

  • 20+

    ￥0.1905

  • 200+

    ￥0.1473

  • 600+

    ￥0.1233

  • 2000+

    ￥0.1089

  • 10000+

    ￥0.0916

  • 20000+

    ￥0.0848
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:1A 电压:60V
    型号：FMMT591 编号：C686646
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：低等效导通电阻。与FMMT491互补
    数据手册

    • 10+

      ￥0.268

    • 100+

      ￥0.2101

    • 300+

      ￥0.1811

    • 3000+

      ￥0.1395

    • 6000+

      ￥0.1221

    • 9000+

      ￥0.1134
  • 有货
    • 立即购买
    3.3V 100mA 36V
    型号：PJ75AL33SA 编号：C411736
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    数据手册

    • 20+

      ￥0.4254

    • 200+

      ￥0.3404

    • 600+

      ￥0.298

    • 3000+

      ￥0.233

    • 9000+

      ￥0.2075

    • 21000+

      ￥0.1948
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
    型号：ESDU5V0ADF 编号：C5156501
    封装：DFN1x0.6-2L
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    8KV接触, 15KV空隙放电
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0847

    • 500+

      ￥0.0735

    • 1500+

      ￥0.0672

    • 10000+

      ￥0.0605

    • 20000+

      ￥0.0572

    • 50000+

      ￥0.0555
  • 有货
    • 立即购买
    NPN型数字晶体管
    型号：DTC143EDC 编号：C3000401
    封装：DFN-3L(1x0.6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1905

    • 200+

      ￥0.1473

    • 600+

      ￥0.1233

    • 2000+

      ￥0.1089

    • 10000+

      ￥0.0916

    • 20000+

      ￥0.0848
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1A 电压:60V
    型号：FMMT491 编号：C686647
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：低等效导通电阻。 与FMMT591互补
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2535

    • 100+

      ￥0.1956

    • 300+

      ￥0.1666

    • 3000+

      ￥0.1414

    • 6000+

      ￥0.124

    • 9000+

      ￥0.1153
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型功率MOSFET
    型号：PJM13P40PA 编号：C49021818
    封装：SOP-8
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    一个P沟道，VDS=-40V ID=-13A ,PD:3.5W RDS(ON)<14.3mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<22mΩ@Vgs=-4.5V, VGS(TH):1~2.5V

    • 5+

      ￥1.5517

    • 50+

      ￥1.2292

    • 150+

      ￥1.0909

    • 500+

      ￥0.9184

    • 2500+

      ￥0.8416
  • 有货
    • 立即购买
    5V 1.5A 35V
    型号：PJ7805TE 编号：C469396
    封装：TO-252
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    三端正稳压器采用TO-252封装。每种类型都采用内部限流、热关断和安全区保护，使其基本不会损坏。如果提供足够的散热，它可以提供超过1.5A的输出电流。虽然设计为固定电压稳压器，但该器件可与外部组件一起使用，以获得可调电压和电流。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1208

    • 50+

      ￥0.8688

    • 150+

      ￥0.7608

    • 500+

      ￥0.6261

    • 2500+

      ￥0.5661

    • 5000+

      ￥0.53
  • 有货
    • 立即购买
    线性霍尔效应IC
    型号：AH49HSC 编号：C510723
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    AH49HSC是一款小型、多功能的线性霍尔效应器件，由永磁体或电磁体产生的磁场驱动。输出电压由电源电压设定，并与磁场强度成正比变化。集成电路具有低噪声输出特性，因此无需使用外部滤波元件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7421

    • 50+

      ￥0.5908

    • 150+

      ￥0.5151

    • 500+

      ￥0.4584

    • 3000+

      ￥0.3537

    • 6000+

      ￥0.331
  • 有货
    • 立即购买
    5V 350mA 45V
    型号：PJ54BM50SE 编号：C20618189
    封装：SOT-23-5
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    带使能脚

    • 5+

      ￥0.8477

    • 50+

      ￥0.6701

    • 150+

      ￥0.5813

    • 500+

      ￥0.5147

    • 3000+

      ￥0.4614
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:600mA 电压:25V
    型号：MMBT8050D 编号：C411762
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和放大器应用。推荐作为 PNP 晶体管 MMBT8550 的互补类型。SOT-23 (TO-236) 封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1069

    • 500+

      ￥0.0831

    • 3000+

      ￥0.0652

    • 6000+

      ￥0.0573

    • 24000+

      ￥0.0504

    • 51000+

      ￥0.0467
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:4.5A
    型号：PJM2300NSA 编号：C411711
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：SOT-23封装。 TrenchFET功率MOSFET。 出色的导通电阻和低栅极电荷。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1367

    • 200+

      ￥0.1187

    • 600+

      ￥0.1087

    • 3000+

      ￥0.1027

    • 9000+

      ￥0.0975

    • 21000+

      ￥0.0947
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：PJM3401PSA 编号：C411718
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。 具备完全表征的雪崩电压和电流。 出色的封装，利于散热。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2138

    • 100+

      ￥0.1898

    • 300+

      ￥0.1778

    • 3000+

      ￥0.1517

    • 6000+

      ￥0.1445

    • 9000+

      ￥0.1409
  • 有货
    • 立即购买
    低压音频功率放大器
    型号：LM386 编号：C22438596
    封装：SOP-8
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    VCC:4~12V 静态功耗低，IQ约4mA,可用于电池供电，增益20-200可调，外围元件少，失真度低

    • 5+

      ￥0.6087

    • 50+

      ￥0.4745

    • 150+

      ￥0.4073

    • 500+

      ￥0.357

    • 2500+

      ￥0.3167
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMDT3906SG 编号：C3000398
    封装：SOT-23-6
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和放大器应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1281

    • 200+

      ￥0.0984

    • 600+

      ￥0.0819

    • 3000+

      ￥0.072

    • 9000+

      ￥0.0634

    • 21000+

      ￥0.0588
  • 有货
    • 立即购买
    NPN型数字晶体管
    型号：DTC124EDC 编号：C3000403
    封装：DFN-3L(1x0.6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1897

    • 200+

      ￥0.1465

    • 600+

      ￥0.1225

    • 2000+

      ￥0.1081

    • 10000+

      ￥0.0908

    • 20000+

      ￥0.084
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:20V 电流:2A
    型号：PJM4602DNSG-S 编号：C2944132
    封装：SOT-23-6
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：快速开关。 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)。 高功率和电流处理能力。应用：电池保护。 负载开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4047

    • 100+

      ￥0.3255

    • 300+

      ￥0.2859

    • 3000+

      ￥0.2202

    • 6000+

      ￥0.1965

    • 9000+

      ￥0.1846
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：MMBTSC3875G 编号：C411774
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和音频放大器应用。 推荐作为PNP晶体管MMBTSA1504的互补类型
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0903

    • 500+

      ￥0.0693

    • 3000+

      ￥0.0574

    • 6000+

      ￥0.0504

    • 24000+

      ￥0.0443

    • 51000+

      ￥0.041
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906DC 编号：C22470320
    封装：DFN-3L(1x0.6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和音频放大器应用

    • 50+

      ￥0.0929

    • 500+

      ￥0.0724

    • 1500+

      ￥0.061
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：6A@8/20us
    型号：ESDB18VADB 编号：C22470310
    封装：DFN1x0.6-2L
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    ESDB18VADB是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）影响。它特别适用于手机、便携式媒体播放器（PMP）、移动互联网设备（MID）、个人数字助理（PDA）、数码相机和其他电子设备。ESDB18VADB采用DFN1x0.6-2L封装。标准产品无铅且无卤。

    • 20+

      ￥0.154

    • 200+

      ￥0.1199

    • 600+

      ￥0.101

    • 2000+

      ￥0.0897
  • 有货
    • 立即购买
    37V 并联
    型号：TL431A 编号：C411753
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：可编程输出电压至36V。 低动态输出阻抗。 灌电流能力为1.0至100mA。 低输出噪声电压。 快速开启响应。应用：并联稳压器。 串联稳压器
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2799

    • 100+

      ￥0.2223

    • 300+

      ￥0.1935

    • 3000+

      ￥0.1532

    • 6000+

      ￥0.1359

    • 9000+

      ￥0.1272
  • 有货
    • 立即购买
    5V 100mA 30V
    型号：PJ78L05SA 编号：C411751
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    PJ78LXXSA 系列固定电压单片集成电路三端正电压稳压器适用于需要高达 100 mA 电源的应用场景。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3103

    • 100+

      ￥0.2431

    • 300+

      ￥0.2095

    • 3000+

      ￥0.1843

    • 6000+

      ￥0.1641

    • 9000+

      ￥0.154
  • 有货
    • 立即购买
    3V 6.5V
    型号：PJ9193M30SE 编号：C686643
    封装：SOT-23-5
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    是高度精确、低噪声的正电压LDO稳压器，采用CMOS工艺制造。性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间。在关断模式下功耗小于1μA，开启时间小于50μs。其他特点包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3622

    • 100+

      ￥0.2902

    • 300+

      ￥0.2542

    • 3000+

      ￥0.1977

    • 6000+

      ￥0.1761

    • 9000+

      ￥0.1653
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:1A 电压:80V
    型号：BCX53SQ-16 编号：C411784
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于AF驱动器和输出级。 高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3756

    • 100+

      ￥0.3037

    • 300+

      ￥0.2677

    • 3000+

      ￥0.2086

    • 6000+

      ￥0.187

    • 9000+

      ￥0.1762
  • 有货
    • 立即购买
    1.24V~18V 并联
    型号：TL432 编号：C411754
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    Vref:1.24V 1% , IKA(MIN): 80uA
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4063

    • 100+

      ￥0.3223

    • 300+

      ￥0.2803

    • 3000+

      ￥0.2234

    • 6000+

      ￥0.1982

    • 9000+

      ￥0.1855
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT4401 编号：C411766
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和音频放大器应用。 采用硅外延芯片
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1255

    • 200+

      ￥0.0979

    • 600+

      ￥0.0826

    • 3000+

      ￥0.0664

    • 9000+

      ￥0.0584

    • 21000+

      ￥0.0541
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：PJM2301PSA 编号：C411715
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：高功率和电流处理能力。 获得无卤产品认证。 表面贴装封装。应用：电池保护。 负载开关
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：PJM3400NSA 编号：C411712
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：VDS = 30V，ID = 5.8A。 RDS(ON) < 59mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 41mΩ @ VGS = 10V。 高功率和电流处理能力。应用：负载开关和PWM应用。 电源管理
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：PJM3415PSA 编号：C411717
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：低栅极电荷和低导通电阻（RDS(on)）。 ESD保护（HBM）高达2KV。应用：负载开关。 PWM应用
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:2A
    型号：PJM2309PSA 编号：C411721
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：VDS = -60V，ID = -2.0A。 RDS(ON) = 200mΩ (max)@ -10V。 无卤和无锑。应用：负载开关。 PWM应用中的电源管理
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