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首页 > 热门关键词 > 萨科微二极管
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符合条件商品:共192571
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RST9361MA是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。RST9361MA的典型电容为0.25pF,用于保护对寄生效应敏感的系统,使其免受过压和过流瞬态事件的影响。
数据手册
  • 20+

    ¥0.17195 ¥0.181
  • 200+

    ¥0.13604 ¥0.1432
  • 600+

    ¥0.11609 ¥0.1222
  • 2000+

    ¥0.10412 ¥0.1096
  • 10000+

    ¥0.089015 ¥0.0937
  • 20000+

    ¥0.08341 ¥0.0878
  • 有货
  • SLPE SD 专为保护一条双向数据线免受静电放电 (ESD) 损坏而设计。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2082
    • 200+

      ¥0.1626
    • 600+

      ¥0.1372
    • 5000+

      ¥0.1144
    • 10000+

      ¥0.1012
    • 20000+

      ¥0.0941
  • 有货
  • SLESDA6V1 - 5SC6旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。
    • 10+

      ¥0.2327
    • 100+

      ¥0.1847
    • 300+

      ¥0.1607
    • 3000+

      ¥0.1427
    • 6000+

      ¥0.1283
    • 9000+

      ¥0.1211
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。塑料材料:UL 可燃性分类等级 94V-0
    数据手册
    • 10+

      ¥0.240445 ¥0.2531
    • 100+

      ¥0.192565 ¥0.2027
    • 300+

      ¥0.168625 ¥0.1775
    • 750+

      ¥0.14402 ¥0.1516
    • 5250+

      ¥0.12958 ¥0.1364
    • 9750+

      ¥0.122455 ¥0.1289
  • 有货
  • 74LVC1G14DBVR 是一款具有施密特触发功能的非门集成电路,可实现 =Ā 的数学逻辑运算。采用先进CMOS 工艺设计,具有低功耗和高输出驱动能力的工作特点,电源电压VCC 在1.65V 和5.5V 之间芯片均可正常工作。并且74LVC1G14DBVR 具有多种小型封装外形,可广泛应用于高端精密仪器和小型化低功耗的手持设备,以及人工智能等领域。
    • 10+

      ¥0.3175
    • 100+

      ¥0.251
    • 300+

      ¥0.2178
    • 3000+

      ¥0.1928
    • 6000+

      ¥0.1729
    • 9000+

      ¥0.1629
  • 有货
  • SL24C64是电可擦除PROM,采用8192x8-bit的组织结构以及两线串行接口。工作电压范围1.8V~5.5V,具有页写能力和硬件数据写保护。存储容量为64K位,擦写寿命为100万次,数据保持时间为100年。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5971
    • 50+

      ¥0.4689
    • 150+

      ¥0.4048
    • 500+

      ¥0.3567
    • 2500+

      ¥0.3078
    • 4000+

      ¥0.2886
  • 有货
  • 偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些独立组件集成到单个器件中来消除它们。BRT 器件采用 SOT-363 封装,非常适合对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7077
    • 50+

      ¥0.5637
    • 150+

      ¥0.4917
    • 500+

      ¥0.4377
    • 3000+

      ¥0.3945
    • 6000+

      ¥0.3729
  • 有货
  • 本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益、低噪声系数、较宽的转换频率、低漏电流、金材质引出结构,具有较高的可靠性。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8964
    • 50+

      ¥0.7236
    • 150+

      ¥0.6372
    • 500+

      ¥0.5724
    • 3000+

      ¥0.4939
    • 6000+

      ¥0.468
  • 有货
  • 这些器件由四个独立的高增益、频率补偿运算放大器组成,专门设计用于在宽电压范围内的单电源下工作。当两个电源之间的压差为 3V 至 30V(对于 LM2902 和 LM2902Q,为 3V 至 26V),且 Vcc 比输入共模电压至少正 1.5V 时,也可采用双电源供电。低电源电流消耗与电源电压的大小无关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.96159 ¥1.0122
    • 50+

      ¥0.75297 ¥0.7926
    • 150+

      ¥0.66348 ¥0.6984
    • 500+

      ¥0.55195 ¥0.581
    • 2500+

      ¥0.48108 ¥0.5064
    • 5000+

      ¥0.45125 ¥0.475
  • 有货
  • 特性:沟槽功率低压MOSFET技术。 高功率和电流处理能力。 低栅极电荷。应用:PWM应用。 电源管理
    • 5+

      ¥1.0091
    • 50+

      ¥0.7923
    • 150+

      ¥0.6995
    • 500+

      ¥0.5836
    • 2500+

      ¥0.532
    • 5000+

      ¥0.501
  • 有货
  • 这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度沟槽工艺,以实现低导通电阻(rDS(on)),并确保将功率损耗和散热降至最低。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.844
    • 50+

      ¥1.4913
    • 150+

      ¥1.3401
    • 500+

      ¥1.0444
    • 2500+

      ¥0.9604
    • 5000+

      ¥0.91
  • 有货
  • 特性:高密度单元设计,实现超低导通电阻。 具备完全表征的雪崩电压和电流。 出色的封装,实现良好的散热。应用:PWM应用。 电源管理
    • 5+

      ¥2.0884
    • 50+

      ¥1.6399
    • 150+

      ¥1.4476
    • 500+

      ¥1.2078
    • 2500+

      ¥1.101
    • 5000+

      ¥1.0369
  • 有货
    • 1+

      ¥3.12
    • 10+

      ¥2.76
    • 30+

      ¥2.58
    • 100+

      ¥2.41
    • 500+

      ¥2.19
    • 1000+

      ¥2.14
  • 有货
  • SLNC2F5V1BB旨在保护电压敏感元件,避免其因静电放电(ESD)而损坏或发生闩锁效应。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,为电路板级易受ESD影响的设计提供了同类最佳的保护。由于其尺寸小巧且采用双向设计,非常适合用于需要音频线路保护的手机、MP3播放器和便携式应用。
    • 50+

      ¥0.0588
    • 500+

      ¥0.0575
    • 1500+

      ¥0.0566
    • 5000+

      ¥0.0557
  • 有货
  • PPP(W) 60 VRWM(V) 5 VBR(V) 8.4 VC(V) 12 IPP(A) 5 IR(uA) 0.1 CJ(pF) 18
    数据手册
    • 50+

      ¥0.06023 ¥0.0634
    • 500+

      ¥0.047405 ¥0.0499
    • 1500+

      ¥0.04028 ¥0.0424
    • 10000+

      ¥0.036005 ¥0.0379
    • 20000+

      ¥0.0323 ¥0.034
    • 50000+

      ¥0.030305 ¥0.0319
  • 有货
  • 特性:0402inch/1005mm 封装尺寸。 适用于高频、低电压应用的理想 ESD 保护。 超过 IEC 61000-4-2 测试要求。 超低电容:1.5pF(典型值)。 极低泄漏电流。 快速响应时间。应用:高速数据端口(USB 2.0、IEEE 1394)。 计算机及外设(手机、PDA、HDTV、DVD 播放器)
    • 50+

      ¥0.0611
    • 500+

      ¥0.0476
    • 1500+

      ¥0.0401
    • 10000+

      ¥0.0356
    • 20000+

      ¥0.0317
    • 50000+

      ¥0.0296
  • 有货
  • SLESD11D3.3CT5G是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为数据、控制或电源线提供静电放电(ESD)保护。SLESD11D3.3CT5G的最大电容为16.5pF,用于保护对寄生参数敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15 kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变 - EFT)(40 A、5/50 ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。SLESD11D3.3CT5G采用超小型DFN 0603封装。每个SLESD11D3.3CT5G器件可保护一条数据线。它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。
    • 50+

      ¥0.0733
    • 500+

      ¥0.0571
    • 1500+

      ¥0.0481
    • 10000+

      ¥0.0427
    • 20000+

      ¥0.0381
    • 50000+

      ¥0.0355
  • 有货
  • 类型 N VDSS(V) 60 ID@TC=73?C(A) 0.115 PD@TC=73?C(W) 0.225 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.53V -
    数据手册
    • 50+

      ¥0.07619 ¥0.0802
    • 500+

      ¥0.05928 ¥0.0624
    • 3000+

      ¥0.0475 ¥0.05
    • 6000+

      ¥0.0418 ¥0.044
    • 24000+

      ¥0.036955 ¥0.0389
    • 51000+

      ¥0.034295 ¥0.0361
  • 有货
  • 特性:Trench Power LV MOSFET技术。 高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)。 高速开关。应用:电池保护。 负载开关
    • 50+

      ¥0.1052
    • 500+

      ¥0.0825
    • 3000+

      ¥0.0699
  • 有货
  • 特性:电容典型值为15pF。 小尺寸外形。 低泄漏电流。 人体模型3级ESD等级(>16kV)。 符合RoHS标准。 环保型。 EMC哑光镀锡(Sn)引脚表面处理
    数据手册
    • 50+

      ¥0.112
    • 500+

      ¥0.0877
    • 1500+

      ¥0.0742
    • 10000+

      ¥0.0626
    • 20000+

      ¥0.0556
    • 50000+

      ¥0.0518
  • 有货
  • PPP(W) - VRWM(V) 5 VBR(V) 140 VC(V) 100 IPP(A) - IR(uA) 0.5 CJ(pF) 1.5
    数据手册
    • 50+

      ¥0.128
    • 500+

      ¥0.101
    • 1500+

      ¥0.086
    • 4000+

      ¥0.0725
    • 24000+

      ¥0.0647
    • 48000+

      ¥0.0604
    • 100000+

      ¥0.0597
    • 200000+

      ¥0.0592
  • 有货
  • SLPESD 专为保护一条双向数据线免受静电放电(ESD)损坏而设计。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1475
    • 200+

      ¥0.1183
    • 600+

      ¥0.1021
    • 2000+

      ¥0.0924
    • 10000+

      ¥0.0748
    • 20000+

      ¥0.0702
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料外壳材料具有UL阻燃等级94V-O
    数据手册
    • 20+

      ¥0.223915 ¥0.2357
    • 200+

      ¥0.1767 ¥0.186
    • 600+

      ¥0.150385 ¥0.1583
    • 1800+

      ¥0.13471 ¥0.1418
    • 10800+

      ¥0.12103 ¥0.1274
    • 19800+

      ¥0.113715 ¥0.1197
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料材料:UL 阻燃等级 94V-0
    数据手册
    • 10+

      ¥0.22724 ¥0.2392
    • 100+

      ¥0.17936 ¥0.1888
    • 300+

      ¥0.15542 ¥0.1636
    • 750+

      ¥0.137465 ¥0.1447
    • 5250+

      ¥0.12312 ¥0.1296
    • 9750+

      ¥0.1159 ¥0.122
  • 有货
  • SRV05 - 4的最大电容低至0.4pF,在高达1GHz的频率下几乎无插入损耗。这使得该器件非常适合保护高速数据线,如USB 2.0、火线、DVI和千兆以太网接口。低电容阵列配置允许用户保护四条高速数据或传输线。低电感结构可最大程度减少高电流浪涌期间的电压过冲。它们可用于满足IEC61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求(4级 ±15KV空气放电、±8KV接触放电)。该器件专门设计用于保护连接到高速数据和传输线的敏感组件,使其免受由ESD(静电放电)、CDE(电缆放电事件)和雷击引起的过电压影响。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.233605 ¥0.2459
    • 100+

      ¥0.184395 ¥0.1941
    • 300+

      ¥0.15979 ¥0.1682
    • 3000+

      ¥0.134045 ¥0.1411
    • 6000+

      ¥0.119225 ¥0.1255
    • 9000+

      ¥0.11191 ¥0.1178
  • 有货
  • LM393是由两个独立的、高精度电压比较器组成的集成电路,失调电压低,最大为2.0mV。它专为获得宽电压范围、单电源供电而设计,也可以用双电源供电;而且无论电源电压大小,电源消耗的电流都很低。它还有一个特性:即使是单电源供电,比较器的共模输入电压范围接近地电平。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.25346 ¥0.2668
    • 100+

      ¥0.198835 ¥0.2093
    • 300+

      ¥0.171475 ¥0.1805
    • 2500+

      ¥0.15105 ¥0.159
    • 5000+

      ¥0.134615 ¥0.1417
    • 10000+

      ¥0.126445 ¥0.1331
  • 有货
  • 特性:600W 峰值脉冲功率。 优良的箝制能力。 较小的箝位因子。 快速响应时间:从 0V 到 VBR,单向型小于 1.0ps,双向型小于 5.0ns
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3194
    • 100+

      ¥0.2532
    • 300+

      ¥0.22
    • 3000+

      ¥0.1897
    • 6000+

      ¥0.1699
    • 9000+

      ¥0.1599
  • 有货
  • LMV321(单运放)、LMV358(双运放)和LMV324(四运放)是通用型、低失调、高频响应和微功耗运算放大器。LMV321 /358 /324系列放大器带宽出色,达1MHz,压摆率为0.8V/μs,在5V供电时每个放大器的静态电流为80μA,可应用于广泛的领域。LMV321 /358 /324运算放大器专为在低电压和低功耗系统中实现最佳性能而设计
    • 10+

      ¥0.3574
    • 100+

      ¥0.2826
    • 300+

      ¥0.2451
    • 3000+

      ¥0.217
    • 6000+

      ¥0.1946
    • 9000+

      ¥0.1833
  • 有货
  • 本高频低噪声宽带射频晶体管适合工作在集电极电流 30~40mA、电压 3~5V;能适应于频率高达 3.8GHz 的振荡电路的信号放大;在 1.8GHz 时的噪声约为 1.1dB;低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;采用无铅(Pb-free、RoHS compliant)工艺的表面贴 SOT323 封装;主要使用于电视调谐器、卫星电视接收器、CATV 视频放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应开关、无线遥控数传、无线通信、RFID 散射式射频识别系统、光纤放大器等产品中,用于 VHF/UHF 放大器、振荡器、混频器、检波器,以及高频微波信号发射与接收电路中的信号放大。
    • 10+

      ¥0.383515 ¥0.4037
    • 100+

      ¥0.303145 ¥0.3191
    • 300+

      ¥0.26296 ¥0.2768
    • 3000+

      ¥0.232845 ¥0.2451
    • 6000+

      ¥0.208715 ¥0.2197
    • 9000+

      ¥0.19665 ¥0.207
  • 有货
  • 本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性
    数据手册
    • 10+

      ¥0.38665 ¥0.407
    • 100+

      ¥0.30457 ¥0.3206
    • 300+

      ¥0.26353 ¥0.2774
    • 3000+

      ¥0.223345 ¥0.2351
    • 6000+

      ¥0.19874 ¥0.2092
    • 9000+

      ¥0.186485 ¥0.1963
  • 有货
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