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  • 特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 玻璃钝化结。 低电感。 塑料封装符合UL易燃性标准
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  • SBLCxxCI系列是超低电容瞬态电压抑制器阵列,旨在保护便携式电子设备和智能手机等应用。该系列提供单向和双向两种配置,对于8/20μs波形的额定功率为350瓦。SBLCxxCI系列符合IEC 61000-4-2(静电放电)和IEC 61000-4-4(电快速瞬变脉冲群)要求。在较高的工作频率或更快的边沿速率下,插入损耗和信号完整性是主要问题。该系列在微型SOD-323封装中提供超低电容和低漏电流。
    数据手册
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  • 原厂变更型号,性能完全一致。对应老型号为:IRLML5203
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  • 适用于开关和放大器应用。特别适用于音频驱动级和低功率输出级。作为互补类型的NPN晶体管
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  • 特性:功率耗散:625mW。 连续集电极电流(Ic):2A。 峰值脉冲电流:12A。 高达12A(脉冲)时出色的HFE特性。 极低的饱和电压:例如8mV(典型值)。 极低的等效导通电阻:RCE(sat)
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  • 特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。低外形封装。玻璃钝化结。低电感。塑料封装符合UL易燃性标准
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  • 特性:40V P-Channel MOSFET。 超低导通电阻。 RDS(ON) = 10mΩ(典型值)@VGS = -10V。 RDS(ON) = 14mΩ(典型值)@VGS = -4.5V。 可靠耐用。应用:笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理
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  • SK14N10 - P8是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,为大多数AC/DC快充同步整流应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷特性。
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  • 特性:高集电极击穿电压:VCEO = -160V,VCEO = -150V。 低漏电流:ICEO = -50nA(最大值),@VCB = -120V。 低饱和电压:VCE(sat) = -0.5V(最大值),@IC = -50mA,IB = -5mA。 低噪声:NF = 8dB(最大值)
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  • 原厂变更型号,性能完全一致。对应老型号为:FDN360P
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