您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > 松下二极管
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共299918
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
特性:超薄SIL4引脚封装(W)3.5×(D)21.0×(H)12.5mm (W)138×(D)827×(H)492inch,4引脚SIL封装尺寸紧凑,可实现高密度安装。 极低导通电阻。 控制低电平信号,光电MOS具有极低的闭路失调电压,可无失真地控制低电平模拟信号。 低电平关态泄漏电流最大为10μA。 高I/O隔离电压2,500V。 无需在输入侧驱动电路中使用反电动势保护二极管。 无需电源驱动功率MOSFET。 安装方向无限制。 低热电动势。 触点无噪音和电弧。 也提供插座(PA1a-PS,PA1a-PS-H)。 可安装在RT-3继电器端子上(功率光电MOS类型)
数据手册
  • 1+

    ¥28.98
  • 10+

    ¥26.17
  • 25+

    ¥22.57
  • 100+

    ¥21.18
  • 500+

    ¥20.24
  • 1000+

    ¥19.82
  • 有货
  • 特性:由于采用先进材料技术,具有出色的静电放电抑制能力。 具有较大的静电电阻,符合 IEC61000-4-2 4 级标准。 无极性(双极性),便于替代齐纳二极管,可替代 2 个齐纳二极管和 1 个电容器。 无铅电镀终端电极,可焊性好。应用:手机:天线电路、外部中频、开关、液晶显示屏、发光二极管、音频端子、电池组、存储卡、外部接口。 数码相机、数码摄像机:USB2.0、IEEE1394、开关、液晶显示屏、发光二极管、USB
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3092
    • 100+

      ¥0.2447
    • 300+

      ¥0.2124
    • 1000+

      ¥0.1882
  • 有货
  • 特性:由于采用先进材料技术,具有出色的ESD抑制能力。 具有较大的静电电阻,符合IEC61000-4-2 4级标准。 无极性(双极性),便于替代齐纳二极管,可替代2个齐纳二极管和1个电容器。 引脚采用无铅电镀端电极,可焊性好。应用:手机:天线电路、外部中频、开关、液晶显示屏、发光二极管、音频端子、电池组、存储卡、外部接口。 数码相机、数码摄像机:USB2.0、IEEE1394、开关、液晶显示屏、发光二极管、USB
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6839
    • 50+

      ¥0.5512
    • 150+

      ¥0.4848
    • 500+

      ¥0.435
    • 2500+

      ¥0.3952
  • 有货
  • 特性:优异的ESD抑制能力,采用先进的材料技术。 具有较大的静电电阻,符合IEC61000-4-2 4级标准。 无极性(双极性),便于替代齐纳二极管,可替代2个齐纳二极管和1个电容器。 无铅电镀端电极,具有良好的可焊性。应用:手机:天线电路、外部中频、开关、液晶显示屏、发光二极管、音频端子、电池组、存储卡、外部接口。 数码相机、数码摄像机:USB2.0、IEEE1394、开关、液晶显示屏、发光二极管、USB
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7095
    • 50+

      ¥0.5498
    • 150+

      ¥0.4699
    • 500+

      ¥0.41
  • 有货
  • 由于采用了先进的材料技术,具有出色的ESD抑制能力。具有大的静电抗性,符合IEC61000-4-2第4级标准。无极性(双极)设计便于替换齐纳二极管。能够替代2个齐纳二极管和1个电容。采用无铅镀层端子电极,焊接性能优异。通过采用多层结构,提供广泛的产品系列,满足各种需求。适用于高速总线的直流电压线路的低电容版本。超低电容适用于高速信号线。由于我们独特的超低电容技术,适用于高速信号线,如接口(例如USB 2.0、IEEE1394、HDMI等)。符合RoHS标准。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3095
    • 100+

      ¥0.2412
    • 300+

      ¥0.2071
    • 1000+

      ¥0.1815
    • 5000+

      ¥0.161
  • 有货
  • 特性:由于采用先进材料技术,具有出色的静电放电抑制能力。 具有较大的静电电阻,符合 IEC61000-4-2 4 级标准。 无极性(双极性),便于替代齐纳二极管,可替代 2 个齐纳二极管和 1 个电容器。 镀铅端子电极,可焊性好。应用:手机:天线电路、外部中频。 数码相机、数码摄像机:USB2.0、IEEE1394
    数据手册
    • 5+

      ¥0.599
    • 50+

      ¥0.4693
    • 150+

      ¥0.4044
    • 500+

      ¥0.3557
    • 2500+

      ¥0.3168
    • 4000+

      ¥0.2974
  • 有货
  • 由于采用了先进的材料技术,具有出色的ESD抑制能力。具有大静电抵抗能力,满足IEC61000-4-2四级标准。无极性(双极)设计便于替换齐纳二极管。能够替换2个齐纳二极管和1个电容。采用无铅镀层端子电极,焊接性能优异。通过采用多层结构,提供广泛的产品系列以满足各种需求。低电容版本适用于高速总线的直流电压线路。超低电容适用于高速信号线。由于我们原创的超低电容技术,适用于高速信号线,如接口(例如USB 2.0、IEEE1394、HDMI等)。符合RoHS标准。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.63
    • 50+

      ¥0.4999
    • 150+

      ¥0.4349
    • 500+

      ¥0.3861
    • 2500+

      ¥0.3471
    • 4000+

      ¥0.3276
  • 有货
  • 由于采用了先进的材料技术,具有出色的ESD抑制能力。具有大的静电抗性,满足IEC61000-4-2,4级标准。无极性(双向)便于替换齐纳二极管。能够替换2个齐纳二极管和1个电容。无铅镀层端子电极,具有优良的可焊性。通过采用多层结构,提供广泛的产品系列,满足各种需求。适用于高速总线直流电压线路的低电容版本。适用于高速信号线的超低电容。由于我们原创的超低电容技术,适用于诸如接口(例如USB 2.0、IEEE1394、HDMI等)的高速信号线。符合RoHS标准。多层独石陶瓷结构适用于高速信号线。非常适合USB 2.0、IEEE1394和HDMI高速数据总线。由于我们的原创材料技术和多层技术,适用于诸如接口(例如USB 2.0、IEEE1394、HDMI等)的高速信号线。电容:典型值0.8至2.1 pF。通过采用多层结构,提供多种产品,实现了广泛的应用范围,如应用于直流电压线路和信号线路。电路电压。压敏电压:在1 mA时为6.8至65 V。电容:在1 MHz时为8.5至420 pF典型值。工作温度范围:-40至85℃。推荐焊接方法:回流焊。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6844
    • 50+

      ¥0.5528
    • 150+

      ¥0.487
    • 500+

      ¥0.4376
    • 2500+

      ¥0.3403
  • 有货
  • 特性:获得韩国安全认证“S mark”(二极管类型除外)。 强制导向接触结构。 超薄外形:长度(40/50 mm)×宽度(13 mm)×高度(24 mm)。 快速响应时间:最大8 ms。 提供带二极管和LED指示类型。 提供插座和端子插座(兼容铲形和环形舌形端子)。应用:机床。 机器人
    数据手册
    • 1+

      ¥42.56
    • 10+

      ¥37.99
    • 30+

      ¥35.21
    • 100+

      ¥33.02
  • 有货
  • 特性:获得韩国安全认证“S mark”(二极管类型除外)。 强制导向接触结构。 超薄外形:长度(40/50 mm)×宽度(13 mm)×高度(24 mm)。 快速响应时间:最大8 ms。 提供带二极管和LED指示类型。 提供插座和端子插座(兼容铲形和环形舌形端子)。应用:机床。 机器人
    数据手册
    • 1+

      ¥63.43
    • 10+

      ¥57.02
    • 30+

      ¥53.11
    • 100+

      ¥50.04
  • 有货
  • 特性:超薄SIL4引脚封装(W)3.5×(D)21.0×(H)12.5mm (W)138×(D)827×(H)492inch,4引脚SIL封装尺寸紧凑,可实现高密度安装。 极低导通电阻。 控制低电平信号,光电MOS具有极低的闭路失调电压,可无失真地控制低电平模拟信号。 低电平关态泄漏电流最大为10μA。 高I/O隔离电压2,500V。 无需在输入侧驱动电路中使用反电动势保护二极管。 无需电源驱动功率MOSFET。 安装方向无限制。 低热电动势。 触点无噪音和电弧。 也提供插座(PA1a-PS,PA1a-PS-H)。 可安装在RT-3继电器端子上(功率光电MOS类型)
    数据手册
    • 1+

      ¥32.47
    • 10+

      ¥29.21
    • 25+

      ¥24.42
    • 100+

      ¥22.81
    • 500+

      ¥21.73
    • 1000+

      ¥21.24
  • 有货
  • 特性:由于采用先进的材料技术,具有出色的静电放电抑制性能。 具有较大的静电电阻,符合 IEC61000-4-2 4 级标准。 无极性(双极性),便于替代齐纳二极管,能够替代 2 个齐纳二极管和 1 个电容器。 无铅电镀终端电极,可焊性好。应用:手机:天线电路、外部中频、开关、液晶显示器、发光二极管、音频终端、电池组、存储卡、外部接口。 数码相机、数码摄像机:USB2.0、IEEE1394、开关、液晶显示器、发光二极管、USB
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4329
    • 100+

      ¥0.3513
    • 300+

      ¥0.3105
  • 有货
  • 纤薄SIL4引脚封装,具有极低的导通电阻,适用于低电平信号控制。特性包括最大10 μA的低电平关态泄漏电流和2,500 V的高I/O隔离电压。该器件消除了输入侧驱动电路中反电动势保护二极管的需求,并且不需要电源来驱动功率MOSFET。它可以任意方向安装,具有低热电势。接触时无噪声或电弧,并且也提供插座。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.1
    • 10+

      ¥23.85
    • 25+

      ¥21.56
    • 100+

      ¥19.95
    • 500+

      ¥18.87
    • 1000+

      ¥18.38
  • 有货
  • 特性:由于先进的材料技术,具有出色的静电放电抑制能力。 具有较大的静电电阻,符合 IEC61000-4-2 特殊等级 30 kV 标准。 无极性(双极性),便于替代齐纳二极管,可替代 2 个齐纳二极管和 1 个电容器。 无铅终端电极,具有良好的可焊性。 符合 RoHS 标准。应用:手机。 数码相机
    数据手册
    • 1+

      ¥3.38
    • 10+

      ¥2.69
    • 30+

      ¥2.39
  • 有货
  • 特性:小型。 耐电涌电流量大。 最大功率大。 可应对从低电压电路至全球各个国家交流电源,压敏电压兼容范围广。 已应对RoHS指令。应用:用于保护半导体元件(二极管,三极管,可控硅,IC等)。 用于保护民用电子设备
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9008
    • 50+

      ¥0.7312
    • 150+

      ¥0.5736
  • 有货
  • 特性:获得韩国安全认证“S mark”(二极管类型除外)。 强制导向接触结构。 超薄外形:长度(40/50 mm)×宽度(13 mm)×高度(24 mm)。 快速响应时间:最大8 ms。 提供带二极管和LED指示类型。 提供插座和端子插座(兼容铲形和环形舌形端子)。应用:机床。 机器人
    数据手册
    • 1+

      ¥60.05
    • 10+

      ¥53.33
    • 30+

      ¥49.22
    • 100+

      ¥45.99
  • 有货
  • 特性:小型,耐电涌电流量大。 最大功率大。 可应对从低电压电路至全球各个国家交流电源,压敏电压兼容范围广。 已应对RoHS指令。应用:用于保护半导体元件(二极管,三极管,可控硅,IC等)。 用于保护民用电子设备
    数据手册
    • 1+

      ¥2.47
    • 10+

      ¥1.92
    • 50+

      ¥1.68
  • 有货
  • 由于采用了原始的先进材料技术,具有出色的ESD抑制能力。大静电电阻符合IEC61000-4-2、ISO10605标准。无极性(双极)便于替换稳压二极管。能够替代2个稳压二极管和1个电容器。无铅镀层端子电极使焊接性能优良。通过采用多层结构,提供广泛的产品系列,满足各种需求。符合AEC-Q200标准。符合RoHS标准。通过采用多层构造,提供了多种产品,实现了广泛的应用范围,如应用于直流电压线路和信号线路。压敏电压:12至100V(在1mA时)。电容:最大10至220pF(在1MHz时)。推荐应用包括发动机ECU、各种车身ECU、通信线路如CAN、LIN、音频、导航、LED灯及控制开关等。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1341
    • 50+

      ¥1.1088
    • 150+

      ¥1.092
  • 有货
  • 特性:紧凑尺寸下具有大的耐受浪涌电流能力。 紧凑尺寸下具有大的“能量处理能力”,可吸收瞬态过电压。 压敏电阻电压范围广。 符合RoHS标准。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子设备中的浪涌保护
    数据手册
    • 1+

      ¥3
    • 10+

      ¥2.37
    • 30+

      ¥2.1
  • 有货
  • 特性:由于采用先进的材料技术,具有出色的ESD抑制能力。 具有较大的静电电阻,符合IEC61000-4-2特殊等级30 kV标准。 无极性(双极性),便于替代齐纳二极管,可替代2个齐纳二极管和1个电容器。应用:手机:开关、LCD、LED、音频端子、电池组、存储卡、外部接口
    • 1+

      ¥3.1
    • 10+

      ¥3.03
    • 30+

      ¥2.98
  • 有货
  • 紧凑尺寸下具有大浪涌电流承受能力。紧凑尺寸下具备大的“能量处理能力”,能够吸收瞬态过电压。压敏电阻电压范围广。符合RoHS标准。晶体管、二极管、集成电路、晶闸管或双向晶闸管的半导体保护。消费电子设备中的浪涌保护。通信、测量或控制电子设备中的浪涌保护。家用电器、燃气或石油器具中的浪涌保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.46
    • 10+

      ¥2.75
    • 30+

      ¥2.44
  • 有货
  • 由于采用了先进的材料技术,具有出色的ESD抑制能力。符合IEC61000-4-2,4级标准。可以替代2个齐纳二极管和1个电容。为高速总线的直流电压线路提供低电容版本。为高速总线的信号线路提供超低电容。适用于USB 2.0、IEEE1394和HDMI高速数据总线。符合RoHS标准。采用多层单片陶瓷结构,适用于高速信号线路。适用于USB 2.0、IEEE1394和HDMI高速数据总线。电容:典型值0.8至2.1 pF。采用多层单片陶瓷结构,用于保护直流电压线路或信号线路。压敏电压:在1 mA时为6.8至65 V。电容:在1 MHz时为8.5至420 pF(典型值)。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3148
    • 100+

      ¥0.2485
    • 300+

      ¥0.2153
  • 有货
  • 由于采用了先进的材料技术,具有出色的ESD抑制性能。具有大静电抗性,符合IEC61000-4-2四级标准。无极性(双向)便于替换齐纳二极管。能够替代2个齐纳二极管和1个电容器。无铅镀层端子电极使得焊接性能优异。通过采用多层结构,可提供广泛的产品种类以满足各种需求。适用于高速总线直流电压线路的低电容版本。超低电容适用于高速信号线。由于我们原创的超低电容技术,适用于高速信号线,如接口(例如USB 2.0、IEEE1394、HDMI等)。符合RoHS标准。用于高速信号线的多层单片陶瓷构造。非常适合USB 2.0、IEEE1394和HDMI高速数据总线。由于我们的原创材料技术和多层技术,适用于高速信号线,如接口(例如USB 2.0、IEEE1394、HDMI等)。电容:典型值0.8至2.1皮法。通过采用多层结构,提供了多种产品,实现了广泛的应用范围,如应用于直流电压线路和信号线路。电路电压。压敏电阻电压:6.8至65伏[在1毫安时]。电容:典型值8.5至420皮法[在1兆赫时]。工作温度范围:-40至85摄氏度。推荐焊接方法:回流焊。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6879
    • 50+

      ¥0.5522
    • 150+

      ¥0.4844
    • 500+

      ¥0.4335
    • 2500+

      ¥0.3687
    • 4000+

      ¥0.3483
  • 订货
  • 特性:大尺寸下具有高耐浪涌电流能力。 小尺寸下具有大“能量处理能力”,可吸收瞬态过电压。 压敏电阻电压范围广。 符合RoHS标准。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子设备中的浪涌保护
    • 5+

      ¥1.0606
    • 50+

      ¥1.0344
    • 150+

      ¥1.017
  • 有货
  • 特性:小型,耐电涌电流量大。 最大功率大。 可应对从低电压电路至全球各个国家交流电源,压敏电压兼容范围广。 已应对RoHS指令。应用:用于保护半导体元件(二极管,三极管,可控硅,IC等)。 用于保护民用电子设备
    数据手册
    • 1+

      ¥2.6
    • 10+

      ¥2.04
    • 30+

      ¥1.79
  • 有货
  • 特性:获得韩国安全认证“S mark”(二极管类型除外)。 强制导向接触结构。 超薄外形:长度(40/50 mm)×宽度(13 mm)×高度(24 mm)。 快速响应时间:最大8 ms。 提供带二极管和LED指示类型。 提供插座和端子插座(兼容铲形和环形舌形端子)。应用:机床。 机器人
    数据手册
    • 1+

      ¥82.51
    • 10+

      ¥72.91
    • 30+

      ¥68.82
    • 100+

      ¥65.5
  • 有货
  • 特性:小型,耐电涌电流量大。 最大功率大。 可应对从低电压电路至全球各个国家交流电源,压敏电压兼容范围广。 已应对RoHS指令。应用:用于保护半导体元件(二极管,三极管,可控硅,IC等)。 用于保护民用电子设备
    数据手册
    • 1+

      ¥1.0648
    • 10+

      ¥0.8485
    • 50+

      ¥0.7558
  • 有货
  • 特性:紧凑尺寸下具有大的耐受浪涌电流能力。 紧凑尺寸下具有大的“能量处理能力”,可吸收瞬态过电压。 压敏电阻电压范围广。 符合RoHS标准。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子设备中的浪涌保护
    数据手册
    • 1+

      ¥1.2739
    • 10+

      ¥1.0219
    • 30+

      ¥0.9139
  • 有货
  • 特性:小型尺寸下具有大的耐受浪涌电流能力。 小型尺寸下具有大的“能量处理能力”,可吸收瞬态过电压。 压敏电阻电压范围广。 符合RoHS标准。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子设备中的浪涌保护
    • 1+

      ¥3.85
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.63
  • 有货
  • 特性:小型尺寸下具有大的耐受浪涌电流能力。 小型尺寸下具有大的“能量处理能力”,可吸收瞬态过电压。 压敏电阻电压范围广。 符合RoHS标准。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子设备中的浪涌保护
    • 1+

      ¥3.87
    • 10+

      ¥3.78
    • 30+

      ¥3.72
  • 有货
  • 立创商城为您提供松下二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买松下二极管提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content