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  • 6N137-L由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。光检测器的输出采用集电极开路的肖特基钳位晶体管
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  • LTV - 0601由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计在光耦合器的输入和输出端之间提供了出色的交流和直流隔离。光检测器的输出采用集电极开路的肖特基钳位晶体管
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  • LTV - M501系列由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。这种独特的设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。为光电二极管加偏置的连接方式通过减小基极 - 集电极电容,提高了其相对于传统光电晶体管耦合器的速度
    数据手册
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  • 该产品由高效的砷化铝镓发光二极管和高速光探测器组成。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光探测器的输出采用集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在3.3/5V工作电压下,保证了10KV/μs的共模瞬态抗扰度规格。光耦合器的工作参数在-40℃至 + 85℃的温度范围内得到保证。
    数据手册
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  • 有货
  • 适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带有功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。光电耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +110℃ 的温度范围内得到保证。
    数据手册
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      ¥1.77
    • 1000+

      ¥1.67
  • 有货
  • LTV - 5341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET,以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。该光耦合器的工作参数在 -40°C 至 +110°C 的温度范围内得到保证
    数据手册
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  • 提供了广泛的离散红外组件,适用于遥控、红外无线数据传输、安全警报等应用。客户需要具有高功率、高速和宽视角的红外解决方案。产品线包括GaAs 940nm IREDs、AlGaAs高速850nm IREDs、PIN光电二极管和光电晶体管。光电二极管和光电晶体管可配备滤光片,以减少传感器功能中的数字光噪声,从而实现高信噪比。
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  • 有货
  • 6N135/6N136-L 由高效铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。光电二极管偏置连接通过减小基极 - 集电极电容,提高了与传统光电晶体管耦合器相比的速度
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  • LTV - 341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET,以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。2
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  • 有货
  • LTV - 5341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET,以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。该光耦合器的工作参数在 -40°C 至 +110°C 的温度范围内得到保证
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  • 由铝镓砷红外发光二极管与光MOSFET光耦合组成,采用SOP4封装,适用于表面贴装。适用于需要节省空间的电池管理系统。
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