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首页 > 热门关键词 > 威世二极管
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特性:非常薄的外形。 典型高度为 0.65mm。 适合自动贴装。 沟槽 MOS 肖特基技术。 低正向压降。 低功耗,高效率。应用:用于低压高频逆变器、续流、DC/DC 转换器和极性保护应用。 适用于商业、工业和汽车领域
  • 5+

    ¥0.6979
  • 50+

    ¥0.5616
  • 150+

    ¥0.4935
  • 500+

    ¥0.4424
  • 2500+

    ¥0.4015
  • 4500+

    ¥0.381
  • 有货
  • 特性:集成静电放电保护环。 低电容。 低泄漏电流。 低正向压降。 通过AEC-Q101认证。应用:HF探测器。 保护电路
    数据手册
    • 5+

      ¥0.709
    • 50+

      ¥0.5874
    • 150+

      ¥0.5266
    • 500+

      ¥0.4809
    • 2500+

      ¥0.4292
  • 有货
  • 整流二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7327
    • 50+

      ¥0.5712
    • 150+

      ¥0.4904
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。 高可靠性。 AEC-Q101合格。应用:电压稳定
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7429
    • 50+

      ¥0.6009
    • 150+

      ¥0.5299
    • 500+

      ¥0.4766
    • 2500+

      ¥0.434
  • 有货
  • 特性:快速开关,实现高效率。 低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。 最高275℃浸焊,每次10s(符合JESD 22-B106)。应用:用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流。 用于消费和电信领域的续流二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8429
    • 50+

      ¥0.6805
    • 150+

      ¥0.5993
    • 500+

      ¥0.5383
    • 2500+

      ¥0.4693
    • 5500+

      ¥0.4449
  • 有货
  • 特性:肖特基二极管,用于高速开关。 尺寸非常小。 1.6mm×0.8mm×0.31mm。 正向电流2A。 低正向压降(2.0A时典型值为510mV)。 低反向电流(10V时<18μA)
    • 5+

      ¥0.8756
    • 50+

      ¥0.7722
    • 150+

      ¥0.7279
    • 500+

      ¥0.6726
    • 2500+

      ¥0.648
  • 有货
  • 全新 ChipLED 系列采用最小尺寸的 SMD 封装设计。这种创新的 ChipLED 技术为以下方面开辟了道路:• 打造体积更小、性能更高的产品
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9015
    • 50+

      ¥0.7212
    • 150+

      ¥0.6311
    • 500+

      ¥0.5635
    • 3000+

      ¥0.4928
    • 6000+

      ¥0.4658
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 低正向压降,低功耗。 低漏电流。 符合MSL 1级标准(根据J-STD-020,最高峰值温度290℃)。 可进行波峰焊和回流焊。应用:高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0307
    • 50+

      ¥0.8569
    • 150+

      ¥0.77
    • 500+

      ¥0.7048
    • 3000+

      ¥0.6526
  • 有货
    • 5+

      ¥1.6853
    • 50+

      ¥1.3325
    • 150+

      ¥1.1813
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于高功率额定值的稳压和限幅电路。 标准齐纳电压容差为 ±5%。 这些二极管也有DO-41封装
    • 5+

      ¥1.7271
    • 50+

      ¥1.3743
    • 150+

      ¥1.2231
    • 500+

      ¥1.0345
    • 2500+

      ¥0.9085
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化颗粒芯片结。 超快反向恢复时间。 低正向压降。 低泄漏电流。 低开关损耗,高效率。 高正向浪涌能力。应用:用于消费、计算机和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用
    数据手册
    • 1+

      ¥1.76
    • 10+

      ¥1.52
    • 30+

      ¥1.42
    • 100+

      ¥1.29
    • 500+

      ¥1.23
    • 1000+

      ¥1.2
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化颗粒芯片结。 适合自动贴片。 超快反向恢复时间。 低开关损耗,高效率。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃。应用:用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8217
    • 50+

      ¥1.6119
    • 150+

      ¥1.522
    • 500+

      ¥1.2499
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 沟槽MOS肖特基技术。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C。应用:高频转换器。 续流二极管
    • 5+

      ¥1.9201
    • 50+

      ¥1.527
    • 150+

      ¥1.3585
    • 500+

      ¥1.1483
  • 有货
  • 特性:UL认证,文件编号E54214。 节省印刷电路板空间。 适合自动贴装。 高浪涌电流能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃。应用:电源、照明镇流器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用中的AC/DC桥式全波整流通用用途
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9498
    • 50+

      ¥1.5446
    • 150+

      ¥1.3709
    • 500+

      ¥1.0872
  • 有货
  • 特性:非常薄的外形。 典型高度为0.95mm。 适合自动贴装。 沟槽MOS肖特基技术。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。应用:高频逆变器。 续流
    • 5+

      ¥1.965
    • 50+

      ¥1.5253
    • 150+

      ¥1.3368
    • 500+

      ¥1.1017
  • 有货
  • 高功率红外发射管,配套的IR接收管是:TEFT4300
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1187
    • 50+

      ¥1.6796
    • 150+

      ¥1.4914
  • 有货
  • 特性:Superrectifier结构,适用于高可靠性应用。 无腔体玻璃钝化结。 低泄漏电流。 高正向浪涌能力。 浸焊温度最高275℃,持续10s,符合JESD 22-B106标准。应用:高压电源整流。 逆变器
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2537
    • 50+

      ¥1.7469
    • 150+

      ¥1.5298
    • 500+

      ¥1.2588
  • 有货
  • 特性:极低的开关损耗。 玻璃钝化。 高反向电压。 密封轴向引线玻璃外壳。应用:开关电源。 高频逆变电路
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3112
    • 50+

      ¥1.8116
    • 150+

      ¥1.5975
    • 500+

      ¥1.3304
    • 2500+

      ¥1.2114
  • 有货
  • 特性:低轮廓封装。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C。 可提供AEC-Q101认证。 汽车订购代码:基础产品编号HM3。 与SOD-128封装外形兼容。应用:用于商业、工业和汽车应用中的高频逆变器、续流、DC/DC转换器和极性保护
    数据手册
    • 1+

      ¥2.53
    • 10+

      ¥1.98
    • 30+

      ¥1.75
    • 100+

      ¥1.46
    • 500+

      ¥1.33
    • 1000+

      ¥1.25
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 过压保护保护环。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。 高浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃。应用:用于低压高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 1+

      ¥2.6
    • 10+

      ¥2.09
    • 30+

      ¥1.87
    • 100+

      ¥1.59
    • 500+

      ¥1.47
    • 850+

      ¥1.4
  • 有货
  • VEMD2500X01和VEMD2520X01是高速、高灵敏度的PIN光电二极管,采用带有圆顶透镜的透明环氧树脂微型表面贴装封装(SMD)。芯片的光敏面积为0.23 mm²。
    • 1+

      ¥2.76
    • 10+

      ¥2.49
    • 30+

      ¥2.35
    • 100+

      ¥2.22
    • 500+

      ¥2.14
    • 1000+

      ¥2.09
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化结。 密封封装。 极低的开关损耗。 低反向电流。 高反向电压。 无铅元件。应用:开关电源。 高频逆变电路
    数据手册
    • 5+

      ¥2.7796
    • 50+

      ¥2.3006
    • 150+

      ¥2.0953
    • 500+

      ¥1.8392
  • 有货
  • VSMB2000X01系列是采用GaAlAs(DH)技术的红外发光二极管,发射波长为940 nm,具有高辐射功率和高速度。它们采用透明、无色塑料封装(带透镜)进行表面贴装(SMD)。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.96
    • 10+

      ¥2.25
    • 30+

      ¥1.95
    • 100+

      ¥1.57
    • 500+

      ¥1.41
    • 1000+

      ¥1.18
  • 有货
  • VSMY3850是一款基于表面发射体技术的850 nm红外发射二极管,具有高辐射强度、高光功率和高速特性,采用适用于表面贴装(SMD)的PLCC - 2封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.19
    • 10+

      ¥3.46
    • 30+

      ¥3.09
    • 100+

      ¥2.73
    • 500+

      ¥2.51
    • 1500+

      ¥2.39
  • 有货
  • PIN 光电二极管具有高速和高辐射灵敏度,采用带透镜和日光阻挡滤光片的黑色表面贴装塑料封装。滤光片带宽与 870nm 至 950nm 的红外发射器匹配。
    • 1+

      ¥4.64
    • 10+

      ¥3.77
    • 30+

      ¥3.34
    • 100+

      ¥2.91
    • 500+

      ¥2.33
    • 1000+

      ¥2.2
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降,低功率损耗。 高效运行。 低热阻。应用:高频DC/DC转换器。 开关电源
    数据手册
    • 1+

      ¥5.78
    • 10+

      ¥4.68
    • 50+

      ¥4.13
    • 100+

      ¥3.58
    • 500+

      ¥3.25
    • 1000+

      ¥3.08
  • 有货
  • 作为SurfLightTM产品系列的一部分,VSMY5940X01是一款基于GaAlAs表面发射芯片技术的940 nm红外发射二极管,具有高辐射强度、高光功率和高速特性,采用低矮型0805表面贴装(SMD)封装。
    • 1+

      ¥5.99
    • 10+

      ¥4.9
    • 30+

      ¥4.31
    • 100+

      ¥3.64
    • 500+

      ¥3.34
  • 有货
  • Photodiode 940nm 120° Radial, Side View,波长响应范围: 790nm ~ 1050nm
    数据手册
    • 1+

      ¥6.16
    • 10+

      ¥5
    • 30+

      ¥4.42
    • 100+

      ¥3.84
    • 500+

      ¥3.5
    • 1000+

      ¥3.32
  • 有货
  • 超快速恢复整流器,具有正向压降和超快速恢复时间的优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。极低的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗,并减少开关元件和缓冲器的过耗散。
    • 1+

      ¥7.15
    • 10+

      ¥5.88
    • 50+

      ¥5.25
    • 100+

      ¥4.62
    • 500+

      ¥4.24
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降,低功率损耗。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级,RoHS LF最高峰值245℃(适用于TO-263AB兼容封装)。 低热阻。 焊接浴温度最高275℃,持续10s(适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装)。应用:高频转换器。 开关电源
    数据手册
    • 1+

      ¥8.68
    • 10+

      ¥7.32
    • 50+

      ¥6.16
    • 100+

      ¥5.32
    • 500+

      ¥4.94
  • 有货
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